[發明專利]具有無源柵極的晶體管及其制造方法

有效

• 申請號: 200980136187.5
• 申請日: 2009-08-21
• 公開（公告）號: CN102160158A
• 公開（公告）日: 2011-08-17
• 發明（設計）人: 沃納·云林
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/78
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 宋獻濤

1.一種裝置，其包含：

晶體管，其包含：

源極；

漏極；

溝道區，其在所述源極與所述漏極之間延伸；

柵極，其接近所述溝道區安置；及

導電部件，其在所述溝道區對面與所述柵極相對地安置，其中所述導電部件不重疊所述源極、所述漏極或所述源極與所述漏極兩者。

2.根據權利要求1所述的裝置，其中所述導電部件不重疊所述源極或所述漏極。

3.根據權利要求1所述的裝置，其中所述源極及所述漏極大體安置在所述溝道上面。

4.根據權利要求3所述的裝置，其中所述導電部件在所述源極與所述漏極下面留有空間。

5.根據權利要求1所述的裝置，其中所述導電部件通過電介質與所述溝道隔離。

6.根據權利要求1所述的裝置，其中所述晶體管包含：

從襯底大體垂直升起的第一支腿；及

從所述襯底大體垂直升起的第二支腿。

7.根據權利要求6所述的裝置，其中所述源極接近所述第一支腿的遠端部分安置且所述漏極接近所述第二支腿的遠端部分安置。

8.根據權利要求1所述的裝置，其中所述導電部件及所述柵極由晶體管行共享。

9.根據權利要求8所述的裝置，其中所述導電部件耦合到由其它晶體管行共享的其它導電部件。

10.根據權利要求8所述的裝置，其中所述柵極不耦合到由其它晶體管行共享的柵極。

11.一種方法，其包含：

在半導電材料中形成上部經摻雜區；

由所述半導電材料形成部件，其中所述部件從襯底大體垂直升起；

接近所述部件形成有源柵極；及

接近所述部件形成無源柵極，其中所述無源柵極安置在所述上部經摻雜區下面。

12.根據權利要求11所述的方法，其中形成所述部件包含形成鰭。

13.根據權利要求12所述的方法，其中形成所述鰭包含形成一對支腿。

14.根據權利要求11所述的方法，其中由在此相同步驟或若干相同步驟期間沉積的相同材料或若干相同材料形成所述有源柵極及所述無源柵極。

15.根據權利要求11所述的方法，其中形成所述部件包含：

在所述部件的一側上形成第一溝槽；

在所述第一溝槽上方形成第一掩模；及

在所述部件的相對側上形成第二溝槽，其中所述第二溝槽比所述第一溝槽深。

16.根據權利要求15所述的方法，其中形成所述無源柵極包含：

在所述有源柵極及所述第一溝槽上方形成第二掩模；及

使所述無源柵極凹入到所述上部經摻雜區下面。

17.根據權利要求16所述的方法，其中在使所述無源柵極凹入時接近所述第二溝槽的底部安置所述第二掩模的一部分。

18.根據權利要求11所述的方法，其中形成所述無源柵極包含：

形成覆蓋所述有源柵極的掩模；及

蝕刻所述無源柵極。

19.根據權利要求11所述的方法，其中在所述部件的第二側之前形成所述部件的第一側。

20.根據權利要求19所述的方法，其中在形成所述部件的所述第二側之前接近所述部件的所述第一側形成所述無源柵極。

21.根據權利要求19所述的方法，其中在所述有源柵極之前形成所述無源柵極。

22.一種裝置，其包含：

晶體管陣列，所述陣列包含：

多個晶體管行，每一行包含：

多個鰭，其具有經摻雜遠端部分；

第一柵極，其沿所述多個鰭的第一側延伸；及

第二柵極，其沿所述多個鰭的第二側延伸，其中所述第二柵極不重疊所述經摻雜遠端部分。

23.根據權利要求22所述的裝置，其中所述多個鰭中的每一鰭包含兩個支腿。

24.根據權利要求22所述的裝置，其中所述第一柵極不重疊所述經摻雜遠端部分。