[發明專利]發光器件以及發光器件封裝

有效

• 申請號: 201210068656.8
• 申請日: 2012-03-12
• 公開（公告）號: CN102810615B
• 公開（公告）日: 2017-03-01
• 發明（設計）人: 金載焄
• 申請（專利權）人: LG伊諾特有限公司
• 主分類號: H01L33/38
• 分類號: H01L33/38;H01L33/40
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司72003
• 代理人: 張浴月,鄭小軍

相關申請的交叉引用

本申請要求享有2011年6月2日在韓國遞交的韓國專利申請第10-2011-0053181號的優先權，在此通過參考引入該申請的全部內容，如同將其完整地敘述于此。

技術領域

本發明的實施例涉及一種發光器件以及發光器件封裝。

背景技術

一般而言，發光二極管(在下文中，稱為“LED”)為一種利用電子和空穴之間的復合(其為化合物半導體的特性之一)將電信號轉換成紅外光、可見光或其它形式的光以發送和接收信號的半導體器件。

一般而言，LED被用于家用電器、遠程控制器、電子公告牌、指示器、各種自動化器具、光學通信等。LED可被分類為紅外發光二極管(IRED)或可見發光二極管(VLED)。

從LED發出的光的頻率(或波長)為半導體材料的帶隙的函數。如果使用具有窄帶隙的半導體材料，則生成具有低能量和長波長的光子。另一方面，如果使用具有寬帶隙的半導體材料，則生成具有短波長的光子。因此，基于待發出的光的種類來選擇器件的半導體材料。

發明內容

本發明實施例提供了具有提高的反射系數以及光提取效率的發光器件以及發光器件封裝。

在一個實施例中，一種發光器件包括：第一導電類型半導體層；有源層，布置在所述第一導電類型半導體層上；隧道結層(tunneljunction?layer)，包括布置在所述有源層上的第二導電類型氮化物半導體層與第一導電類型氮化物半導體層，其中所述第一導電類型氮化物半導體層與所述第二導電類型氮化物半導體層以PN結的方式聯結(PN?junctioned)；第一電極，布置在所述第一導電類型半導體層上；以及第二電極，布置在所述第一導電類型氮化物半導體層上，其中所述第二電極的一部分穿過所述第一導電類型氮化物半導體層與所述第二導電類型氮化物半導體層肖特基接觸。

第二電極可包括：第一接觸部，與所述第一導電類型氮化物半導體層的上表面以及所述第一導電類型氮化物半導體層的貫穿部分(through?portion)歐姆接觸；以及第二接觸部，與所述第二導電類型氮化物半導體層肖特基接觸。

所述第二導電類型氮化物半導體層的一部分可位于所述第二接觸部與所述有源層之間。

所述隧道結層可具有至少一個凹陷，所述第二導電類型氮化物半導體層通過所述至少一個凹陷被暴露，并且所述第二電極可布置在所述至少一個凹陷的上表面和側表面上。

所述第二電極的一個部分可與通過所述至少一個凹陷被暴露的所述第二導電類型氮化物半導體層肖特基接觸。

所述第二電極的一個部分可與通過所述至少一個凹陷被暴露的所述第一導電類型氮化物半導體層歐姆接觸。

所述第二接觸部與所述第二電極可在垂直方向上交疊(overlap)。所述第一導電類型氮化物半導體層可包括多個第一導電類型覆層，所述多個第一導電類型覆層具有不同濃度和/或成分的第一摻雜物。所述第二導電類型氮化物半導體層可包括多個第二導電類型覆層，所述多個第二導電類型覆層具有不同濃度和/或成分的第二摻雜物。

所述有源層可發出具有250nm到340nm的波長的光。所述第一電極和所述第二電極可為包括Al、Al/Ti或Al合金的反射電極。

在另一個實施例中，一種發光器件包括：第一導電類型半導體層；有源層，布置在所述第一導電類型半導體層上；隧道結層，包括布置在所述有源層上的第二導電類型氮化物半導體層與第一導電類型氮化物半導體層，其中所述第一導電類型氮化物半導體層與所述第二導電類型氮化物半導體層以PN結的方式聯結；第一電極，布置在所述第一導電類型半導體層上；至少一個凹陷，形成在所述隧道結層中，并且通過所述至少一個凹陷暴露所述第二導電類型氮化物半導體層；透光介電層，填充在所述至少一個凹陷中；以及第二電極，布置在所述透光介電層與所述第一導電類型氮化物半導體層上。

所述透光介電層可與所述第二電極在垂直方向上交疊。所述第一導電類型氮化物半導體層可包括多個第一導電類型覆層，所述多個第一導電類型覆層具有不同濃度和/或成分的第一摻雜物。所述第二導電類型氮化物半導體層可包括多個第二導電類型覆層，所述多個第二導電類型覆層具有不同濃度和/或成分的第二摻雜物。

在又一個實施例中，一種發光器件封裝包括：基臺；第一金屬層和第二金屬層，布置在所述基臺上；發光器件，布置在所述基臺上；第一緩沖單元，將所述發光器件與所述第一金屬層電互連；以及第二緩沖單元，將所述發光器件與所述第二金屬層電互連，其中所述發光器件為根據實施例的發光器件之一。

附圖說明