[發(fā)明專(zhuān)利]新型可調(diào)幅度均衡器

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010586615.2
• 申請(qǐng)日: 2020-06-24
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111697994B
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-07-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 全金海;李慧超;陳普鋒;黃華
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 天津中科海高微波技術(shù)有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H04B1/40
• 分類(lèi)號(hào): H04B1/40;H04B7/005
• 代理公司: 天津市三利專(zhuān)利商標(biāo)代理有限公司 12107
• 代理人: 李文洋

本發(fā)明涉及集成電路技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種新型可調(diào)幅度均衡器，包括開(kāi)關(guān)管M1、開(kāi)關(guān)管M2、電容C1、電容C2、電感L1、電感L2、吸收電阻R1、吸收電阻R2、吸收電阻R3、吸收電阻R4、隔離電阻RR1和隔離電阻RR2。本發(fā)明采用砷化鎵單芯片的方式實(shí)現(xiàn)，滿足寬頻帶的需求，具有體積小、重量輕、穩(wěn)定性好、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單和易于與系統(tǒng)集成等特點(diǎn)。并且通過(guò)開(kāi)關(guān)管的控制在一個(gè)芯片中可以實(shí)現(xiàn)兩種均衡量的切換，便于動(dòng)態(tài)的系統(tǒng)或模塊的調(diào)控。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及集成電路技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種新型可調(diào)幅度均衡器。

背景技術(shù)

在微波射頻電路中，各種發(fā)射接收模塊、功放、毫米波功率模塊等寬帶微波器件或模塊都存在不同程度的幅度和相位不平坦，尤其經(jīng)過(guò)器件間的多級(jí)級(jí)聯(lián)，受到器件自身平坦度和駐波影響，整個(gè)帶寬內(nèi)輸出波形會(huì)受到較大影響。幅度均衡器在雷達(dá)的發(fā)射端與接收端或者各種新型功率部件中都發(fā)揮著重要作用，可以用來(lái)改善傳輸信道幅度頻率特性和相位頻率特性。

傳統(tǒng)的均衡器使用波導(dǎo)或是同軸線來(lái)構(gòu)造，適用于大功率高頻段的應(yīng)用，但重量體積較大，不利于系統(tǒng)集成。而且在寬帶接收系統(tǒng)中，幅度的平坦度特性還與動(dòng)態(tài)的設(shè)計(jì)要求密切相關(guān)，目前普遍使用的幅度均衡器都是固定均衡器方式，不具有動(dòng)態(tài)可調(diào)特性。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于克服上述技術(shù)的不足，而提供一種新型可調(diào)幅度均衡器。

本發(fā)明為實(shí)現(xiàn)上述目的，采用以下技術(shù)方案：一種新型可調(diào)幅度均衡器，包括開(kāi)關(guān)管M1、開(kāi)關(guān)管M2、電容C1、電容C2、電感L1、電感L2、吸收電阻R1、吸收電阻R2、吸收電阻R3、吸收電阻R4、隔離電阻RR1和隔離電阻RR2；其中電感L1與電容C1并聯(lián)，并聯(lián)部分一端與地相連，另一端與吸收電阻R3串連；所述吸收電阻R1與吸收電阻R2串連，中間連接點(diǎn)連接吸收電阻R3的另外一端；電感L2和電容C2串聯(lián)，電感L2與吸收電阻R1一端連接，電容C2與吸收電阻R2一端連接，電感L1、電容C1、吸收電阻R1、吸收電阻R2、吸收電阻R3、電感L2和電容C2組成典型的T型結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)單個(gè)均衡量的功能；

所述開(kāi)關(guān)管M1的漏端與吸收電阻R4的一端相連，吸收電阻R4的另一端與開(kāi)關(guān)管M2的源端相連，隔離電阻RR1和隔離電阻RR2分別連接至開(kāi)關(guān)管M1和開(kāi)關(guān)管M2的柵端，兩個(gè)隔離電阻的另一端連接在一起連接外部控制電壓，控制開(kāi)關(guān)管的通斷；開(kāi)關(guān)管M1的源端與開(kāi)關(guān)管M2的漏端與典型的T型結(jié)構(gòu)并聯(lián)，開(kāi)關(guān)管M1和M2通過(guò)外部控制電壓選通后形成橋T型均衡器，實(shí)現(xiàn)單個(gè)均衡量的功能。

優(yōu)選地，開(kāi)關(guān)管M1和M2在不同的通斷狀態(tài)下表現(xiàn)出不同的特性，通過(guò)開(kāi)關(guān)管M1和M2的通斷控制，可以實(shí)現(xiàn)兩種均衡量的切換，采用的砷化鎵單芯片形式，開(kāi)關(guān)管的控制電壓為0/-5V。

本發(fā)明的有益效果是:本發(fā)明采用砷化鎵單芯片的方式實(shí)現(xiàn)，滿足寬頻帶的需求，具有體積小、重量輕、穩(wěn)定性好、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單和易于與系統(tǒng)集成等特點(diǎn)。并且通過(guò)開(kāi)關(guān)管的控制在一個(gè)芯片中可以實(shí)現(xiàn)兩種均衡量的切換，便于動(dòng)態(tài)的進(jìn)系統(tǒng)或模塊的調(diào)控。

附圖說(shuō)明

圖1是本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是PHEMT開(kāi)關(guān)導(dǎo)通和關(guān)斷等效電路；

圖3是控制電壓0V時(shí)，均衡量5.5dB，電路實(shí)現(xiàn)結(jié)果圖；

圖4是控制電壓-5V時(shí)，均衡量8.5dB，電路實(shí)現(xiàn)結(jié)果圖。

具體實(shí)施方式