[發明專利]光譜純度濾光片、光刻設備以及用于制造光譜純度濾光片的方法

有效

• 申請號: 200980137614.1
• 申請日: 2009-08-26
• 公開（公告）號: CN102165372A
• 公開（公告）日: 2011-08-24
• 發明（設計）人: W·A·索爾;A·M·雅庫尼恩;M·J·J·杰克;D·馬修;H·J·凱特拉里基;F·C·范登荷尤維爾;P·E·M·庫基皮爾斯
• 申請（專利權）人: ASML荷蘭有限公司;皇家飛利浦電子股份有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;G02B5/20;G21K1/06
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 王波波

1.一種透射光譜純度濾光片，配置成透射極紫外輻射，所述光譜純度濾光片包括濾光片部分，所述濾光片部分具有配置成透射極紫外輻射并抑制第二類型輻射的透射的多個孔，其中每個孔通過各向異性蝕刻工藝制造。

2.根據權利要求1所述的濾光片，其中，所述濾光片部分的厚度小于20μm。

3.根據權利要求1所述的濾光片，其中，每個孔通過有織紋結構的側壁限定。

4.根據權利要求1所述的濾光片，其中，所述濾光片部分選自以下組中的一個或多個：半導體部分、晶體半導體部分、摻雜半導體部分、涂覆后的半導體部分以及至少部分地改變后的半導體部分。

5.根據權利要求1所述的濾光片，其中，所述孔具有大約3μm到大約6μm范圍內的周期。

6.一種透射光譜純度濾光片，所述光譜純度濾光片包括濾光片部分，所述濾光片部分包括聚酰亞胺，所述濾光片部分具有配置成透射極紫外輻射并抑制第二類型輻射的透射的多個孔。

7.根據權利要求6所述的透射光譜純度濾光片，其中，所述孔中每一個通過側壁限定，其中在所述濾光片部分的頂部表面和每個側壁的至少一部分上設置金屬層或反射層。

8.一種光刻設備，包括：

輻射源，配置成產生包括極紫外輻射的輻射；

照射裝置，配置成將輻射調節成輻射束；

支撐結構，配置成支撐圖案形成裝置，所述圖案形成裝置配置成圖案化所述輻射束；

投影系統，配置成將圖案化輻射束投影到目標材料上；和

根據權利要求1或6所述的透射光譜純度濾光片。

9.一種用于制造透射光譜純度濾光片的方法，所述透射光譜純度濾光片配置成透射極紫外輻射，所述方法包括步驟：

使用各向異性蝕刻工藝在襯底內蝕刻多個孔。

10.根據權利要求9所述的方法，其中，所述蝕刻步驟形成限定所述孔的有織紋結構的側壁。

11.根據權利要求9所述的方法，還包括在襯底的頂部沉積金屬或反射層和在每個側壁的至少一部分上沉積所述金屬或反射層。

12.根據權利要求9所述的方法，還包括步驟：

提供具有蝕刻停止層的半導體襯底；和

使用各向異性蝕刻工藝以蝕刻穿過所述半導體襯底，使得所述孔到達所述蝕刻停止層。

13.根據權利要求12所述的方法，還包括在已經在襯底內形成所述孔之后去除所述蝕刻停止層。

14.根據權利要求12或13所述的方法，其中，所述蝕刻停止層設置在所述半導體襯底內，與兩個襯底外表面間隔開。

15.一種用于制造透射光譜純度濾光片的方法，所述方法包括步驟：

用激光器微加工聚酰亞胺襯底以形成多個孔，

其中所述微加工步驟形成限定孔的基本上垂直的側壁。