[發(fā)明專利]研磨用組合物和半導(dǎo)體集成電路裝置的制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200980144890.0
• 申請(qǐng)日: 2009-10-02
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102210013A
• 公開(kāi)（公告）日: 2011-10-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吉田伊織;神谷廣幸
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 旭硝子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L21/304
• 分類號(hào): H01L21/304;B24B37/00;C09K3/14
• 代理公司: 中原信達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11219
• 代理人: 王海川;穆德駿

1.一種研磨用組合物，其在對(duì)隔著阻擋層設(shè)置于絕緣層上的銅層進(jìn)行研磨從而交替形成銅埋設(shè)布線和絕緣層的圖案形成中，在進(jìn)行研磨直至鄰接于所述銅層的所述阻擋層露出的工序中使用，其中

所述研磨用組合物含有：

脂環(huán)族樹(shù)脂酸，

膠體二氧化硅，其在研磨用組合物中的含量為0.1～1.5質(zhì)量％，并且平均初級(jí)粒徑為10～40nm，平均次級(jí)粒徑為30～80nm，并且平均次級(jí)粒徑×含量處于10～40的范圍內(nèi)，和

四甲基銨離子。

2.如權(quán)利要求1所述的研磨用組合物，還含有鉀離子。

3.如權(quán)利要求1或2所述的研磨用組合物，其中，四甲基銨離子在研磨用組合物中的含量以氫氧化四甲基銨換算為0.1～1.4質(zhì)量％。

4.如權(quán)利要求2或3所述的研磨用組合物，其中，鉀離子在研磨用組合物中的含量以氫氧化鉀換算為0.6質(zhì)量％以下。

5.如權(quán)利要求2～4中任一項(xiàng)所述的研磨用組合物，其中，四甲基銨離子/鉀離子的比以氫氧化四甲基銨/氫氧化鉀換算的質(zhì)量比計(jì)為0.3以上。

6.如權(quán)利要求1～5中任一項(xiàng)所述的研磨用組合物，其中，所述脂環(huán)族樹(shù)脂酸為松香。

7.如權(quán)利要求1～6中任一項(xiàng)所述的研磨用組合物，還含有氧化劑。

8.如權(quán)利要求1～7中任一項(xiàng)所述的研磨用組合物，還含有絡(luò)合物形成劑。

9.一種半導(dǎo)體集成電路裝置的制造方法，其中，

該半導(dǎo)體集成電路裝置具備具有溝槽的絕緣層和形成于該溝槽中的銅埋設(shè)布線，且

所述制造方法包括使用權(quán)利要求1～8中任一項(xiàng)所述的研磨用組合物，對(duì)在該絕緣層上依次形成有阻擋層和銅層的該半導(dǎo)體集成電路裝置用的多層結(jié)構(gòu)體進(jìn)行研磨，直至鄰接于所述銅層的所述阻擋層露出。

10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體集成電路裝置的制造方法，其中，所述阻擋層含有選自由Ta、TaN、Ti、TiN和Ru組成的組中的至少一種。

11.如權(quán)利要求9或10所述的半導(dǎo)體集成電路裝置的制造方法，其中，所述多層結(jié)構(gòu)體在所述絕緣層和所述阻擋層之間具備帽層。

12.如權(quán)利要求9～11中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體集成電路裝置的制造方法，其中，所述具有溝槽的絕緣層為二氧化硅膜或具有3以下的相對(duì)介電常數(shù)的膜。