[發明專利]包含耐柵極短路的鰭式晶體管的裝置及其制作方法

有效

• 申請號: 200980105433.0
• 申請日: 2009-01-29
• 公開（公告）號: CN101952948A
• 公開（公告）日: 2011-01-19
• 發明（設計）人: 沃納·云林
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/78;H01L21/8242
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 宋獻濤

1.一種方法，其包括：

在襯底中蝕刻行間溝槽；

用電介質材料大致或完全地填充所述行間溝槽；及

至少部分地通過在所述襯底中蝕刻柵極溝槽來形成鰭及絕緣突出部，其中所述絕緣突出部包含所述行間溝槽中的所述電介質材料中的至少一些電介質材料。

2.根據權利要求1所述的方法，其中蝕刻所述行間溝槽包括：

在所述襯底上的犧牲區中形成若干前驅物溝槽；及

在所述前驅物溝槽中形成間隔件，其中所述間隔件使所述前驅物溝槽變窄。

3.根據權利要求2所述的方法，其中所述間隔件使所述溝槽變窄到小于光刻分辨率限制的寬度。

4.根據權利要求2所述的方法，其包括使用所述犧牲區及側壁間隔件作為掩模來蝕刻所述行間溝槽。

5.根據權利要求1所述的方法，其中在襯底中蝕刻行間溝槽包括蝕刻行間溝槽穿過上部摻雜區且至少部分地進入到下部摻雜區中。

6.根據權利要求1所述的方法，其中用電介質材料大致或完全地填充所述行間溝槽包括：

在所述行間溝槽中形成第一襯里；及

將旋涂電介質施加到所述襯底。

7.根據權利要求1所述的方法，其包括：

用犧牲材料及第一側壁間隔件遮蔽所述行間溝槽的所述蝕刻；及

在用所述電介質材料大致或完全地填充所述行間溝槽之后移除所述犧牲材料。

8.根據權利要求7所述的方法，其包括：

在移除所述犧牲材料之后在所述第一側壁間隔件的表面上形成第二側壁間隔件；及

至少部分地用所述第二側壁間隔件遮蔽所述柵極溝槽的所述蝕刻。

9.根據權利要求1所述的方法，其中至少部分地通過在所述襯底中蝕刻柵極溝槽形成鰭及絕緣突出部包括蝕刻所述電介質材料的一部分。

10.根據權利要求1所述的方法，其中至少部分地通過在所述襯底中蝕刻柵極溝槽形成鰭及絕緣突出部包括通過蝕刻多個柵極溝槽而大體上同時地形成多個鰭行及多個絕緣突出部。

11.根據權利要求10所述的方法，其中：

將所述多個絕緣突出部中的每一絕緣突出部插入在所述多個鰭行中的一對鰭行之間；且

將所述多個柵極溝槽中的柵極溝槽安置于所述多個鰭行中的每一鰭行的任一側上所述鰭行與所述多個絕緣突出部中的鄰近絕緣突出部之間。

12.根據權利要求1所述的方法，其中：

在所述襯底中蝕刻行間溝槽包括通過光刻步驟在所述襯底上形成第一掩模，且

至少部分地通過在所述襯底中蝕刻柵極溝槽形成鰭及絕緣突出部包括通過第二光刻步驟在所述襯底上形成第二掩模。

13.根據權利要求12所述的方法，其中使所述第二掩模相對于所述第一掩模移位大體上等于所述第一掩模的間距的一半的距離。

14.根據權利要求13所述的方法，其中：

形成所述第一掩模包括借助第一光刻工具形成所述第一掩模；

形成所述第二掩模包括借助第二光刻工具形成所述第二掩模，其中所述第二光刻工具的分辨率大體上與所述第一光刻工具的分辨率的兩倍一樣大或大于所述第一光刻工具的分辨率的兩倍。

15.根據權利要求13所述的方法，其中形成所述第二掩模包括使前驅物掩模間距倍增。

16.一種裝置，其包括：

半導體鰭；

柵極溝槽，其安置于所述半導體鰭的任一側上；及

絕緣突出部，其安置于所述半導體鰭的任一側上且通過所述柵極溝槽中的一者至少部分地與所述半導體鰭分離。

17.根據權利要求16所述的裝置，其進一步包括：

柵極，其安置于每一柵極溝槽中，其中每一柵極經凹入而低于所述半導體鰭的頂部。

18.根據權利要求16所述的裝置，其中所述半導體鰭包括通過大體上U形空隙分離的兩個支腿。