[實用新型]具有倒Y形通孔的圓片級氣密性封裝結構有效
| 申請號: | 200920074301.3 | 申請日: | 2009-07-21 |
| 公開(公告)號: | CN201458723U | 公開(公告)日: | 2010-05-12 |
| 發明(設計)人: | 鄒波;華亞平;李莉 | 申請(專利權)人: | 深迪半導體(上海)有限公司 |
| 主分類號: | B81B7/00 | 分類號: | B81B7/00 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 201203 上海市浦東新區張*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 具有 形通孔 圓片級 氣密性 封裝 結構 | ||
技術領域
本實用新型涉及一種微機電系統(Micro-Electro-Mechanical?System,簡稱MEMS)的封裝技術,特別是涉及一種具有倒Y形通孔的圓片級氣密性封裝結構。
背景技術
隨著MEMS技術發展和商業化進程的推進,MEMS器件的封裝成為關鍵問題之一,尤其是低成本、高可靠性、多功能的圓片(圓片也可稱“晶圓”)級氣密封裝技術是MEMS技術產業化的重點研究方向。MEMS圓片級氣密封裝不僅能防止外部環境對內部器件的污染,還能防止劃片工藝對MEMS器件內部結構的破壞;而氣密封裝可以提高多種MEMS器件(如RFMEMS開關——射頻微機電系統開關、微諧振器、加速度計、陀螺等)的性能,對MEMS技術的發展和應用具有至關重要的影響。
圓片級MEMS系統氣密性封裝與傳統氣密性封裝相比,具有體積小、后續加工簡單、易與其它器件集成、成本低等優點。就其技術而言,目前主要有兩種封裝工藝:一是薄膜集成工藝。它通過在MEMS微結構釋放之前在犧牲層上沉積一層薄膜,然后通過薄膜上工藝腐蝕孔去掉犧牲層,再沉積一層薄膜密封這些工藝腐蝕孔,從而完成MEMS的氣密性封裝。此工藝具有工序簡單、成本低等優點,但沉積的薄膜一般只有幾微米的厚度,這很難在隨后的圓片切片和圓片拾取等操作中保證完好無損,成品率較低。而且沒有外引線,需要二次封裝,尚不能直接作為MEMS器件的最終外封裝。二是MEMS圓片和蓋子圓片通過無介質的硅硅鍵合或陽極鍵合,或者通過介質材料而結合在一起,形成氣密性封裝。使用介質材料封裝工藝比較靈活,材料主要包括金屬焊料、粘結劑或玻璃漿料等。其中,金屬與金屬鍵合工藝是可靠性最高、適用性最廣的技術,能在密封MEMS器件的同時,將MEMS信號引出,在蓋子圓片背面或MEMS圓片背面布上外引線及焊盤,就可作為最終外封裝直接使用。專利號為CN200610039668.2的中國專利“具有低深寬比通孔的圓片級氣密性封裝工藝”就介紹了一種可將MEMS結構內部引至蓋子圓片背面的圓片級氣密性封裝技術,但該技術比較復雜,并且在通孔內制作電鍍導線的成品率比較低,制作成本較高。
實用新型內容
本實用新型要解決的技術問題是為了克服現有技術的缺陷,提供一種具有倒Y形通孔的圓片級氣密性封裝結構,其通過在蓋子圓片和MEMS圓片之間的金屬與金屬鍵合密封一空穴來達到氣密性封裝MEMS器件的目的。同時,通過倒Y形低深寬比通孔以方便金屬淀積從而保證成品率,并且減小通孔所占面積,即作為引線將MEMS信號引到蓋子圓片背面的焊盤上。
本實用新型是通過下述技術方案來解決上述技術問題的:一種具有倒Y形通孔的圓片級氣密性封裝結構,其特征在于,其包括蓋子圓片和MEMS圓片,蓋子圓片和MEMS圓片電連接,一劃片槽穿過蓋子圓片和MEMS圓片,該蓋子圓片具有倒Y形通孔,劃片槽垂直穿過倒Y形通孔。
優選地,所述蓋子圓片包括倒V形開口和通孔垂直部分,倒V形開口和通孔垂直部分組成倒Y形通孔,倒V形開口朝向蓋子圓片的正面,通孔垂直部分朝向蓋子圓片的背面。
優選地,所述蓋子圓片正面具有壓焊塊,蓋子圓片背面具有焊盤,壓焊塊和焊盤之間通過倒Y形通孔連接。
優選地,所述蓋子圓片和MEMS圓片都具有壓焊塊和密封環,蓋子圓片的壓焊塊和密封環與MEMS圓片的壓焊塊和密封環通過加溫焊料密封焊接。
優選地,所述蓋子圓片正面具有密封用空腔和劃片槽用空腔,密封用空腔分別位于劃片槽用空腔的兩側。
優選地,所述密封用空腔和劃片槽用空腔的形狀為梯形。
本實用新型的積極進步效果在于:本實用新型通過在蓋子圓片和MEMS圓片之間的金屬與金屬鍵合密封一空穴來達到氣密性封裝MEMS器件的目的。同時,通過倒Y形低深寬比通孔以方便金屬淀積從而保證成品率,并且減小通孔所占面積,即作為引線將MEMS信號引到蓋子圓片背面的焊盤上。相比于傳統的高深寬比通孔技術,本實用新型的低深寬比通孔制造技術具有工藝易于實現、設備投資少和成品率高的優點。
附圖說明
圖1為在蓋子圓片上淀積二氧化硅和氮化硅步驟的示意圖。
圖2為形成密封用空腔和劃片槽用空腔步驟的示意圖。
圖3為電鍍步驟的示意圖。
圖4為焊接步驟的示意圖。
圖5為形成絕緣層步驟的示意圖。
圖6為去除絕緣層步驟的示意圖。
圖7為形成導電金屬步驟的示意圖。
圖8為填充步驟的示意圖。
圖9所示為本實用新型裂片后的最終單個MEMS器件立體結構示意圖。
具體實施方式
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