[發(fā)明專利]在等離子體離子注入過程中測量摻雜物濃度的方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200980108920.2
• 申請(qǐng)日: 2009-02-24
• 公開（公告）號(hào): CN101971317A
• 公開（公告）日: 2011-02-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 馬耶德·A·福阿德;李實(shí)健
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 應(yīng)用材料股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/66
• 分類號(hào): H01L21/66;H01L21/265
• 代理公司: 北京律誠同業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國;趙靜

1.一種在一等離子體摻雜工藝期間用來檢測一基板表面上的摻雜物濃度的方法，包含：

將一基板置于一處理腔室中，其中該基板具有一上表面和一下表面，且該基板溫度低于250℃；

于該處理腔室中的該基板上方產(chǎn)生一等離子體；

傳送該等離子體所產(chǎn)生的一光線穿過該基板，其中該光線由該基板的該上表面進(jìn)入并由該基板的該下表面離開；

由位于該基板下方的一傳感器接收該光線；

產(chǎn)生一信號(hào)，其與該傳感器所接收到的該光線成比例；

在一摻雜工藝中，以一摻雜物注入該基板；

在該摻雜工藝中，產(chǎn)生多組光信號(hào)，其與由該傳感器所接收到的該光線的一減少量成比例；

當(dāng)該基板具有一最終摻雜物濃度時(shí)，產(chǎn)生一與由該傳感器所接收到的該光線成比例的終點(diǎn)信號(hào)；以及

停止該基板的摻雜物注入。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的在一等離子體摻雜工藝期間用來檢測一基板表面上的摻雜物濃度的方法，還包含產(chǎn)生多組信號(hào)，其與該摻雜物的一增加濃度成比例。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的在一等離子體摻雜工藝期間用來檢測一基板表面上的摻雜物濃度的方法，其中該光線包含紅外線、可見光、紫外線、或其組合。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的在一等離子體摻雜工藝期間用來檢測一基板表面上的摻雜物濃度的方法，其中該光線包含紅外線，且該基板在該摻雜工藝時(shí)的溫度范圍為約0℃至約90℃。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的在一等離子體摻雜工藝期間用來檢測一基板表面上的摻雜物濃度方法，其中該摻雜物是選自由下列物質(zhì)所組成的組：硼、磷、砷、銻、氮、氧、氫、碳、鍺、和其組合；而該摻雜物的最終濃度范圍在約5×10¹⁵cm^-2至約1×10¹⁷cm^-2間。

6.一種在一等離子體摻雜工藝期間用來檢測一基板表面上的摻雜物濃度的方法，包含：

將一基板置于一處理腔室中，其中該基板具有一上表面和一下表面，且基板溫度低于約250℃；

于該處理腔室中的該基板上方產(chǎn)生一等離子體；

傳送一光線穿過該基板，其中該光線從該基板的該下表面進(jìn)入且從該基板的該上表面離開，且該光線是由一位于該基板下方的光源所產(chǎn)生；

由位于該基板上方的一傳感器接收該光線；

產(chǎn)生一與該傳感器所接收的該光線成比例的信號(hào)；

在一摻雜工藝中，以一摻雜物注入該基板；

在該摻雜工藝中，產(chǎn)生多組光信號(hào)，其與由該傳感器所接收到的該光線的一減少量成比例；

當(dāng)基板具有一最終摻雜物濃度，產(chǎn)生一終點(diǎn)信號(hào)，其與該傳感器所接收的該光線成比例；以及

停止該基板的摻雜物注入。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的在一等離子體摻雜工藝期間用來檢測一基板表面上的摻雜物濃度的方法，其中該光源為一紅外線激光器或一耦接至一激光器的光纜。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的在一等離子體摻雜工藝期間用來檢測一基板表面上的摻雜物濃度的方法，其中該光源位于一基板支撐組件之上或位于該基板支撐組件之中，且該傳感器位于一噴頭組件之上或位于該噴頭組件之中，且該光源配置成能引導(dǎo)該光線實(shí)質(zhì)朝向該傳感器。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的在一等離子體摻雜工藝期間用來檢測一基板表面上的摻雜物濃度的方法，其中該光源為一耦接至一遠(yuǎn)程光源的光纜，且該遠(yuǎn)程光源發(fā)射一激光光束。

10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的在一等離子體摻雜工藝期間用來檢測一基板表面上的摻雜物濃度的方法，其中該基板在該摻雜工藝時(shí)的溫度范圍為約0℃至約90℃。

11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的在一等離子體摻雜工藝期間用來檢測一基板表面上的摻雜物濃度的方法，其中該摻雜物是選自由下列物質(zhì)所組成的組：硼、磷、砷、銻、氮、氧、氫、碳、鍺、和其組合；而該摻雜物的最終濃度范圍在約5×10¹⁵cm^-2至約1×10¹⁷cm^-2間。