[實(shí)用新型]用于功率開(kāi)關(guān)的電磁干擾抑制電路

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200920225029.4
• 申請(qǐng)日: 2009-08-20
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN201479093U
• 公開(kāi)（公告）日: 2010-05-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 安東·齊默曼
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 青島伏科太陽(yáng)能有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H03H11/04
• 分類(lèi)號(hào): H03H11/04;H03K17/56
• 代理公司: 青島聯(lián)智專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 37101
• 代理人: 邵新華

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型屬于開(kāi)關(guān)電路技術(shù)領(lǐng)域，具體地說(shuō)，是涉及一種可以對(duì)功率開(kāi)關(guān)通斷過(guò)程中產(chǎn)生的電磁干擾進(jìn)行有效抑制的控制電路。

背景技術(shù)

對(duì)于目前的開(kāi)關(guān)電路，特別是采用功率開(kāi)關(guān)元件組建的開(kāi)關(guān)電路來(lái)說(shuō)，當(dāng)功率開(kāi)關(guān)在關(guān)斷與導(dǎo)通之間迅速切換時(shí)，經(jīng)常會(huì)產(chǎn)生電磁干擾。一般來(lái)講，功率開(kāi)關(guān)通斷得越快速，電磁干擾問(wèn)題就越嚴(yán)重。如果不對(duì)功率開(kāi)關(guān)產(chǎn)生的電磁干擾進(jìn)行有效地抑制，將會(huì)對(duì)系統(tǒng)電路產(chǎn)生不利的影響，甚至?xí)l(fā)電路的誤動(dòng)作，從而降低了系統(tǒng)電路運(yùn)行的可靠性。

為了解決這一問(wèn)題，目前的電子線路通常采用具有高容量的電容元件或者具有高電感量的電感器件等組成濾波電路，來(lái)對(duì)功率開(kāi)關(guān)產(chǎn)生的電磁干擾進(jìn)行濾除，進(jìn)而起到保護(hù)系統(tǒng)電路的設(shè)計(jì)目的。但是，采用這種設(shè)計(jì)方式所需使用的電容或者電感元件的價(jià)格都相對(duì)昂貴，因此，不適合在成本較低的電子產(chǎn)品或者價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)相對(duì)激烈的電器產(chǎn)品中推廣應(yīng)用。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型為了解決現(xiàn)有電磁干擾抑制電路成本高、適用領(lǐng)域受限的問(wèn)題，提供了一種用于功率開(kāi)關(guān)的電磁干擾抑制電路，以達(dá)到抑制干擾強(qiáng)度、降低硬件電路成本的設(shè)計(jì)目的。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型采用以下技術(shù)方案予以實(shí)現(xiàn)：

一種用于功率開(kāi)關(guān)的電磁干擾抑制電路，包括功率開(kāi)關(guān)和控制所述功率開(kāi)關(guān)通斷的控制電路；所述控制電路的控制信號(hào)輸出端連接功率開(kāi)關(guān)的控制端，在所述功率開(kāi)關(guān)的開(kāi)關(guān)通路與控制端之間還連接有一電容。

進(jìn)一步的，為了對(duì)電磁干擾的抑制等級(jí)實(shí)現(xiàn)方便調(diào)節(jié)，優(yōu)選在所述電磁干擾抑制電路中的適當(dāng)位置設(shè)計(jì)電阻，以配合電容對(duì)控制電路輸出的控制信號(hào)波形進(jìn)行修正。作為其中一種設(shè)計(jì)方式，可以將所述電容的一端連接在功率開(kāi)關(guān)的開(kāi)關(guān)通路上，另一端連接所述控制電路的控制信號(hào)輸出端，并通過(guò)電阻連接所述功率開(kāi)關(guān)的控制端。

作為另外一種設(shè)計(jì)方式，可以將所述電容直接連接在功率開(kāi)關(guān)的開(kāi)關(guān)通路與控制端之間，將所述控制電路的控制信號(hào)輸出端通過(guò)電阻連接功率開(kāi)關(guān)的控制端。

