[發明專利]具有場板的LDMOS

有效

• 申請號: 200980128532.0
• 申請日: 2009-07-20
• 公開（公告）號: CN102099920A
• 公開（公告）日: 2011-06-15
• 發明（設計）人: 約翰內斯·A·M·德波特;亨克·J·普舍爾;保羅·布朗;斯蒂芬·J·C·H·首文
• 申請（專利權）人: NXP股份有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/40;H01L29/417
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 王波波

1.一種橫向擴散金屬氧化物半導體晶體管，用于射頻功率放大器的，包括漏極指狀物，所述漏極指狀物包括一個或多個金屬互連層的疊層，其中一個或多個金屬互連層的疊層中的金屬互連層與所述襯底上的漏極區相連，其特征在于所述漏極指狀物的尖端包括場板，所述場板適用于減小所述漏極和所述襯底之間電場的最大幅度。

2.根據權利要求1所述的橫向擴散金屬氧化物半導體晶體管，其中所述場板包括平面金屬護罩。

3.根據權利要求2所述的橫向擴散金屬氧化物半導體晶體管，其中所述平面金屬護罩位于在所述漏極指狀物中所包括的一個或多個金屬互連層的疊層中所包括的金屬互連層上。

4.根據權利要求2或3所述的橫向擴散金屬氧化物半導體晶體管，其中所述一個或多個金屬互連層的所述疊層是兩個或多個金屬互連層的蘑菇狀疊層，并且在所述漏極指狀物中所包括的兩個或多個金屬互連層的疊層中所包括的最上面金屬互連層在所述平面金屬護罩上延伸。

5.根據任一前述權利要求所述的橫向擴散金屬氧化物半導體晶體管，其中所述場板包括在所述漏極指狀物的尖端處的圓邊緣。

6.根據權利要求5所述的橫向擴散金屬氧化物半導體晶體管，其中所述場板的尖端包括在所述漏極指狀物的尖端處的水滴形水平凸起部分。

7.根據任一前述權利要求所述的橫向擴散金屬氧化物半導體晶體管，所述漏極指狀物的尖端包括第二場板，所述第二場板適用于減小所述漏極和所述襯底之間的電場的最大值。

8.根據權利要求7所述的橫向擴散金屬氧化物半導體晶體管，其中所述第二場板與所述漏極指狀物的尖端附近的漏極區相隔離。

9.根據權利要求7或8所述的橫向擴散金屬氧化物半導體晶體管，其中所述第二場板包括第二平面金屬。

10.根據權利要求9所述的橫向擴散金屬氧化物半導體晶體管，其中所述第二平面金屬護罩設置在所述漏極指狀物中所包括的金屬互連層 的疊層的最下面金屬互連層和外延層之間，并且通過氧化層與所述最下面金屬互連層分離。

11.根據權利要求7至10中任一項所述的橫向擴散金屬氧化物半導體晶體管，其中所述第二場板包含鎢。

12.一種功率放大器，包括根據權利要求1-11中任一項所述的橫向擴散金屬氧化物半導體晶體管。

13.一種基站，用于個人通信系統、雷達系統、或者廣播系統，包括根據權利要求1-11中任一項所述的橫向擴散金屬氧化物半導體晶體管。