[發(fā)明專利]應(yīng)用電極聚能器干燥陶瓷生坯的方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200980137999.1
• 申請日: 2009-08-14
• 公開（公告）號: CN102159369A
• 公開（公告）日: 2011-08-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: R·A·塞沃尼;J·A·費(fèi)爾德曼;M·Y·布龍科
• 申請（專利權(quán)）人: 康寧股份有限公司
• 主分類號: B28B11/24
• 分類號: B28B11/24;F26B3/347
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 張靜

1.一種對具有相對末端部分和其間的中央部分并且包含初始液體含量的液體的陶瓷生坯的坯塊進(jìn)行干燥的方法，所述方法包括：

將坯塊暴露在第一頻率的電磁輻射中使所述末端部分比所述中央部分受熱更多；然后

將坯塊暴露在不同于第一頻率的第二頻率的電磁輻射中使所述中央部分比所述末端部分受熱更多。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中：

電磁輻射的第一頻率包括范圍從大約900兆赫至大約2500兆赫的微波輻射頻率；以及

電磁輻射的第二頻率包括范圍從大約27兆赫至大約35兆赫的射頻。

3.如權(quán)利要求2所述的方法，其中所述將坯塊暴露于第二頻率的電磁輻射中進(jìn)一步包括：

采用具有U形、V形或矩形剖面的電極聚能器，使第二頻率的電磁輻射與末端部分相比更多集中在坯塊的中央部分。

4.如權(quán)利要求2所述的方法，其中所述將坯塊暴露于第二頻率的電磁輻射中進(jìn)一步包括：

提供位于坯塊上方的電極系統(tǒng)，其具有長度、鄰近坯塊的鄰接表面和圍繞中央部分的末端部分，當(dāng)所述坯塊被傳送通過所述電極系統(tǒng)時(shí)，所述電極系統(tǒng)中央部分比所述電極末端部位更接近坯塊。

5.如權(quán)利要求4所述的方法，進(jìn)一步包括：

提供具有中央?yún)^(qū)段的主平板電極；和

在所述主電極上固定沿所述電極中央?yún)^(qū)段縱向延伸的具有圓柱狀凸出部分的至少一塊金屬板。

6.如權(quán)利要求5所述方法，其中，所述至少一塊金屬板由鋁構(gòu)成。

7.一種對具有相對末端部分和其間的中央部分并且包含初始液體含量的液體的陶瓷生坯的坯塊進(jìn)行干燥的方法，所述方法包括：

部分干燥所述坯塊，使得所述末端部分比所述中央部分更干燥；和

通過將所述坯塊傳送通過電極系統(tǒng)用電極系統(tǒng)產(chǎn)生的射頻(RF)輻射進(jìn)一步干燥所述坯塊，所述電極系統(tǒng)的中央?yún)^(qū)段被配置成當(dāng)所述坯塊被傳送通過所述電極系統(tǒng)時(shí)與所述坯塊的兩端相比能夠?qū)⒏郣F輻射集中到所述坯塊的所述中央部分。

8.如權(quán)利要求7所述的方法，其中，所述電極系統(tǒng)具有縱軸，所述方法進(jìn)一步包括：

在平板電極上固定沿所述電極系統(tǒng)縱軸方向延伸的具有圓柱狀凸出表面部分的至少一塊板形成所述中央部分。

9.如權(quán)利要求7所述的方法，其中，所述部分干燥坯塊包括使所述坯塊處于頻率范圍從大約900兆赫至大約2500兆赫的微波輻射中。

10.如權(quán)利要求7所述的方法，其中，所述部分干燥坯塊包括使所述坯塊處于頻率范圍為從大約27MHz兆赫至大約35兆赫的射頻(RF)輻射中。

11.如權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述用于進(jìn)一步干燥坯塊的射頻輻射的頻率范圍為從大約27MHz至大約35兆赫。

12.一種對具有相對末端部分和其間的中央部分并且包含初始液體含量的液體的陶瓷生坯的坯塊進(jìn)行干燥的方法，所述方法包括：

將所述坯塊暴露在第一頻率的電磁輻射中使至少一個(gè)末端部分加熱達(dá)到大于所述中央部分中第一中央溫度的第一末端溫度；然后

將所述坯塊暴露在不同于第一頻率的第二頻率的電磁輻射中使所述中央部分加熱達(dá)到大于所述第一中央溫度的第二中央溫度。

13.如權(quán)利要求12所述的方法，其中，所述第二中央溫度比所述第一中央溫度高40℃以上。

14.如權(quán)利要求2所述的方法，其中，所述將坯塊暴露在第二頻率的電磁輻射中進(jìn)一步包括：

使用有U形、V形或矩形剖面的電極聚能器，使第二頻率的電磁輻射與所述末端部分相比更多集中在所述坯塊的中央部分。

15.一種對具有相對末端部分和其間的中央部分并且包含初始含水量的水的陶瓷生坯的坯塊進(jìn)行干燥的方法，所述方法包括：

將所述坯塊暴露在第一電磁輻射中以從坯塊的相對末端部分除去比坯塊中央部分更多的第一部分水分；且

將所述坯塊暴露在第二電磁輻射中以從坯塊的中央部分除去比坯塊相對末端部分更多的第二部分水分。

16.如權(quán)利要求15所述的方法，其中，所述第一電磁輻射為第一頻率，第二電磁輻射為不同于第一頻率的第二頻率。