[發明專利]氧化物薄膜用濺射靶及其制造方法

有效

• 申請號: 200980129196.1
• 申請日: 2009-06-05
• 公開（公告）號: CN102105619A
• 公開（公告）日: 2011-06-22
• 發明（設計）人: 川島浩和;矢野公規;宇都野太;井上一吉
• 申請（專利權）人: 出光興產株式會社
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34;C04B35/00;H01L21/363
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 翟赟琪

1.一種燒結體，其是具有方鐵錳礦結構的含有氧化銦、氧化鎵、氧化鋅的氧化物燒結體，其中，銦(In)、鎵(Ga)及鋅(Zn)的組成量以原子％計滿足下式，

In/(In+Ga+Zn)＜0.75。

2.根據權利要求1所述的氧化物燒結體，其特征在于，銦(In)、鎵(Ga)及鋅(Zn)的組成量以原子％計滿足下式，

0.10＜Ga/(In+Ga+Zn)＜0.49。

3.根據權利要求1或2所述的氧化物燒結體，其特征在于，銦(In)、鎵(Ga)及鋅(Zn)的組成量以原子％計滿足下式，

0.05＜Zn/(In+Ga+Zn)＜0.65。

4.一種氧化物燒結體，其含有具有方鐵錳礦結構的氧化銦和以組成式In₂Ga₂ZnO₇表示的Yb₂Fe₃O₇結構化合物。

5.根據權利要求4所述的氧化物燒結體，其中，所述氧化物燒結體中的銦(In)、鎵(Ga)及鋅(Zn)的組成量以原子％計滿足下式，

0.5＜In/(In+Ga)＜0.98、0.6＜Ga/(Ga+Zn)＜0.99。

6.根據權利要求4或5所述的氧化物燒結體，其中，所述氧化銦與所述In₂Ga₂ZnO₇的In的一部份被正四價以上的金屬元素(X)固溶取代。

7.一種氧化物燒結體，其中，含有具有方鐵錳礦結構的氧化銦、以及以InGaO₃(ZnO)_m表示的1或2種以上的同系結構化合物，其中，m是1～4的自然數。

8.根據權利要求7所述的氧化物燒結體，其中，所述氧化物燒結體中的銦(In)、鎵(Ga)及鋅(Zn)的組成量以原子％計滿足下式，

0.5＜In/(In+Ga)＜0.99、0.2＜Zn/(In+Ga+Zn)＜0.7。

9.根據權利要求7或8所述的氧化物燒結體，其中，所述氧化銦、或所述1或2種以上的同系結構化合物中的In的一部份被正四價以上的金屬元素固溶取代。

10.一種氧化物燒結體，其特征在于，除氧之外的全部原子的原子數為100原子％時，含有In(銦)24～49原子％，且具有稀土氧化物C型的結晶結構。

11.根據權利要求10所述的氧化物燒結體，其特征在于，除氧之外的全部原子的原子數為100原子％時，含有In(銦)24～49原子％、含有Ga(鎵)10～49原子％、含有Zn(鋅)5～65原子％，且具有稀土氧化物C型的結晶結構。

12.根據權利要求10或11所述的氧化物燒結體，其中，構成稀土氧化物C型的結晶結構的In的一部份被正四價以上的金屬元素固溶取代。

13.根據權利要求10～12中任一項所述的氧化物燒結體，其特征在于，具有平均結晶粒徑為20μm以下的稀土氧化物C型的結晶結構。

14.根據權利要求1～13中任一項所述的氧化物燒結體，其相對密度為80％以上。

15.根據權利要求1～13中任一項所述的氧化物燒結體，其相對密度為90％以上。

16.根據權利要求1～15中任一項所述的氧化物燒結體，其特征在于，體電阻在0.1～100mΩ·cm的范圍內。

17.根據權利要求1～15中任一項所述的氧化物燒結體，其體電阻為1×10^-2Ωcm以下。

18.根據權利要求1～17中任一項所述的氧化物燒結體，其特征在于，晶格常數

19.根據權利要求6、9、12～18中任一項所述的氧化物燒結體，其特征在于，除氧之外的全部原子的原子數為100原子％時，含有正四價以上的金屬元素10～10000ppm。