[實用新型]氮化鎵基大功率芯片散熱結構無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200920060270.6 | 申請日： | 2009-07-10 |
| 公開（公告）號： | CN201438472U | 公開（公告）日： | 2010-04-14 |
| 發(fā)明（設計）人： | 張珠文;袁富勝;李宏彥;王維昀 | 申請（專利權）人： | 東莞市福地電子材料有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00;H01S5/32;H01S5/024 |
| 代理公司： | 東莞市華南專利商標事務所有限公司 44215 | 代理人： | 梁永宏 |
| 地址： | 523082 廣東省*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 氮化 大功率 芯片 散熱 結構 | ||
【權利要求書】：
1.氮化鎵基大功率芯片散熱結構，包括三氧化二鋁襯底層和氮化鎵外延層，氮化鎵外延層設置在三氧化二鋁襯底層的上面，氮化鎵外延層由P型氮化鎵子層和N型氮化鎵子層組成，P型氮化鎵子層位于N型氮化鎵子層的上方，其特征在于，三氧化二鋁襯底層的下面設置有散熱金屬層。
2.根據(jù)權利要求書1所述的氮化鎵基大功率芯片散熱結構，其特征在于，所述散熱金屬層通過導電金屬塊與N型氮化鎵子層連接。
3.根據(jù)權利要求書2所述的氮化鎵基大功率芯片散熱結構，其特征在于，P電極金絲焊接在所述P型氮化鎵子層。
4.根據(jù)權利要求書2所述的氮化鎵基大功率芯片散熱結構，其特征在于，所述P型氮化鎵子層上面設置有透明導電層，P電極金絲焊接在透明導電層。
5.根據(jù)權利要求書4所述的氮化鎵基大功率芯片散熱結構，其特征在于，所述透明導電層通過一次性蒸鍍固定在所述P型氮化鎵子層的上面。
6.根據(jù)權利要求書2至5任意一項所述的氮化鎵基大功率芯片散熱結構，其特征在于，所述散熱金屬層通過一次性蒸鍍固定在所述三氧化二鋁襯底層的下面。
7.根據(jù)權利要求書6所述的氮化鎵基大功率芯片散熱結構，其特征在于，所述導電金屬塊通過一次性蒸鍍固定在所述三氧化二鋁襯底層的側面。
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