[發(fā)明專(zhuān)利]用離心機(jī)從背面研磨過(guò)程產(chǎn)生的廢料漿中收集硅粉的方法及該離心機(jī)無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200980107546.4 | 申請(qǐng)日: | 2009-03-04 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN101959606A | 公開(kāi)(公告)日: | 2011-01-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 林承龍;金圣信 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 株式會(huì)社SILFINE |
| 主分類(lèi)號(hào): | B04B3/04 | 分類(lèi)號(hào): | B04B3/04 |
| 代理公司: | 永新專(zhuān)利商標(biāo)代理有限公司 72002 | 代理人: | 王瓊先;王永建 |
| 地址: | 韓國(guó)忠*** | 國(guó)省代碼: | 韓國(guó);KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 離心機(jī) 背面 研磨 過(guò)程 產(chǎn)生 廢料 收集 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及用離心機(jī)從背面研磨((back?lapping))過(guò)程產(chǎn)生的廢料漿中收集硅粉的方法,以從背面研磨過(guò)程產(chǎn)生的廢料漿中收集硅粉,還涉及用于該方法的離心機(jī)。
背景技術(shù)
通常,材料根據(jù)導(dǎo)電性主要分類(lèi)為導(dǎo)體、半導(dǎo)體和絕緣體。在純態(tài),半導(dǎo)體顯示出與絕緣體類(lèi)似的特性。然而,半導(dǎo)體的導(dǎo)電性通過(guò)增加雜質(zhì)而增大,或者半導(dǎo)體通過(guò)光或熱能暫時(shí)具有導(dǎo)電性。
半導(dǎo)體廣泛應(yīng)用于高科技電子工業(yè),如,除包括二極管、晶體管等的集成電路器件外還有熱電子發(fā)射器件、電子照相機(jī)等的電荷耦合器件(CCD)等等。半導(dǎo)體還使用于太陽(yáng)能電池或光發(fā)射器件。由于如上文所述半導(dǎo)體在我們周?chē)褂玫拇蠖鄶?shù)電子產(chǎn)品中都有使用,為我們提供了許多便利,可以稱(chēng)之為“魔石”。進(jìn)一步地,半導(dǎo)體在產(chǎn)品中的使用持續(xù)地增大。
如上文的半導(dǎo)體的制備過(guò)程通常大致分為準(zhǔn)備步驟、預(yù)處理步驟和后處理步驟。
該準(zhǔn)備步驟包括:由沙子制作高純度單晶硅晶片且設(shè)計(jì)出要嵌在晶片上的電子電路的電路布局的晶片生產(chǎn)過(guò)程,以及將設(shè)計(jì)好的電子電路劃分為相應(yīng)層并在每個(gè)玻璃掩膜上繪制劃分的電子電路的掩膜生產(chǎn)過(guò)程。
該預(yù)處理步驟意為通過(guò)在晶片的表面上層壓多種薄膜并使用所生產(chǎn)的掩膜重復(fù)選擇性地在晶片的特定部分進(jìn)行刻蝕的工作來(lái)構(gòu)造電子電路的過(guò)程。通常,該預(yù)處理稱(chēng)為“FAB”。
該后處理步驟劃分為背面研磨過(guò)程、裝配過(guò)程以及測(cè)試過(guò)程,該背面研磨過(guò)程是研磨晶片的與電子電路從其上形成的一側(cè)相背的表面,以獲得預(yù)定的厚度,該裝配過(guò)程是將晶片單獨(dú)切割成芯片并將每個(gè)芯片連接至引線(xiàn)框架。
