[實用新型]超快恢復二極管

有效

• 申請號: 200920132924.1
• 申請日: 2009-06-16
• 公開（公告）號: CN201438466U
• 公開（公告）日: 2010-04-14
• 發明（設計）人: 譚楠;高燕輝
• 申請（專利權）人: 深圳市晶導電子有限公司
• 主分類號: H01L29/861
• 分類號: H01L29/861;H01L25/07;H01L23/12;H01L23/49;H01L23/48;H01L23/495;H01L23/02
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 何平

【技術領域】

本實用新型涉及一種超快恢復二極管。

【背景技術】

目前市場上應用的整流器件中，肖特基二極管反向恢復時間最短，可達到幾十ns，但是其反向擊穿電壓過小，基本上都在100V以內。在對反向擊穿電壓要求越來越高的電路中，傳統的肖特基二極管已經明顯不能滿足要求。

快恢復二極管(Fast?Recovery?Diode，FRD)是近年來問世的新型半導體器件，具有開關特性好、反向恢復時間短、正向電流大、體積小、安裝簡便等優點。快恢復二極管的反向恢復時間一般為幾百納秒，正向壓降約為0.6V，正向電流是幾安培至幾千安培，反向峰值電壓可達幾百至幾千伏。

雖然快恢復二極管的反向擊穿電壓比肖特基二極管大，但是反向恢復時間過長，因此仍然不能滿足實際工作的需要。

【實用新型內容】

有鑒于此，有必要針對上述問題，提供一種反向擊穿電壓高且反向恢復時間短的超快恢復二極管。

一種超快恢復二極管，包括框架及焊接在框架上的至少一個芯片，所述超快恢復二極管的反向恢復時間為20-40ns，反向擊穿電壓為180V-300V。

優選的，所述超快恢復二極管是單管。

優選的，所述超快恢復二極管還包括鍵合絲、第一引腳、第二引腳，所述第一引腳與框架是絕緣的，所述第二引腳與框架是導通的，所述芯片的陰極與框架連接，所述芯片的陽極通過鍵合絲與第一引腳連接。

優選的，所述超快恢復二極管還包括鍵合絲、第一引腳、第二引腳，所述第一引腳與框架是絕緣的，所述第二引腳與框架是導通的，所述芯片的陽極與框架連接，所述芯片的陰極通過鍵合絲與第一引腳連接。

優選的，所述超快恢復二極管是共陰對管。

優選的，所述超快恢復二極管還包括鍵合絲、第一引腳、第二引腳、第三引腳，所述至少一個芯片是第一芯片和第二芯片，所述第一引腳和第二引腳與框架是絕緣的，所述第三引腳與框架是導通的，所述第一芯片和第二芯片的陰極分別與框架連接，所述第一芯片的陽極通過鍵合絲與第一引腳連接，所述第二芯片的陽極通過鍵合絲與第二引腳連接。

優選的，所述超快恢復二極管是共陽對管。

優選的，所述超快恢復二極管還包括鍵合絲、第一引腳、第二引腳、第三引腳，所述至少一個芯片是第一芯片和第二芯片，所述第一引腳和第二引腳與框架是絕緣的，所述第三引腳與框架是導通的，所述第一芯片和第二芯片的陽極分別與框架連接，所述第一芯片的陰極通過鍵合絲與第一引腳連接，所述第二芯片的陰極通過鍵合絲與第二引腳連接，所述塑封外殼密封第一芯片、第二芯片及鍵合絲。

優選的，所述超快恢復二極管采用TO-220封裝。

上述超快恢復二極管的反向恢復時間為20-40ns，反向擊穿電壓為180V-300V，由此可見，上述超快恢復二極管的反向擊穿電壓比傳統的二極管要高，反向恢復時間比傳統的二極管要短，可以很好的滿足實際工作的需要。

【附圖說明】

圖1是超快恢復二極管的內部結構原理圖。

圖2是超快恢復二極管的示意圖。

圖3是超快恢復二極管的封裝成品圖。

【具體實施方式】

圖1是超快恢復二極管的內部結構原理圖。從內部結構看，超快恢復二極管可分成單管和對管。對管內部包含兩只快恢復二極管，根據兩只二極管接法的不同，又分為共陰對管和共陽對管。圖1(a)是單管的示意圖，圖1(b)是共陰對管的示意圖，圖3(c)是共陽對管的示意圖。

圖2是超快恢復二極管的示意圖。超快恢復二極管20包括框架21、芯片22、鍵合絲23、第一引腳24、第二引腳25、第三引腳26、塑封外殼(圖未示)。第一引腳24和第二引腳25與框架21是絕緣的，第三引腳26與框架21是導通的。

現以超快恢復二極管20為共陰對管的情況進行說明。兩個芯片22的陰極直接焊接在框架21上，兩個芯片22的陽極分別通過鍵合絲23與第一引腳24和第二引腳25連接。即第一引腳24和第二引腳25是超快恢復二極管20的陽極，第三引腳26是超快恢復二極管20的陰極。單管和共陽對管的情況可依此類推。

下面對超快恢復二極管20的生產工藝進行說明。

芯片22的生產工藝包括如下步驟：

(1)、一次擴散(封閉擴散)：清洗干凈的原始硅片，1200～1250℃擴散爐恒溫擴散，采用99.9999％純家源擴散，表面濃度為1017～1018/cm3。

(2)、單面去P型：用磨片機磨掉擴散片的一面P型面。