[發明專利]浮式片材制造裝置及方法有效
| 申請號: | 200980114977.3 | 申請日: | 2009-03-13 |
| 公開(公告)號: | CN102017178A | 公開(公告)日: | 2011-04-13 |
| 發明(設計)人: | 彼德·L·凱勒曼;法蘭克·辛克萊 | 申請(專利權)人: | 瓦里安半導體設備公司 |
| 主分類號: | H01L31/042 | 分類號: | H01L31/042 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人: | 臧建明 |
| 地址: | 美國麻*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 浮式片材 制造 裝置 方法 | ||
1.一種片材制造裝置,包括:
一容器,定義出一通道以容納一材料的一熔體,該熔體會從該通道的一第一位置流至一第二位置;
一冷卻板,鄰近該熔體,該冷卻板用以在該熔體上形成該材料的一片材;以及
一溢流道,配置于該通道的該第二位置,該溢流道用以將該片材從該熔體分離。
2.根據權利要求1所述的片材制造裝置,其中該材料包括硅。
3.根據權利要求1所述的片材制造裝置,其中該材料包括硅與鍺,且該片材具有一漸進型能帶間隙。
4.根據權利要求1所述的片材制造裝置,其中該冷卻板的溫度至少比該熔體低300K。
5.根據權利要求1所述的片材制造裝置,其中該冷卻板包括多個冷卻段。
6.根據權利要求5所述的片材制造裝置,其中每一該冷卻段具有不同的溫度。
7.根據權利要求1所述的片材制造裝置,其中該冷卻板采用輻射冷卻。
8.根據權利要求1所述的片材制造裝置,其中該片材具有一第一寬度,該冷卻板具有一第二寬度,且該第一寬度與該第二寬度相同。
9.根據權利要求1所述的片材制造裝置,其中該冷卻板具有一彎曲邊緣。
10.根據權利要求1所述的片材制造裝置,其中該片材為多晶硅或單晶硅。
11.根據權利要求1所述的片材制造裝置,其中該熔體從該通道的該第一位置流至該第二位置是藉由一選自磁流體動力驅動器、螺旋泵、葉輪泵、轉輪及壓力所組成的群體的裝置來達成。
12.根據權利要求1所述的片材制造裝置,其中該容器、該冷卻板及該溢流道是配置于一包覆件中,該包覆件用以控制其內的溫度及環境壓力至少其中之一。
13.一種片材制造方法,包括:
使一材料的一熔體流經一通道;
冷卻該熔體;
在該熔體上形成該材料的一片材;
使該片材與該熔體流動;以及
將該片材從該熔體分離。
14.根據權利要求13所述的片材制造方法,其中該片材與該熔體是由硅或硅與鍺所組成。
15.根據權利要求13所述的片材制造方法,其中該分離是采用一溢流道來達成。
16.根據權利要求13所述的片材制造方法,其中該冷卻為輻射冷卻。
17.根據權利要求13所述的片材制造方法,還包括以該片材利用一連續流動裝置制造一太陽能電池。
18.根據權利要求13所述的片材制造方法,還包括運送該片材穿過一第二熔體,且在該第二熔體中使該片材的厚度增加。
19.一種利用如權利要求13所述的方法所形成的產物。
20.一種片材制造裝置,包括:
一第一通道,用以容納一材料的一熔體,該熔體會從該第一通道的一第一位置流動至一第二位置;
一冷卻板,鄰近該第一通道,該冷卻板用以在該熔體上形成該材料的一片材;
一溢流道,配置于該第一通道的該第二位置,該溢流道配置于該熔體內,并用以將該片材從該熔體分離,其中該熔體會流動而遠離該片材;以及
一第二通道,該熔體會在該第二通道中被運送至該第一通道的該第一位置。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