作為第三種設(shè)計(jì)方式，可以將所述電容的一端連接在功率開(kāi)關(guān)的開(kāi)關(guān)通路上，另一端一方面通過(guò)一個(gè)電阻連接所述控制電路的控制信號(hào)輸出端，另一方面通過(guò)另一個(gè)電阻連接所述功率開(kāi)關(guān)的控制端。

再進(jìn)一步的，對(duì)于低輸入阻抗的功率開(kāi)關(guān)來(lái)說(shuō)，在所述功率開(kāi)關(guān)的控制端連接有驅(qū)動(dòng)電路，對(duì)開(kāi)關(guān)控制信號(hào)的幅值進(jìn)行放大處理后，輸出至功率開(kāi)關(guān)的控制端。

更進(jìn)一步的，所述功率開(kāi)關(guān)為晶體管或者場(chǎng)效應(yīng)管。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)和積極效果是：本實(shí)用新型的電磁干擾抑制電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，成本低，可以根據(jù)不同開(kāi)關(guān)電路的實(shí)際情況調(diào)節(jié)功率開(kāi)關(guān)的開(kāi)關(guān)速度以及電磁干擾的抑制等級(jí)，可以廣泛應(yīng)用于DC-DC直流轉(zhuǎn)換器中的MOSFET開(kāi)關(guān)電路以及逆變器或者太陽(yáng)能充電調(diào)整器等電子設(shè)備中。

結(jié)合附圖閱讀本實(shí)用新型實(shí)施方式的詳細(xì)描述后，本實(shí)用新型的其他特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)將變得更加清楚。

附圖說(shuō)明

圖1是本實(shí)用新型所提出的電磁干擾抑制電路的一種實(shí)施例的電路原理圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)地描述。

本實(shí)用新型的電磁干擾抑制電路通過(guò)在功率開(kāi)關(guān)的開(kāi)關(guān)通路與控制端之間連接一個(gè)成本低廉的普通電容，進(jìn)而在對(duì)功率開(kāi)關(guān)的通斷狀態(tài)進(jìn)行切換時(shí)，利用電容上的電壓不能突變的特性，來(lái)阻止控制電路輸出的控制信號(hào)迅速變化，從而使得施加到功率開(kāi)關(guān)控制端上的開(kāi)關(guān)控制信號(hào)平滑變化，以此來(lái)避免功率開(kāi)關(guān)迅速切換，以有效抑制功率開(kāi)關(guān)上電磁干擾的產(chǎn)生。

下面通過(guò)一個(gè)具體的實(shí)施例來(lái)詳細(xì)闡述所述電磁干擾抑制電路的具體組建結(jié)構(gòu)及其工作過(guò)程。

實(shí)施例一，參見(jiàn)圖1所示，在本實(shí)施例中，所述功率開(kāi)關(guān)以N溝道場(chǎng)效應(yīng)管1為例進(jìn)行說(shuō)明。

在常規(guī)的開(kāi)關(guān)電路設(shè)計(jì)中，功率開(kāi)關(guān)的控制端，比如N溝道場(chǎng)效應(yīng)管1的柵極，通常直接與控制電路3的控制信號(hào)輸出端相連接，通過(guò)控制電路3輸出的高低電平方波信號(hào)來(lái)控制功率開(kāi)關(guān)導(dǎo)通或者截止。在功率開(kāi)關(guān)通斷的過(guò)程中，由于開(kāi)關(guān)通路上的電壓迅速變化，從而容易產(chǎn)生電磁干擾。

為了解決這一問(wèn)題，本實(shí)施例在功率開(kāi)關(guān)的開(kāi)關(guān)通路與控制端之間增設(shè)了一路電容4，如圖1所示，電容4可以連接在N溝道場(chǎng)效應(yīng)管1的源極與柵極之間，通過(guò)調(diào)節(jié)電容4的容量可以對(duì)控制電路3輸出的方波控制信號(hào)的上升沿和下降沿的坡度進(jìn)行調(diào)整，使其平滑過(guò)渡，以此來(lái)控制開(kāi)關(guān)通路上的電壓平滑變化，以達(dá)到有效抑制電磁干擾的設(shè)計(jì)目的。

通過(guò)調(diào)節(jié)電容4的容量，可以改變電磁干擾的抑制等級(jí)。