[實(shí)用新型]新型孤島型再布線芯片封裝結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200920039063.2
• 申請(qǐng)日: 2009-05-11
• 公開（公告）號(hào): CN201402803Y
• 公開（公告）日: 2010-02-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張黎;陳棟;曹凱;陳錦輝;賴志明
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 江陰長(zhǎng)電先進(jìn)封裝有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/485
• 分類號(hào): H01L23/485;H01L23/488;H01L23/31;H01L23/29
• 代理公司: 江陰市同盛專利事務(wù)所
• 代理人: 唐紉蘭

1、一種新型孤島型再布線芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述芯片封裝結(jié)構(gòu)包括芯片本體(101)、芯片電極(102)、芯片表面鈍化層(103)、孤島應(yīng)力緩沖層(104)、再布線金屬層(105)、再布線金屬表面保護(hù)層(106)和應(yīng)力緩沖層上焊料凸點(diǎn)(107)，所述芯片電極(102)設(shè)置在芯片本體(101)上，芯片表面鈍化層(103)復(fù)合在芯片本體(101)表面以及芯片電極(102)外緣和表面外周邊，而芯片電極(102)表面的中間部分露出芯片表面鈍化層(103)，所述孤島應(yīng)力緩沖層(104)設(shè)置在芯片表面鈍化層(103)上，所述再布線金屬層(105)覆蓋在芯片表面鈍化層(103)表面、露出芯片表面鈍化層(103)的芯片電極(102)表面中間部分以及孤島應(yīng)力緩沖層(104)的表面，所述再布線金屬表面保護(hù)層(106)覆蓋在再布線金屬層(105)的表面，且露出孤島應(yīng)力緩沖層(104)頂部上方中間部分的凸點(diǎn)下金屬層(105A)，所述應(yīng)力緩沖層上焊球凸點(diǎn)(107)凸出設(shè)置在所述凸點(diǎn)下金屬層(105A)表面。

2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種新型孤島型再布線芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述孤島應(yīng)力緩沖層(104)全部被再布線金屬層(105)所覆蓋。

3、根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種新型孤島型再布線芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述孤島應(yīng)力緩沖層(104)一側(cè)側(cè)壁不被再布線金屬層(105)所覆蓋，其余均被再布線金屬層(105)所覆蓋。

4、根據(jù)權(quán)利要求1、2或3所述的一種應(yīng)用于圓片級(jí)封裝中的低應(yīng)力再布線芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述孤島應(yīng)力緩沖層(104)一側(cè)側(cè)壁部分不被再布線金屬層(105)所覆蓋，其余均被再布線金屬層(105)所覆蓋。

5、根據(jù)權(quán)利要求1、2或3所述的一種新型孤島型再布線芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述孤島應(yīng)力緩沖層(104)為高分子絕緣材料。

6、根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種新型孤島型再布線芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述高分子絕緣材料為聚酰亞胺或環(huán)氧樹脂。

7、根據(jù)權(quán)利要求1、2或3所述的一種新型孤島型再布線芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述再布線金屬層(105)為單層或多層金屬材料。