[實用新型]氮化鎵基大功率芯片側面出光結構無效
| 申請號： | 200920060271.0 | 申請日： | 2009-07-10 |
| 公開（公告）號： | CN201436688U | 公開（公告）日： | 2010-04-07 |
| 發明（設計）人： | 張珠文;袁富勝;李宏彥;王維昀 | 申請（專利權）人： | 東莞市福地電子材料有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 東莞市華南專利商標事務所有限公司 44215 | 代理人： | 梁永宏 |
| 地址： | 523082 廣東省*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 氮化 大功率 芯片 側面 結構 | ||
【權利要求書】：
1.氮化鎵基大功率芯片側面出光結構，包括三氧化二鋁襯底層和氮化鎵外延層，氮化鎵外延層設置在三氧化二鋁襯底層的上面，其特征在于，氮化鎵外延層的側面為斜面，側面與上表面的夾角為銳角。
2.根據權利要求1所述的氮化鎵基大功率芯片側面出光結構，其特征在于，所述氮化鎵外延層具有4個斜面，相鄰斜面之間通過圓弧過渡。
3.根據權利要求1所述的氮化鎵基大功率芯片側面出光結構，其特征在于，所述氮化鎵外延層為倒置正四棱臺形狀。
4.根據權利要求1至3任意一項所述的氮化鎵基大功率芯片側面出光結構，其特征在于，所述氮化鎵外延層的側面與上表面的夾角范圍為25-60度。
5.根據權利要求4所述的氮化鎵基大功率芯片側面出光結構，其特征在于，所述氮化鎵外延層的側面與上表面的夾角為45度。
6.根據權利要求4所述的氮化鎵基大功率芯片側面出光結構，其特征在于，所述氮化鎵外延層由P型氮化鎵子層和N型氮化鎵子層組成，P型氮化鎵子層位于N型氮化鎵子層的上方。
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