[發明專利]用于制造半導體器件的方法

有效

• 申請號: 200980138116.9
• 申請日: 2009-09-17
• 公開（公告）號: CN102165578A
• 公開（公告）日: 2011-08-24
• 發明（設計）人: 熱海知昭
• 申請（專利權）人: 株式會社半導體能源研究所
• 主分類號: H01L21/82
• 分類號: H01L21/82;G06F17/50;H01L21/822;H01L27/04
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 朱海煜;王忠忠

1.一種用于制造具有包括第一至第n級的多級分頻電路的半導體器件的方法，所述多級分頻電路通過將第一信號輸入到所述多級分頻電路中而將所述第一信號轉換成具有比所述第一信號更低頻率的第二信號，其中所述第一至第n級電連接成使得前級分頻電路的輸出變成下一級分頻電路的輸入，

其中對應于所述前級分頻電路的基本單元和對應于所述下一級分頻電路的基本單元布局成使得所述前級分頻電路的接線的寄生電容或電連接到所述前級分頻電路的接線的寄生電容小于所述下一級分頻電路的接線的寄生電容或電連接到所述下一級分頻電路的接線的寄生電容。

2.一種用于制造具有包括第一至第n級的多級分頻電路的半導體器件的方法，所述多級分頻電路通過將第一信號輸入到所述多級分頻電路中而將所述第一信號轉換成具有比所述第一信號更低頻率的第二信號，其中所述第一至第n級電連接成使得前級分頻電路的輸出變成下一級分頻電路的輸入，

其中對應于所述前級分頻電路的基本單元和對應于所述下一級分頻電路的基本單元布局成使得所述前級分頻電路的接線的寄生電阻或電連接到所述前級分頻電路的接線的寄生電阻小于所述下一級分頻電路的接線的寄生電阻或電連接到所述下一級分頻電路的接線的寄生電阻。

3.一種用于制造具有包括第一至第n級的多級分頻電路的半導體器件的方法，所述多級分頻電路通過將第一信號輸入到所述多級分頻電路中而將所述第一信號轉換成具有比所述第一信號更低頻率的第二信號，其中所述第一至第n級電連接成使得前級分頻電路的輸出變成下一級分頻電路的輸入，

其中對應于所述前級分頻電路的基本單元和對應于所述下一級分頻電路的基本單元布局成使得所述前級分頻電路的接線的接線長度或電連接到所述前級分頻電路的接線的接線長度短于所述下一級分頻電路的接線的接線長度或電連接到所述下一級分頻電路的接線的接線長度。

4.一種用于制造具有包括第一至第n級的多級分頻電路的半導體器件的方法，所述多級分頻電路通過將第一信號輸入到所述多級分頻電路中而將所述第一信號轉換成具有比所述第一信號更低頻率的第二信號，其中所述第一至第n級電連接成使得前級分頻電路的輸出變成下一級分頻電路的輸入，

其中對應于所述前級分頻電路的基本單元和對應于所述下一級分頻電路的基本單元布局成使得所述前級分頻電路的接線或電連接到所述前級分頻電路的接線與另一條接線交叉的次數小于所述下一級分頻電路的接線或電連接到所述下一級分頻電路的接線與另一條接線交叉的次數。

5.一種用于制造具有包括第一至第n級的多級分頻電路的半導體器件的方法，所述多級分頻電路通過將第一信號輸入到所述多級分頻電路中而將所述第一信號轉換成具有比所述第一信號更低頻率的第二信號，其中所述第一至第n級互相電連接成使得第i(i是從1到n-1的自然數)級分頻電路的輸出變成第(i+1)級分頻電路的輸入，

其中對應于第一級分頻電路的基本單元和對應于第二級分頻電路至第n級分頻電路的基本單元布局成使得所述第一級分頻電路的接線的寄生電容或電連接到所述第一級分頻電路的接線的寄生電容小于所述第二級分頻電路至第n級分頻電路的接線的寄生電容或電連接到所述第二級分頻電路至第n級分頻電路的接線的寄生電容。

6.一種用于制造具有包括第一至第n級的多級分頻電路的半導體器件的方法，所述多級分頻電路通過將第一信號輸入到所述多級分頻電路中而將所述第一信號轉換成具有比所述第一信號更低頻率的第二信號，其中所述第一至第n級互相電連接成使得第i(i是從1到n-1的自然數)級分頻電路的輸出變成第(i+1)級分頻電路的輸入，

其中對應于第一級分頻電路的基本單元和對應于第二級分頻電路至第n級分頻電路的基本單元布局成使得所述第一級分頻電路的接線或電連接到所述第一級分頻電路的接線的寄生電阻小于所述第二級分頻電路至第n級分頻電路的接線的寄生電阻或電連接到所述第二級分頻電路至第n級分頻電路的接線的寄生電阻。