[發明專利]輻射探測器和制造輻射探測器的方法

無效

• 申請號: 200980122524.5
• 申請日: 2009-06-09
• 公開（公告）號: CN102066976A
• 公開（公告）日: 2011-05-18
• 發明（設計）人: G·福格特米爾;C·赫爾曼;K·J·恩格爾
• 申請（專利權）人: 皇家飛利浦電子股份有限公司
• 主分類號: G01T1/29
• 分類號: G01T1/29
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 王英;劉炳勝

1.一種輻射探測器(10)，包括像素(1)的陣列，其中，每個像素(1)包括用于將入射輻射轉換成電信號的半導體材料的轉換層(4)，并且其中，每個像素(10)被至少部分地填充有阻隔材料的溝槽(3)圍繞，所述阻隔材料吸收由所述入射輻射生成的光子的至少一部分。

2.根據權利要求1所述的輻射探測器(10)，其中，每個像素(1)包括子像素(2)的陣列，并且其中，每個子像素(2)被所述溝槽(3)圍繞。

3.根據權利要求1所述的輻射探測器(10)，其中，每個像素(1)包括子像素(2)的陣列，并且其中，一群相鄰的子像素(2)被所述溝槽(3)圍繞。

4.根據權利要求1到3中的任一項所述的輻射探測器(10)，其中，在所述溝槽(3)中的所述阻隔材料的填充系數在整個所述探測器(10)上能設計地變化。

5.根據權利要求1所述的輻射探測器(10)，其中，所述阻隔材料包括在35keV能量以上不表現出K熒光的材料。

6.根據權利要求1所述的輻射探測器(10)，其中，所述阻隔材料包括鉬、銀或鎢。

7.根據權利要求1到4中的任一項所述的輻射探測器(10)，其中，所述阻隔材料是具有中等原子序數Z的材料。

8.根據權利要求1所述的輻射探測器(10)，其中，所述溝槽(3)在所述轉換層(4)中的深度處于20μm和600μm之間的范圍內。

9.一種制造輻射探測器(10)的方法，包括以下步驟：

-提供半導體材料的襯底(4)；

-在所述襯底(4)中提供溝槽(3)；

-利用隔離層(6)覆蓋所述溝槽(3)的表面；

-在所述襯底(4)上提供像素(1)的陣列，其中，每個像素(1)被所述溝槽(3)圍繞；

-利用阻隔材料至少部分地填充所述溝槽(3)，所述阻隔材料吸收由入射輻射生成的光子的至少一部分。

10.根據權利要求9所述的方法，其中，所述至少部分地填充所述溝槽(3)的步驟包括通過配給裝置在所述溝槽(3)內部選擇性地設置所述阻隔材料的步驟。

11.根據權利要求9所述的方法，其中，所述至少部分地填充所述溝槽(3)的步驟包括應用掩蔽層的步驟，所述掩蔽層為所述溝槽(3)中將至少部分地被填充的那些部分限定開口。

12.一種包括根據權利要求1所述的輻射探測器(10)的X射線探測器。

13.一種成像系統，尤其是X射線、CT、PET、SPECT或核成像裝置，包括根據權利要求1所述的X射線輻射探測器(10)。