[發明專利]具有增加的感測容限的無電容器動態隨機存取存儲器單元

有效

• 申請號: 200980140911.1
• 申請日: 2009-10-08
• 公開（公告）號: CN102187459A
• 公開（公告）日: 2011-09-14
• 發明（設計）人: 錢德拉·V·穆利;古爾特杰·S·桑胡
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108;H01L21/8242
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 宋獻濤

1.一種存儲器裝置(200)，其包含：

部分耗盡型存儲晶體管(102)，其位于襯底的表面處，所述部分耗盡型存儲晶體管包含：

主體部分(217)，其位于第一源極/漏極區(230)與第二源極/漏極區(235)之間，所述主體部分(217)包括第二傳導性類型的重摻雜區(236)，所述重摻雜區鄰近于所述第二源極/漏極區(235)并與所述第一源極/漏極區(230)分離且具有位于其中的納米粒子(236′)或納米夾雜物(236′)中的一者，所述第一源極/漏極區(230)及第二源極/漏極區(235)包含：

第一傳導性類型的區及柵極結構(220)，所述柵極結構(220)在至少兩個空間平面中至少部分地環繞主體部分；

位線(296)，其連接到所述第一源極/漏極區(230)；及

字線(298)，其連接到所述柵極結構(220)。

2.根據權利要求1所述的存儲器裝置(200)，其中所述納米粒子(236′)包含二氧化硅、鉺(Er)、鐠(Pr)或銩(Tm)、鑭系元素中的元素或其任一組合。

3.根據權利要求1所述的存儲器裝置(200)，其中所述襯底為上覆第一傳導性類型的半導體層的第二傳導性類型的半導體層。

4.根據權利要求1所述的存儲器裝置(200)，其中所述存儲晶體管為FinFET(201)。

5.根據權利要求1所述的存儲器裝置(200)，其中所述柵極結構(220)包含柵極電極，且其中所述柵極電極包含來自由P+多晶硅、N+多晶硅、P+Si_xGe_1-x、N+Si_xGe_1-x、Ti、TaN、WN及W組成的群組的材料。

6.根據權利要求1所述的存儲器裝置(200)，其中所述主體部分(217)含有以惰性離子重摻雜的惰性摻雜劑區，所述惰性摻雜劑區鄰近于所述第一源極/漏極區(230)且與所述第二源極/漏極區(235)分離。

7.根據權利要求1所述的存儲器裝置(200)，其中所述惰性摻雜劑區具有在大約5e12原子/cm²到大約1e16原子/cm²的范圍內的摻雜劑劑量。

8.根據權利要求1所述的存儲器裝置(200)，其中所述存儲晶體管(102)進一步包含在所述柵極結構(220)與所述主體部分(217)之間的絕緣層(225)，且其中所述主體部分(217)的頂表面上的所述絕緣層(225)的厚度大于所述主體部分(217)的側壁上的所述絕緣層(225)的厚度。

9.根據權利要求1所述的存儲器裝置(200)，其中所述存儲晶體管(102)進一步包含在所述第二源極/漏極區(235)與所述主體部分(217)之間的比在所述主體部分(217)與所述第一源極/漏極區(230)之間的肖特基勢壘高的肖特基勢壘。

10.根據權利要求9所述的存儲器裝置(200)，其中所述存儲晶體管(102)進一步包含與所述第二源極/漏極區(235)接觸的硅化物層(245)。

11.根據權利要求9所述的存儲器裝置(200)，其中所述存儲晶體管(102)進一步包含與所述第一源極/漏極區(230)接觸的硅化物層(240)。

12.根據權利要求1所述的存儲器裝置(200)，其中所述第一(230)及第二(235)源極/漏極區經升高以使得所述第一(230)及第二(235)源極/漏極區與所述柵極結構(220)在所述主體部分(217)的側壁上的部分共享相同的水平空間平面。

13.根據權利要求1所述的存儲器裝置(200)，其中所述第一(230)及第二(235)源極/漏極區各自包括多個層，且其中所述多個層包含至少一個第一材料層及至少一個第二材料層。

14.根據權利要求13所述的存儲器裝置(200)，其中所述第一及第二材料具有不同帶隙。