[發明專利]阻擋層的無電沉積

無效

• 申請號: 200980102918.4
• 申請日: 2009-01-20
• 公開（公告）號: CN101925691A
• 公開（公告）日: 2010-12-22
• 發明（設計）人: R·梅利斯
• 申請（專利權）人: 巴斯夫歐洲公司
• 主分類號: C23C18/50
• 分類號: C23C18/50
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 劉金輝;林柏楠

1.一種用于在金屬表面上沉積阻擋層的溶液，包含：

-元素鎳和鉬的化合物，

-至少一種選自仲和叔環氨基硼烷的第一還原劑，和

-至少一種絡合劑，

其中所述溶液具有8.5-12的pH。

2.根據權利要求1所述的溶液，包含至少一種第二還原劑，尤其是次膦酸或其鹽。

3.根據權利要求1或2所述的溶液，其中所述第一還原劑是雜環氨基硼烷，尤其是嗎啉-硼烷。

4.根據前述權利要求任一項所述的溶液，其中所述至少一種絡合劑是羥基羧酸。

5.根據前述權利要求任一項所述的溶液，包含：

-0.01-0.2mol/l的鎳化合物，

-0.001-0.01mol/l的鉬化合物，

-0.01-0.3mol/l的絡合劑，

-0.005-0.05mol/l的第一還原劑，

-0.1-0.3mol/l的第二還原劑。

6.根據前述權利要求任一項所述的溶液，其中所述鎳化合物與所述至少一種絡合劑的摩爾比為1∶1-1∶2。

7.根據前述權利要求任一項所述的溶液在含銅集成電路的金屬表面上無電沉積層中的用途。

8.一種通過在半導體基材的金屬表面上無電沉積制備阻擋層的方法，包括：

a)制備包含選自Ni和Co的元素的化合物，選自Mo、W和Re的元素的化合物和選自仲和叔環氨基硼烷的第一還原劑的溶液，

b)設定溶液的pH為8.5-12，

c)設定溶液的溫度為50-85℃，

d)使金屬表面與所述溶液在50-85℃的溫度下接觸，致使在半導體基材上沉積阻擋層。

9.根據權利要求8所述的方法，其中所述溫度為55-65℃。

10.根據權利要求8或9所述的方法，其中沉積速率大于10nm/min，尤其是10-50nm/min。

11.根據權利要求8-10任一項所述的方法，其中在使金屬表面與溶液接觸之前不發生金屬表面的催化活化。

12.根據權利要求8-11任一項所述的方法，其中所述金屬表面包含銅，尤其是由銅組成。

13.根據權利要求8-12任一項所述的方法，其中在步驟a)中制備進一步包含第二還原劑，尤其是次膦酸或其鹽的溶液。