[實(shí)用新型]LDMOS保護(hù)電路有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200920201133.X | 申請(qǐng)日: | 2009-11-26 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN201533285U | 公開(kāi)(公告)日: | 2010-07-21 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 吳志堅(jiān);賴(lài)敏福 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 三維通信股份有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H03F1/52 | 分類(lèi)號(hào): | H03F1/52;H03F3/189;H03F3/20 |
| 代理公司: | 杭州九洲專(zhuān)利事務(wù)所有限公司 33101 | 代理人: | 陳繼亮 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | ldmos 保護(hù) 電路 | ||
1.一種LDMOS保護(hù)電路,其特征在于:包括LDMOS放大電路、柵壓偏置電路、漏壓取樣比較電路和直流電源,柵壓偏置電路用于調(diào)整設(shè)定LDMOS的柵極電壓,使LDMOS在工作溫度范圍內(nèi)的靜態(tài)電流恒定;漏壓取樣比較電路用來(lái)取樣LDMOS的漏極電壓,并與LDMOS所需要的最低工作漏極電壓進(jìn)行比較后產(chǎn)生一個(gè)高低電平控制柵壓偏置電路是否輸出到LDMOS的柵極,直流電源為L(zhǎng)DMOS放大電路、柵壓偏置電路、漏壓取樣比較電路三個(gè)部分提供直流源。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LDMOS保護(hù)電路,其特征在于:所述的LDMOS放大電路包括LDMOS管Q1,輸入隔直電容C1,輸出隔直電容C3,柵極厄流電感L1,漏極厄流電感L2,柵極射頻信號(hào)旁路電容C2,漏極射頻信號(hào)旁路電容C4,漏極電源濾波電容C5、C6;LDMOS的柵極偏置電壓為VGS,漏極電壓為VDS。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LDMOS保護(hù)電路,其特征在于:所述的柵壓偏置電路包括三端穩(wěn)壓模塊(LDO)U1;直流濾波電容C7、C8、C9、C10、C11、C12、C13、C14、C15;電阻R1與U1構(gòu)成恒流源,恒流值由U1的1與2腳之間的電壓和R1的阻值確定;恒流源通過(guò)R2、R3、R4、D1后,在R3的兩端產(chǎn)生不同的電壓;可變電位器VR1的1和3腳分別連接電阻R3的兩端,2腳連接運(yùn)算放大器U2A的正相輸入端,用來(lái)確定LDMOS的靜態(tài)工作電流;運(yùn)算放大器U2A和電阻R5、R6組成直流放大器,放大倍數(shù)由R5和R6的阻值確定;肖特基二極管D1的溫度系數(shù)通過(guò)直流放大器變換后形成新的溫度系數(shù)正好補(bǔ)償LDMOS的溫度特性;電阻R7和電容C15組成充電電路,它們的值確定充電時(shí)間常數(shù);LDMOS的柵極偏置電壓范圍由R3兩端的電壓和直流放大器確定;偏置電路的最終輸出為VGS。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LDMOS保護(hù)電路,其特征在于:所述的漏壓取樣比較電路:LDMOS的漏極電壓VDS通過(guò)取樣電阻R10、R11分壓后輸入到運(yùn)算放大器U2B的反相輸入端;運(yùn)算放大器U2B的同相輸入端為比較設(shè)定值,由電阻R8、R9和直流電源+5V確定,電容C16用于濾波;運(yùn)算放大器U2B的同相反相比較后由7腳輸出一個(gè)高低電平到N溝道FET管Q2的柵極,Q2的源極接地,Q2的漏極接VGS;當(dāng)LDMOS的漏極電壓VDS低于設(shè)定值時(shí),運(yùn)算放大器U2B輸出高電平,Q2導(dǎo)通,VGS通過(guò)Q2快速放電,LDMOS關(guān)閉。
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H03F 放大器
H03F1-00 只用電子管,只用半導(dǎo)體器件或只用未特別指明的器件作為放大元件的放大器的零部件
H03F1-02 .為提高效率對(duì)放大器的改進(jìn),例如滑動(dòng)甲類(lèi)放大級(jí),采用輔助振蕩
H03F1-08 .為減少放大元件內(nèi)阻的有害影響對(duì)放大器的改進(jìn)
H03F1-26 .為減少由放大元件產(chǎn)生的噪聲影響對(duì)放大器的改進(jìn)
H03F1-30 .為減少溫度變化或電源電壓變化的影響對(duì)放大器的改進(jìn)
H03F1-32 .為減少非線性失真對(duì)放大器的改進(jìn)