如圖1中所說(shuō)明,半導(dǎo)體晶片制作為多種尺寸,如基于晶片的直徑,為3英寸、4英寸、6英寸和8英寸。晶片的厚度初始約為600~800μm。后處理步驟的背面研磨過(guò)程研磨晶片的背部表面以使該晶片在處理后約為200μm厚。
在半導(dǎo)體制備過(guò)程中,在后處理步驟的背面研磨過(guò)程中產(chǎn)生廢料漿。該廢料漿含有硅粉。廢料漿中含有的硅粉的尺寸為0.02~5μm,平均尺寸為2μm。
在背面研磨過(guò)程中產(chǎn)生的廢料漿中含有的硅粉的量為約0.05%。就是說(shuō),每1000kg廢料漿中含有0.5kg硅粉。
目前,僅一個(gè)韓國(guó)半導(dǎo)體公司每天產(chǎn)生的廢料漿的量是2000噸。在2000噸廢料漿中含有的硅粉量為約1噸。此外,由于隨著工業(yè)技術(shù)的發(fā)展,半導(dǎo)體的使用逐漸增大,實(shí)際上半導(dǎo)體加工中產(chǎn)生的廢料漿量在增大。
如上所述,不僅在背面研磨過(guò)程中產(chǎn)生的廢料漿中含有的硅粉的量非常小,而且硅粉的(顆粒)尺寸也非常小。由此,由于收集硅粉非常困難,常經(jīng)由廢物處理公司丟棄硅粉。
如果使用離心機(jī)收集廢料漿中含有的硅粉,由于在背面研磨過(guò)程中產(chǎn)生的廢料漿中包括的硅粉的尺寸和量的特性,不能用操作通常的離心機(jī)的方法收集硅粉。因此,使用了利用過(guò)濾器收集硅粉的方法。
通常,當(dāng)廢料漿中含有的硅粉的尺寸較大時(shí),可能使用離心機(jī)收集硅粉。就是說(shuō),當(dāng)經(jīng)由供給管將廢料漿供給至筒體中,并且筒體和螺桿軸旋轉(zhuǎn)時(shí),由筒體的旋轉(zhuǎn)提供的離心力施加至廢料漿,并且該離心力將廢料漿中含有的硅粉收集在筒體的內(nèi)表面上并將流體排出。當(dāng)通過(guò)螺桿軸的翼片使在筒體的內(nèi)表面上收集的硅粉沿筒體的傾斜表面移動(dòng),并且通過(guò)筒體的快速旋轉(zhuǎn)而甩干的大量水分經(jīng)由流體出口排出,硅粉即被收集。
然而,由于在背面研磨過(guò)程中產(chǎn)生的廢料漿中含有的硅粉的尺寸非常小,當(dāng)使用離心機(jī)時(shí),少量收集在筒體的內(nèi)表面上的硅粉在硅粉剛剛通過(guò)螺桿軸的翼片沿筒體的傾斜表面移動(dòng)時(shí)就被分散開(kāi)了。然而,隨著越來(lái)越多的水分被干燥,分散開(kāi)的硅粉增多。從而,硅粉不能排出至用于收集的出口,并且多數(shù)尺寸為2~3μm或以下的小硅粉被分散開(kāi)并且不能排出至用于收集的出口而是混合在流體中并經(jīng)由流體出口排出至外面。因此,在背面研磨過(guò)程產(chǎn)生的廢料漿中含有的硅粉不能通過(guò)使用通常的離心機(jī)收集。由于這些原因,使用過(guò)濾器排出廢料漿或收集廢料漿中含有的硅粉。
然而,使用過(guò)濾器來(lái)收集硅粉的方法具有以下缺點(diǎn):過(guò)濾器需要經(jīng)常更換,當(dāng)廢料漿中含有的硅粉量小,所收集的硅粉的量小時(shí),收集性能較低,并且因?yàn)檫^(guò)濾器的元件與所收集的硅粉混合,硅粉的純度較低。
發(fā)明內(nèi)容
技術(shù)問(wèn)題
因此,本發(fā)明旨在解決上述問(wèn)題,本發(fā)明一方面通過(guò)提供一種操作其中水平安裝有筒體和螺桿軸的離心機(jī)的方法,而提供了一種用離心機(jī)收集在背面研磨過(guò)程中產(chǎn)生的廢料漿中含有的硅粉的方法。
本發(fā)明的另一個(gè)方面提供了一種離心機(jī),其能夠分別控制筒體和螺桿軸的驅(qū)動(dòng)和旋轉(zhuǎn)以收集在背面研磨過(guò)程中產(chǎn)生的廢料漿中含有的硅粉的細(xì)顆粒。
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