[發明專利]壓電振動元件及使用它的振蕩電路

無效

• 申請號: 200980136974.X
• 申請日: 2009-08-31
• 公開（公告）號: CN102160279A
• 公開（公告）日: 2011-08-17
• 發明（設計）人: 相馬弘之;福地盛吾;清水敏志
• 申請（專利權）人: 精工電子有限公司
• 主分類號: H03B5/32
• 分類號: H03B5/32;H01L41/09;H03H9/02
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 何欣亭;王忠忠

1.一種壓電振動器，是與在集成電路上形成的振蕩電路連接而使用的壓電振動元件，其特征在于：

所述壓電振動元件，

具有和所述集成電路的振蕩電路形成的雜散電容Cs大致同等的負載電容CL或比所述雜散電容Cs大既定的電容量的負載電容CL；

使用電容元件，使所述壓電振動元件的負載電容CL和該壓電振動元件連接的振蕩電路側的負載電容匹配。

2.如權利要求1所述的壓電振動器，其特征在于：

所述振蕩電路所具有的雜散電容Cs，是大約1pF～大約4pF；

所述負載電容CL，是大約3pF～大約5pF。

3.一種振蕩電路，具有在集成電路上形成的CMOS半導體電路和與該CMOS半導體電路連接的壓電振動器，其特征在于：

所述壓電振動器，具有和所述CMOS半導體電路形成的雜散電容Cs大致同等的負載電容CL或比所述雜散電容Cs大既定的電容量的負載電容CL，并且

具備用于使所述壓電振動元件的負載電容CL和該壓電振動元件連接的CMOS半導體電路側的負載電容匹配的電容元件。

4.如權利要求3所述的振蕩電路，其特征在于：

由所述CMOS半導體電路形成的雜散電容Cs，是大約1pF～大約4pF；

所述負載電容CL，是大約3pF～大約5pF。

5.如權利要求3或4所述的振蕩電路，其特征在于：

所述CMOS半導體電路用CMOS反相器構成，具有在所述CMOS反相器的輸入/輸出端子之間連接的壓電振動器、在所述CMOS反相器的輸入端子和接地電位Vss之間連接的第1電容元件Cg、和在所述CMOS反相器的輸出端子與接地電位Vss之間連接的第2電容元件Cd，并且

選定所述第1電容元件Cg和所述第2電容元件Cd的電容，以使所述壓電振動器的負載電容CL滿足

CL＝Cs+Cg×Cd/(Cg+Cd)

的關系式。