[發(fā)明專利]采用體電位調(diào)制器的C類反向器無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200910301327.1 | 申請日: | 2009-04-03 |
| 公開(公告)號: | CN101510769A | 公開(公告)日: | 2009-08-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 羅豪;韓雁;黃小偉;蔡坤明;張昊;韓曉霞 | 申請(專利權(quán))人: | 浙江大學(xué) |
| 主分類號: | H03K3/01 | 分類號: | H03K3/01;H03K3/356 |
| 代理公司: | 貴陽中新專利商標事務(wù)所 | 代理人: | 吳無懼;劉思寧 |
| 地址: | 310027*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 采用 電位 調(diào)制器 反向 | ||
1.一種體電位調(diào)制器,其特征在于:它包括
目標MOS器件(30),體電位調(diào)制器的應(yīng)用對象,體電位可調(diào);
感應(yīng)MOS器件(31),用于“感應(yīng)”目標MOS器件(30)在不同工藝角和溫度情況下的參數(shù)變化特征;
感應(yīng)電流轉(zhuǎn)電壓電路(32),用于感應(yīng)電流到電壓的轉(zhuǎn)化,同時將感應(yīng)電流的變化特征實時地反映到輸出電壓上;
反饋電路(33),用于將感應(yīng)電流轉(zhuǎn)電壓電路(32)的輸出電壓反饋到目標MOS器件(31)的體端,實現(xiàn)體電位調(diào)制;
感應(yīng)MOS器件(31)與目標MOS器件(30)寬長比成比例,版圖匹配對稱,且柵源偏置電壓相同。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的體電位調(diào)制器,其特征在于:感應(yīng)MOS器件(31)的感應(yīng)電流輸出端依次連接感應(yīng)電流轉(zhuǎn)電壓電路(32)、反饋電路(33)以及目標MOS器件(30)體端,形成“感應(yīng)反饋”環(huán)路。
3.一種C類反向器,它包括
C類反向器模塊(70),用于實現(xiàn)運算放大功能;
其特征在于:它還包括
PMOS體電位調(diào)制器(71),用于反向器PMOS輸入管的體電位調(diào)制,它的主體結(jié)構(gòu)由一個PMOS管和一個高精密電阻組成,其中反向器PMOS輸入管為目標MOS器件(30),而體電位調(diào)制器中的PMOS管為感應(yīng)MOS器件(31),感應(yīng)PMOS管的漏端連接高精密電阻的通路組成感應(yīng)電流轉(zhuǎn)電壓電路(32),高精密電阻連接目標PMOS管體端的通路組成反饋電路(33);
NMOS體電位調(diào)制器(72),用于反向器NMOS輸入管的體電位調(diào)制,它的主體結(jié)構(gòu)由一個NMOS管和一個高精密電阻組成,其中反向器NMOS輸入管為目標MOS器件(30),而體電位調(diào)制器中的NMOS管為感應(yīng)MOS器件(31),感應(yīng)NMOS管的漏端連接高精密電阻的通路組成感應(yīng)電流轉(zhuǎn)電壓電路(32),高精密電阻連接目標NMOS管體端的通路組成反饋電路(33);
在PMOS體電位調(diào)制器(71)和NMOS體電位調(diào)制器(72)中,感應(yīng)MOS管的柵源電壓與對應(yīng)的反向器輸入管穩(wěn)態(tài)時的柵源偏置電壓相同,且其寬長比成比例,版圖匹配對稱。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的C類反向器,其特征在于:C類反向器模塊(70)的主體結(jié)構(gòu)是一個簡單型反向器或者是共源共柵型反向器。
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