[發明專利]一種準分布參數微帶高通濾波器

在審

• 申請號: 201310548468.X
• 申請日: 2013-10-31
• 公開（公告）號: CN103595364A
• 公開（公告）日: 2014-02-19
• 發明（設計）人: 劉金現;馬子騰;湯柏林;孫艷成
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第四十一研究所
• 主分類號: H03H7/12
• 分類號: H03H7/12;H01P1/203
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及一種高通濾波器，尤其涉及一種準分布參數微帶高通濾波器，屬于濾波電路技術領域。

背景技術

微波高通濾波器廣泛應用于射頻及微波毫米波部件、組件或系統中，用于信號的分割、提取和抑制干擾。作為一種重要的微波部件，其種類繁多，僅按所用傳輸線類型來分，就可分為波導高通濾波器、同軸線高通濾波器、帶狀線高通濾波器、微帶高通濾波器等；按所用諧振元件類型，又可分為分布參數高通濾波器、集總參數高通濾波器及半集總、準分布參數高通濾波器。

微帶高通濾波器，輸入輸出采用微帶線，通常由串聯電容和并聯電感組合實現，其中串聯電容采用分布參數電路實現，如微帶縫隙電容、交指電容等，也可以采用分立集總參數元件如貼片電容、單層平板電容等來實現；并聯電感可以采用分布參數電路實現，如采用一定形狀的高阻微帶線來實現，也可以采用分立集總參數元件如貼片電感、線繞電感等。

使用分布參數電容的微帶高通濾波器，串聯電容一般由帶線縫隙電容或交指電容實現，高頻損耗小，但由于帶線尺寸大小受到限制、帶線間的縫隙也受到工藝條件制約，不可能太小，這種分布參數電路實現的電容容值很小，對應的微帶高通濾波器很難工作于較低的截止頻率。使用分立集總元件的微帶高通濾波器，電容和電感元件一般需要通過焊接、粘接等工藝互連到微帶傳輸線中，通過不同參數的電容和電感的組合來形成所需的微帶高通濾波器，電容、電感取值范圍大，易于實現較低截止頻率的高通濾波器，但分立集總元件寄生參數大，很難應用于較高頻段，一般使用頻率上限僅能達到幾個GHz。同時，分立集總元件容差大，實測結果與理論設計結果相差較大。

因此，能否設計一種新型的微帶高通濾波器以克服上述缺陷，成為本領域技術人員有待解決的技術難題。

發明內容

鑒于現有技術的上述缺陷，本發明旨在提供一種準分布參數微帶高通濾波器，以克服傳統微帶高通濾波器的不足，兼具分布參數與集總參數濾波器的優點，可使用的電容容值范圍大，高頻損耗小，應用范圍廣，并聯電感和串聯電容均可高精度實現。

本發明是這樣實現的，該準分布參數微帶高通濾波器包括：

絕緣介質基片；

信號輸入端和信號輸出端，形成于所述的絕緣介質基片之上；

多個集成于微帶線的電容，形成于所述的絕緣介質基片之上，所述的多個電容彼此串聯且連接于所述的信號輸入端和信號輸出端之間；

至少一個微帶線電感，形成于所述的絕緣介質基片之上，所述的微帶線電感的一端通過主路微帶線與電容相連，另一端接地。

在一些技術方案中，絕緣介質基片為平板狀，微帶線、電容和微帶線電感通過薄膜光刻形成，電容為薄膜電容。

在一些技術方案中，絕緣介質基片為氧化鋁基片、人造白寶石基片、氮化鋁基片等硬質微波基片，厚度介于0.1mm-1mm之間。

在一些技術方案中，薄膜電容的介質材料為聚酰亞胺。

在一些技術方案中，微帶線電感通過金屬化過孔接地。

在一些技術方案中，為7階濾波器，包括4個串聯薄膜電容和3個并聯電感。

在一些技術方案中，微帶線電感由高阻抗微帶線實現，微帶線可以是直線、螺旋或折線形狀。

與現有技術相比，本發明的有益效果如下：

1)所使用的串聯電容是集成于微帶線中的薄膜電容，可使用的電容容值范圍大，進而使得高通濾波器的截止頻率既可以工作于較低頻率，也可以工作于很高的頻率；

2)濾波器中的微帶傳輸線、電容及電感等元件均通過薄膜光刻工藝實現，參數精度高且易控制；

3)集成度好、插損低，兼具分布參數與集總參數濾波器的優點；

4)制作工藝精度高，該類型濾波器設計與實測結果非常接近。

以下將結合附圖對本發明的構思、具體結構及產生的技術效果作進一步說明，以充分地了解本發明的目的、特征和效果。

附圖說明

圖1為本發明的一種準分布參數微帶高通濾波器一具體實施方式的結構示意圖。

圖2為圖1的等效電路圖。

具體實施方式

如圖1所示為本發明一具體實施方式，該準分布參數微帶高通濾波器包括：

a、絕緣介質基片；

b、信號輸入端和信號輸出端，形成于所述的絕緣介質基片之上；

c、多個集成于微帶線的電容，形成于所述的絕緣介質基片之上，所述的多個電容彼此串聯且連接于所述的信號輸入端和信號輸出端之間；