[發(fā)明專利]影像感測(cè)器及相機(jī)模組無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200910302602.1 | 申請(qǐng)日: | 2009-05-25 |
| 公開(公告)號(hào): | CN101901817A | 公開(公告)日: | 2010-12-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張仁淙 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司;鴻海精密工業(yè)股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/146 | 分類號(hào): | H01L27/146;G02B7/02;G02B7/00;H04N5/335 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 518109 廣東省深圳市*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 影像 感測(cè)器 相機(jī) 模組 | ||
1.一種影像感測(cè)器,其包括一光感測(cè)芯片,該光感測(cè)芯片包括一個(gè)基板,多個(gè)微透鏡,及形成于該基板內(nèi)的多個(gè)光感測(cè)單元,該多個(gè)光感測(cè)單元與該多個(gè)微透鏡一一對(duì)應(yīng),該微透鏡用于將光線匯聚至與其對(duì)應(yīng)的光感測(cè)單元,其特征在于,位于基板中心區(qū)域的微透鏡相對(duì)于基板表面的高度小于位于基板周邊區(qū)域的微透鏡相對(duì)于基板表面的高度。
2.如權(quán)利要求1所述的影像感測(cè)器,其特征在于,每個(gè)微透鏡具有一個(gè)曲面體及與該曲面體相連的主體部,該主體部與與其對(duì)應(yīng)的光感測(cè)單元相接觸,該主體部的厚度由該基板的中心區(qū)域至周邊區(qū)域是逐漸增大的。
3.如權(quán)利要求2所述的影像感測(cè)器,其特征在于,該曲面體的截面為半圓形。
4.如權(quán)利要求1所述的影像感測(cè)器,其特征在于,該光感測(cè)芯片還包括多個(gè)濾光片,該多個(gè)濾光片分別設(shè)置于每個(gè)微透鏡與每個(gè)光感測(cè)單元之間。
5.如權(quán)利要求4所述的影像感測(cè)器,其特征在于,該濾光片的厚度由該基板的中心區(qū)域至周邊區(qū)域是逐漸增大的。
6.如權(quán)利要求4所述的影像感測(cè)器,其特征在于,該多個(gè)濾光片遠(yuǎn)離于基板的表面共同構(gòu)成一拋物面的一部分,該拋物面以背離于該基板的方向延伸。
7.一種相機(jī)模組,其包括:一鏡筒;一鏡座;一鏡片;一影像感測(cè)器,所述影像感測(cè)器收容在所述鏡座內(nèi),該影像感測(cè)器包括一光感測(cè)芯片,該光感測(cè)芯片包括一個(gè)基板,多個(gè)微透鏡,及形成于該基板內(nèi)的多個(gè)光感測(cè)單元,該多個(gè)光感測(cè)單元與該多個(gè)微透鏡一一對(duì)應(yīng),該微透鏡用于將光線匯聚至與其對(duì)應(yīng)的光感測(cè)單元,其特征在于,位于基板中心區(qū)域的微透鏡相對(duì)于基板表面的高度小于位于基板周邊區(qū)域的微透鏡相對(duì)于基板表面的高度。
8.如權(quán)利要求7所述的相機(jī)模組,其特征在于,每個(gè)微透鏡具有一個(gè)曲面體及與該曲面體相連的主體部,該主體部與與其對(duì)應(yīng)的光感測(cè)單元相接觸,該主體部的厚度由該基板的中心區(qū)域至周邊區(qū)域是逐漸增大的。
9.如權(quán)利要求7所述的相機(jī)模組,其特征在于,該光感測(cè)芯片還包括多個(gè)濾光片,該多個(gè)濾光片分別設(shè)置于每個(gè)微透鏡與每個(gè)光感測(cè)單元之間。
10.如權(quán)利要求9所述的相機(jī)模組,其特征在于,該濾光片的厚度由該基板的中心區(qū)域至周邊區(qū)域是逐漸增大的。
11.如權(quán)利要求9所述的相機(jī)模組,其特征在于,該多個(gè)濾光片遠(yuǎn)離于基板的表面共同構(gòu)成一拋物面的一部分,該拋物面以背離于該基板的方向延伸。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
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