[實用新型]壓阻式單片集成三軸加速度傳感器

無效

• 申請號: 200920215571.1
• 申請日: 2009-12-31
• 公開（公告）號: CN201561985U
• 公開（公告）日: 2010-08-25
• 發明（設計）人: 田雷;付博;王永剛;李海博;寇文兵;金建東;齊虹;李玉玲;王曉光;王振;王江;張巖
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第四十九研究所
• 主分類號: G01P15/12
• 分類號: G01P15/12;B81B7/02;B81C1/00
• 代理公司: 哈爾濱市松花江專利商標事務所 23109
• 代理人: 王吉東

1.壓阻式單片集成三軸加速度傳感器，其特征在于它是由一塊芯片集成，芯片劃分為固支框區(K)、電路區(N)和傳感區(M)；

傳感區(M)由第一質量塊(M1)、第二質量塊(M2)、第一中間梁(M3)、第二中間梁(M4)、第一至第四L型敏感梁(M5)至(M8)和第一至第十二壓敏電阻組成；

第一質量塊(M1)和第二質量塊(M2)沿傳感區(M)的縱向中軸線對稱設置，第一質量塊(M1)與第二質量塊(M2)之間的兩個側面通過兩個第一中間梁(M3)和第二中間梁(M4)連接，第一質量塊(M1)與第二質量塊(M2)之間的兩個側面相對的兩個側面上分別設置有兩個L型敏感梁，即為第一至第四L型敏感梁(M5)至(M8)的一端分別連接在第一質量塊(M1)與第二質量塊(M2)的側表面上，第一至第四L型敏感梁相對于傳感區(M)的橫向中軸線和縱向中軸線對稱設置，

第一L型敏感梁(M5)的另一端上設置并排有第一壓敏電阻(A)和第二壓敏電阻(A’)；第二L型敏感梁(M6)的另一端上設置并排有第三壓敏電阻(B)和第四壓敏電阻(B’)；第三L型敏感梁(M7)的另一端上設置并排有第五壓敏電阻(C)和第六壓敏電阻(C’)；第四L型敏感梁(M8)的另一端上設置并排有第七壓敏電阻(D)和第八壓敏電阻(D’)；

第一中間梁(M3)上設置有第九壓敏電阻(a)和第十壓敏電阻(b)，第十壓敏電阻(b)垂直于第九壓敏電阻(a)形成T字形，T字形的橫邊位于第一中間梁(M3)的外邊緣；第二中間梁(M4)上設置有第十一壓敏電阻(c)和第十二壓敏電阻(d)，第十二壓敏電阻(d)垂直于第十一壓敏電阻(c)形成T字形，T字形的橫邊位于第二中間梁(M4)的外邊緣；

第一質量塊(M1)、第二質量塊(M2)、第一中間梁(M3)、第二中間梁(M4)和第一至第四L型敏感梁(M5)至(M8)的上表面位于同一水平面，第一中間梁(M3)、第二中間梁(M4)和第一至第四L型敏感梁(M5)至(M8)的厚度為20～40微米，第一中間梁(M3)、第二中間梁(M4)和第一至第四L型敏感梁(M5)至(M8)厚度小于第一質量塊(M1)和第二質量塊(M2)的厚度，厚度差值為370～380微米；第一質量塊(M1)和第二質量塊(M2)的厚度小于固支框區K和電路區(N)的厚度，厚度差值為10～20微米。

2.根據權利要求1所述的壓阻式單片集成三軸加速度傳感器，其特征在于第一質量塊(M1)和第二質量塊(M2)之間的兩個空隙處分別設置有兩個縱向限位塊。

3.根據權利要求1或2所述的壓阻式單片集成三軸加速度傳感器，其特征在于第一L型敏感梁(M5)和第二L型敏感梁(M6)之間的空隙處與第三L型敏感梁(M7)和第四L型敏感梁(M8)之間的空隙處分別設置有兩個橫向限位塊。