[發明專利]用于沉積材料的制造設備和其中使用的電極

有效

• 申請號: 200980120110.9
• 申請日: 2009-04-13
• 公開（公告）號: CN102047750A
• 公開（公告）日: 2011-05-04
• 發明（設計）人: D·希拉布蘭德;T·納普
• 申請（專利權）人: 赫姆洛克半導體公司
• 主分類號: H05B3/03
• 分類號: H05B3/03;C23C16/44;C01B33/035
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 王會卿

1.一種用于在載體上沉積材料的制造設備，所述載體具有彼此隔開的第一端和第二端，插座設置在載體的每端處，所述設備包括：

限定了腔室的殼體；

穿過所述殼體限定的入口，所述入口用于將氣體引入腔室中；

穿過所述殼體限定的出口，所述出口用于將氣體從腔室排出；

至少一個電極，所述電極具有外表面，該外表面具有適于接觸插座的接觸區域，所述電極穿過所述殼體設置，其中所述電極至少部分地設置在腔室內以便與插座聯接；

電源裝置，所述電源裝置聯接至所述電極，用于向所述電極提供電流；以及，

接觸區域涂層，所述接觸區域涂層設置在所述電極的所述接觸區域上，用于保持所述電極與插座之間的熱傳導性，所述接觸區域涂層具有至少9x106姆歐/米的導電系數和在基于室溫海水作為電解質的電位序中高于銀的抗腐蝕性。

2.根據權利要求1所述的制造設備，其中所述電極還包括：

具有第一端和第二端的軸；以及

設置在所述軸的兩端之一上的頭部。

3.根據權利要求2所述的制造設備，其中所述電極的所述頭部包括具有所述接觸區域的所述外表面。

4.根據權利要求2或3所述的制造設備，其中所述頭部包括銅。

5.根據權利要求3或4所述的制造設備，其中所述電極的所述頭部和所述軸中的至少一個包括外部涂層，所述外部涂層不同于所述接觸區域涂層并在所述接觸區域外側設置于其所述外表面上。

6.根據權利要求3-5中任一項所述的制造設備，其中所述頭部和所述軸中的至少一個不具有在所述接觸區域外側設置于其所述外表面上的涂層。

7.根據前述權利要求中任一項所述的制造設備，其中包括所述接觸區域涂層的所述電極的所述外表面至少部分地設置在腔室內。

8.根據前述權利要求中任一項所述的制造設備，其中所述接觸區域涂層包括金、鉑和鈀中的至少一種。

9.根據權利要求8所述的制造設備，其中所述接觸區域涂層還包括銀、鎳和鉻中的至少一種。

10.根據前述權利要求中任一項所述的制造設備，其中所述接觸區域涂層具有0.00254至0.254mm的厚度。

11.根據前述權利要求中任一項所述的制造設備，其中所述接觸區域涂層具有0.00508mm至0.127mm的厚度。

12.根據前述權利要求中任一項所述的制造設備，其中所述接觸區域涂層具有0.00508mm至0.0254mm的厚度。

13.根據前述權利要求中任一項所述的制造設備，其中所述至少一個電極包括第一電極和第二電極，第一電極用于接收位于載體的第一端處的插座，第二電極用于接收位于載體的第二端處的插座。

14.一種用于制造設備的電極，所述制造設備用于在載體上沉積材料，所述載體具有彼此隔開的第一端和第二端，插座設置在載體的每端處，所述電極包括：

具有第一端和第二端的軸；

設置在所述軸的兩端之一上的頭部，用于與插座聯接；

其中所述頭部具有外表面，所述外表面具有適于接觸插座的接觸區域；和

接觸區域涂層，所述接觸區域涂層設置在所述電極的所述接觸區域上，用于保持所述電極與插座之間的導電性，所述接觸區域涂層具有至少9x106姆歐/米的導電系數和在基于室溫海水作為電解質的電位序中高于銀的抗腐蝕性。

15.根據權利要求14所述的電極，其中所述頭部與所述軸形成一體。

16.根據權利要求14或15所述的電極，其中所述接觸區域涂層包括金、鉑和鈀中的至少一種。

17.根據權利要求16所述的電極，其中所述接觸區域涂層還包括銀、鎳和鉻中的至少一種。

18.根據權利要求14-17中任一項所述的電極，其中所述頭部包括銅。

19.根據權利要求14-18中任一項所述的電極，其中所述電極的所述軸包括不同于所述接觸區域涂層并設置在所述軸的外表面上的軸涂層。

20.根據權利要求14-18中任一項所述的電極，其中所述軸不具有設置在其外表面上的軸涂層。