[實用新型]集成電路芯片結構

無效

• 申請號: 200920002913.1
• 申請日: 2009-01-16
• 公開（公告）號: CN201336308Y
• 公開（公告）日: 2009-10-28
• 發明（設計）人: 任翀
• 申請（專利權）人: BCD半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L27/04
• 分類號: H01L27/04;H01L23/485
• 代理公司: 上海智信專利代理有限公司
• 代理人: 王 潔

1.一種集成電路芯片結構，其特征在于包括：

半導體襯底；

N型或P型摻雜區，多晶硅，絕緣層和多層金屬布線等結構，制作在所述半導體襯底上；

鈍化層，沉積在上述結構上，其具有多個光刻形成的連接孔；

多個頂層金屬區域，電鍍形成于所述多個連接孔上，

其中所述多個第二金屬區域下部具有阻擋層，上部具有保護層。

2.根據權利要求1所述的集成電路芯片結構，其特征在于所述阻擋層為Ti、TiN、Ta或TaN層。

3.根據權利要求1所述的集成電路芯片結構，其特征在于所述阻擋層的厚度為300埃～3000埃。

4.根據權利要求1所述的集成電路芯片結構，其特征在于所述多個頂層金屬區域為銅金屬層。

5.根據權利要求1所述的集成電路芯片結構，其特征在于所述多個頂層金屬區域的厚度為3μm～50μm?。

6.根據權利要求1所述的集成電路芯片結構，其特征在于所述保護層包括Ni金屬層和Sn或Au金屬層。

7.根據權利要求1所述的集成電路芯片結構，其特征在于所述保護層的厚度為500埃～5000埃。