[發(fā)明專利]電子元件以及其制造方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200980135673.5
• 申請(qǐng)日: 2009-07-15
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102150264A
• 公開(kāi)（公告）日: 2011-08-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: R·菲克斯;D·孔茨;A·克勞斯;A·馬丁
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 羅伯特·博世有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/532
• 分類號(hào): H01L23/532;H01L21/316;H01L21/768
• 代理公司: 中國(guó)專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 李少丹;李家麟

1.電子元件，包含有在襯底（3）上的、由導(dǎo)電材料（9）構(gòu)成的至少一個(gè)結(jié)構(gòu)化層（15），其特征在于，在由該導(dǎo)電材料（9）所構(gòu)成的該結(jié)構(gòu)化層（15）上施加有由第二材料（11）所構(gòu)成的保護(hù)層（17），其中該第二材料（11）比該結(jié)構(gòu)化層（15）的導(dǎo)電材料（9）賤。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子元件，其特征在于，該導(dǎo)電材料（9）從鋁、金和鉑的集合中來(lái)選擇。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電子元件，其特征在于，比該結(jié)構(gòu)化層（15）的導(dǎo)電材料（9）賤的材料（11）從鎂、鋅、鋁、鈦和其混合物以及其氧化物的集合中來(lái)選擇。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3之一所述的電子元件，其特征在于，在由該導(dǎo)電材料（9）所構(gòu)成的該結(jié)構(gòu)化層（15）與該襯底（3）之間包含有一種附著劑（5）。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4之一所述的電子元件，其特征在于，該襯底（3）包含有半導(dǎo)體材料。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至6之一所述的電子元件，其特征在于，由該導(dǎo)電材料（9）所構(gòu)成的該結(jié)構(gòu)化層（15）具有在從0.1至5μm范圍內(nèi)的層厚度。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至6之一所述的電子元件，其特征在于，由該第二材料（11）所構(gòu)成的該保護(hù)層（17）具有在從10nm至100μm范圍內(nèi)的層厚度。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至7之一所述的電子元件，其特征在于，該電子元件的表面覆蓋有鈍化層。

9.用于制造根據(jù)權(quán)利要求1至8之一所述的電子元件（1）的方法，包含有以下的步驟：

(a)將由導(dǎo)電材料（9）構(gòu)成的結(jié)構(gòu)化層（15）施加到襯底（3）上，

(b)將由第二材料（11）構(gòu)成的保護(hù)層（17）施加到該結(jié)構(gòu)化層（15）上，其中該第二材料比該結(jié)構(gòu)化層（15）的導(dǎo)電材料（9）賤。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，該保護(hù)層（17）通過(guò)汽相滲鍍、濺射或者電化學(xué)沉積而被施加到該結(jié)構(gòu)化層（15）上。

11.根據(jù)權(quán)利要求9或10所述的方法，其特征在于，該保護(hù)層（17）的材料（11）在步驟（b）中進(jìn)行施加之后被氧化。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，通過(guò)把該電子元件（1）在氧化性氣氛中加熱到在從100至600℃范圍中的溫度來(lái)進(jìn)行該保護(hù)層（17）的材料（11）的氧化。

13.根據(jù)權(quán)利要求9或10所述的方法，其特征在于，在步驟（b）中在該結(jié)構(gòu)化層（15）上施加該保護(hù)層之后，在整個(gè)電子元件的表面上施加鈍化層。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，在施加該鈍化層之前，把該電子元件首先在保護(hù)氣體氣氛中加熱到在從50℃至650℃范圍中的溫度，并接著在空氣的存在下加熱到從50℃至650℃范圍中的溫度。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于，該保護(hù)氣體是氬或氮或氬和氮的混合物。