[發(fā)明專利]EUVL用光學部件的平滑化方法及光學面平滑化后的EUVL用光學部件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200980135762.X
• 申請日: 2009-08-19
• 公開（公告）號: CN102150218A
• 公開（公告）日: 2011-08-10
• 發(fā)明（設計）人: 小野元司;渡邊滿;橫山美華
• 申請（專利權(quán)）人: 旭硝子株式會社
• 主分類號: G21K1/06
• 分類號: G21K1/06;C03C23/00;G03F7/20;H01L21/027
• 代理公司: 中原信達知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司 11219
• 代理人: 高培培;車文

1.一種將EUVL用光學部件的光學面平滑化的方法，其特征在于，

對含有TiO₂且以SiO₂為主成分的石英玻璃材料制的EUV光刻(EUVL)用光學部件的具有凹陷缺陷點的光學面，在水蒸氣分壓3.6mmHg以下的氣氛中，以能量密度0.3～1.5J/cm²，照射以EUVL用光學部件的吸收系數(shù)為0.01μm^-1以上的波長進行振蕩的激光。

2.如權(quán)利要求1所述的將EUVL用光學部件的光學面平滑化的方法，其中，

對具有深度超過2nm的凹陷缺陷點的EUVL用光學部件的光學面，在水蒸氣分壓3.6mmHg以下的氣氛中，以能量密度0.3～1.5J/cm²，照射以EUVL用光學部件的吸收系數(shù)為0.01μm^-1以上的波長進行振蕩的激光，制成激光照射后的光學面上不存在深度超過2nm的凹陷缺陷點的光學部件。

3.如權(quán)利要求1或2所述的將EUVL用光學部件的光學面平滑化的方法，其中，

水蒸氣分壓3.6mmHg以下的氣氛為10^-1Pa以下的真空、純度90％以上的氮氣氣氛、或水蒸氣分壓為3.6mmHg以下的干燥空氣。

4.一種將EUVL用光學部件的光學面平滑化的方法，其特征在于，

對含有TiO₂且以SiO₂為主成分的石英玻璃材料制的EUV光刻(EUVL)用光學部件的具有凹陷缺陷點的光學面，邊向光學面上的激光照射部噴吹水蒸氣分壓3.6mmHg以下的氣體，邊以能量密度0.3～1.5J/cm²照射以EUVL用光學部件的吸收系數(shù)為0.01μm^-1以上的波長進行振蕩的激光。

5.如權(quán)利要求4所述的將EUVL用光學部件的光學面平滑化的方法，其中，

對具有深度超過2nm的凹陷缺陷點的EUVL用光學部件的光學面，邊向光學面上的激光照射部噴吹水蒸氣分壓3.6mmHg以下的氣體，邊以能量密度0.3～1.5J/cm²照射以EUVL用光學部件的吸收系數(shù)為0.01μm^-1以上的波長進行振蕩的激光，制成激光照射后的光學面上不存在深度超過2nm的凹陷缺陷點的光學部件。

6.如權(quán)利要求4或5所述的將EUVL用光學部件的光學面平滑化的方法，其中，

水蒸氣分壓3.6mmHg以下的氣體為純度90％以上的氮氣、或水蒸氣分壓為3.6mmHg以下的干燥空氣。

7.如權(quán)利要求1～6中任一項所述的將EUVL用光學部件的光學面平滑化的方法，其中，

使激光照射前后的光學部件的平面度的變化量為300nm以下。

8.如權(quán)利要求1～7中任一項所述的將EUVL用光學部件的光學面平滑化的方法，其中，

使激光照射后的光學面的表面粗糙度(RMS)為0.15nm以下。

9.如權(quán)利要求1～8中任一項所述的將EUVL用光學部件的光學面平滑化的方法，其中，

上述激光為波長250nm以下的準分子激光或二氧化碳激光。

10.如權(quán)利要求1～9中任一項所述的將EUVL用光學部件的光學面平滑化的方法，其中，

上述激光的脈沖寬度為100μsec以下。

11.如權(quán)利要求1～10中任一項所述的將EUVL用光學部件的光學面平滑化的方法，其中，

以各照射部位的照射次數(shù)為10以上的方式向上述光學面照射上述激光。

12.如權(quán)利要求1～11中任一項所述的將EUVL用光學部件的光學面平滑化的方法，其中，

使所述激光形成線光束而照射于所述光學面，使該線光束在該光學面上進行掃描、或使上述光學面相對于該線光束進行掃描。

13.如權(quán)利要求1～12中任一項所述的將EUVL用光學部件的光學面平滑化的方法，其中，

還對上述光學面的背面，以能量密度0.3～1.5J/cm²照射以EUVL用光學部件的吸收系數(shù)為0.01μm^-1以上的波長進行振蕩的激光。