[實用新型]漏電斷路器

無效

• 申請號: 200920177558.1
• 申請日: 2009-09-01
• 公開（公告）號: CN201478794U
• 公開（公告）日: 2010-05-19
• 發明（設計）人: 王笑麗
• 申請（專利權）人: 王笑麗
• 主分類號: H02H3/32
• 分類號: H02H3/32
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本實用新型涉及一種漏電斷路器。

背景技術

中國專利文獻CN2276678Y公開了一種單相漏電保護器，機械脫扣開關電磁鐵線圈、單向可控硅元件和二極管順序電連接結構的漏電保護器中增加一或門電路，使或門電路中串聯的二個二極管按導通方向一致與單向可控硅元件、機械脫扣開關的電磁鐵線圈順序電連接，另一個二極管的陰極與二個串聯二極管之間的導線電連接，陽極與地線接線端子電連接。

上述現有技術的不足之處在于：上述漏電斷路器的為AC型漏電斷路器，功能單一，抗干擾性能較弱，易發生誤動作且耐用性較差。

實用新型內容

本實用新型所要解決的技術問題是提供一種抗干擾性能較強、不易發生誤動作且耐壓性較好的漏電斷路器。

為解決上述技術問題，本實用新型提供了一種漏電斷路器，包括：用于與市交流電源相連的橋式整流電路、機械脫扣開關K1、單向可控硅電路、以及由第一諧振電容C1、第二諧振電容C2和電流互感器H1構成的并聯諧振回路；機械脫扣開關K1的電磁鐵線圈KM設于所述橋式整流電路的交流端的回路中；其特點是：電流互感器置于金屬屏蔽罩內；單向可控硅電路包括：相串聯的第一單向可控硅和第二單向可控硅；觸發電壓不低于0.56V的第一單向可控硅的K極接所述橋式整流電路的負極端，第二單向可控硅的A極接所述橋式整流電路的正極端，第二單向可控硅的G極串接第四電阻、第三電容后接所述橋式整流電路的負極端，第二單向可控硅的K極和G極之間設有第七電阻，第一單向可控硅的K極和A極之間設有第六電阻，第二單向可控硅的K極和A極之間設有第五電阻，第一單向可控硅的G極與所述并聯諧振回路相連；單向可控硅電路還包括與所述并聯諧振回路相并聯的正向導通電壓不高于0.55V的雪崩穩壓管，且雪崩穩壓管的陰極串接第二電阻后與第一單向可控硅的G極相連。

本實用新型具有積極的效果：(1)本實用新型的漏電斷路器中，并聯諧振回路的諧振頻率與市交流電源的頻率相同。當交流電源發生漏電時，電流互感器獲取的漏電信號也為市交流電源的頻率(在我國為50Hz)。根據并聯諧振回路的特性，在我國當并聯諧振回路處于諧振時，可使50Hz的漏電信號的觸發可控硅的效能處于最佳，以最有效地觸發可控硅，同時使50Hz以外的干擾信號的觸發可控硅的效能較低，從而可有效抑制50Hz以外的干擾信號，從而實現國家標準對漏電斷路器的技術指標。因此，本實用新型的漏電斷路器抗干擾性能較強且不易發生誤動作。(2)在本實用新型中，采用兩個可控硅串聯，使該漏電斷路器的耐壓性能達千伏以上，故而耐壓性較好，克服了傳統的采用壓敏電阻和R-C吸收回路帶來的不穩定因素。(3)本實用新型中，并聯諧振回路并聯有雪崩穩壓管，且雪崩穩壓管的陽極與單向可控硅的G極相連。雪崩穩壓管的正向導通電壓不高于0.55V，且單向可控硅的觸發電壓不低于0.56V。當外界干擾信號入侵時，雪崩穩壓管首先導通，迅速排除了干擾信號，以防止其觸發可控硅，而發生誤動作。(4)本實用新型中，第一單向可控硅的G極相連有低通濾波電路，用于濾掉高頻干擾信號，進一步保證漏電斷路器的可靠性。(5)現有技術中，當漏電斷路器所在的220V市交流電的檢測回路中存在一個強脈沖干擾信號(例如，250A，前沿為8微秒，后沿為20微秒的尖脈沖)往往使電流互感器發生磁飽和，從而破壞了并聯諧振回路的諧振頻率，因電流互感器磁飽和非線性產生的次諧波能觸發可控硅，從而使現有技術的漏電斷路器誤動作。而在本實用新型中，并聯諧振回路中采用的電流互感器的電感量不小于20H；以保證強脈沖干擾信號(250A，前沿為8微秒，后沿為20微秒的尖脈沖)不會使電流互感器發生磁飽和，防止了次諧波觸發可控硅的情況。

附圖說明

圖1為本實用新型的漏電斷路器的電原理圖；

圖2為本實用新型的另一種漏電斷路器的電原理圖。

具體實施方式

見圖1，本實施例的漏電斷路器包括：用于與市交流電源相連的橋式整流電路(包括二極管D1、D2、D3和D4)、用于設置在交流電源線路(即圖1中的標號1和2)中的機械脫扣開關K1、單向可控硅電路、雪崩穩壓管DW、以及由第一諧振電容C1、第二諧振電容C2和用于檢測交流電源的漏電信號的電流互感器H1構成的并聯諧振回路。