[實用新型]一種太陽能電池

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200920036706.8
• 申請日: 2009-02-23
• 公開（公告）號: CN201425943Y
• 公開（公告）日: 2010-03-17
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 婁朝剛;孫強;雷威;張曉兵;孫彥錚;許軍
• 申請（專利權(quán)）人: 東南大學(xué);中國電子科技集團公司第十八研究所
• 主分類號: H01L31/042
• 分類號: H01L31/042
• 代理公司: 南京經(jīng)緯專利商標代理有限公司
• 代理人: 葉連生

1.一種太陽能電池，其特征是電池結(jié)構(gòu)為：從下至上包括背電極層(1)、底電池層、過渡層、下隧穿結(jié)層、中間電池層、上隧穿結(jié)層、頂電池層、減反射膜層(14)和上電極層(15)，其中：

底電池層從下至上由p型Ge單晶襯底(2)與n型Ge外延層(3)組成；

過渡層為n型GaAs層a(4)；

下隧穿結(jié)層從下至上由重摻雜的n型GaAs層a(5)與重摻雜的p型GaAs層a(6)組成；

中間電池層從下至上由p型GaAs層(7)、n型GaAs層b(9)以及夾在所述p型GaAs層(7)與n型GaAs層b(9)中間的量子阱結(jié)構(gòu)(8)組成，所述量子阱結(jié)構(gòu)(8)分為量子阱層和勢壘層，量子阱層和勢壘層均由三五簇半導(dǎo)體材料制成；

上隧穿結(jié)層從下至上由重摻雜的n型GaAs層b(10)與重摻雜的p型GaAs層b(11)組成；

頂電池層從下至上由p型GaInP層(12)與n型GaInP層(13)組成。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池，其特征是制成量子阱層的三五簇半導(dǎo)體材料為GaInP、GaAs、InGaAs、GaAlP、AlGaAs或GaAsP，制成勢壘層的三五簇半導(dǎo)體材料為GaInP、GaAs、InGaAs、GaAlP、AlGaAs或GaAsP。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池，其特征是所述量子阱結(jié)構(gòu)(8)是單量子阱結(jié)構(gòu)或多量子阱結(jié)構(gòu)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池，其特征是所述量子阱結(jié)構(gòu)(8)中，量子阱層的厚度為1-200納米，勢壘層的厚度為1-300納米。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池，其特征是所述減反射膜層(8)是氧化物、氮化物或氟化物薄膜。