[發明專利]基板處理裝置有效
| 申請號: | 200910258112.6 | 申請日: | 2009-12-10 |
| 公開(公告)號: | CN101799624A | 公開(公告)日: | 2010-08-11 |
| 發明(設計)人: | 水永耕市 | 申請(專利權)人: | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號: | G03F7/00 | 分類號: | G03F7/00;H01L21/00 |
| 代理公司: | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇;張會華 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 處理 裝置 | ||
技術領域
本發明涉及一種例如半導體晶圓、液晶顯示器用的玻璃基 板(FPD基板)這樣的基板的處理裝置。
背景技術
作為半導體器件、FPD基板的制造工藝之一的在基板上形 成抗蝕劑圖案的工序,利用通過在基板例如半導體晶圓(以下 稱作晶圓)上形成抗蝕劑膜、使用光掩模將該抗蝕劑膜曝光之 后進行顯影處理而獲得期望圖案的一連串工序來進行,這些一 連串工序以往利用涂敷、顯影裝置來進行。
例如,利用該顯影裝置完成顯影處理后的晶圓進行后烘烤 (post?baking)的加熱處理,通過顯影形成抗蝕劑圖案之后, 通過使殘留在抗蝕劑膜中或者表面上的顯影液、沖洗液蒸發而 將其除去。這是用于使抗蝕劑固化并強化其與晶圓的緊貼性的 熱處理。例如以130℃~200℃的溫度進行。
該后烘烤處理結束,晶圓會返回到盒站的盒(FOUP)中, 將高溫處理后的晶圓自加熱處理裝置取出而在溫度較高的狀態 下容納于盒(FOUP)中。于是,存在盒(FOUP)蓄熱的問 題、因晶圓的溫度下降不均勻而導致晶圓翹曲的情況。
為了解決上述問題,以往,在盒站與處理站之間設置也用 于晶圓交接的冷卻載置臺(TCP),該冷卻載置臺構成為能利用 汽缸等的驅動使用于保持基板的能突出、沒入的多個支承銷上 下運動。該冷卻載置臺在其內部通入有冷卻水,是能夠將載置 的基板冷卻至規定的溫度的構造(例如參照專利文獻1)。
采用專利文獻1所述的技術,通過在使后烘烤處理后的高 溫的晶圓從處理站返回到載體站時使其通過該交接冷卻載置 臺,能夠將晶圓降低溫度后容納于盒中。
另外,在專利文獻1所述的內容中存在這樣的情況,即, 在對晶圓進行抗蝕液的涂敷處理之后,利用曝光機對電路圖案 進行曝光處理,然后在接口部接收晶圓,在交接到處理站后進 行加熱處理的晶圓流動時,將設置于沿縱向排列的處理裝置群 G4上的冷卻裝置用作交接臺。在這種情況下,能夠在將通過的 晶圓溫度調整為無偏差的狀態之后,供接下來的處理部進行處 理。
專利文獻1:日本特開平11-54428號公報(第0027段, 圖1、圖3~圖7);
但是,最近的高生產率的涂敷、顯影裝置尋求應對處理單 元的處理高效率化、并且輸送裝置的處理速度也變快的、應對 高生產率的曝光機,例如每1小時的處理能力為180張~250張 等能夠進行高速處理的系統。因此,努力地極力減少無用的時 間。
其中,在專利文獻1所述的交接冷卻處理裝置的構造中, 采取由輸送裝置的臂將晶圓交接到冷卻載置臺上時,在暫時使 3個支承銷保持晶圓之后使其下降而將晶圓冷卻的方法。另外, 接收晶圓側的輸送裝置的臂也構成為,在利用支承銷使冷卻后 的晶圓上升待機的時機接收晶圓。
因此,為了提高生產率,為了以專利文獻1所述的構造進 行應對,需要增加搭載的數量,需要確保搭載空間、重新研究 冷卻水供給、重新研究輸送裝置的移動軸等進行多種研究和應 對。
發明內容
本發明即是在這樣的狀況下做成的,其目的在于提供一種 在高生產率的系統中削減無用的時間、具有交接基板的功能且 迅速地將高溫的基板降溫調節至規定溫度的基板處理裝置。
為了解決上述問題,本發明的基板處理裝置包括:用于對 基板進行加熱處理的加熱處理部、自加熱處理部接收由上述加 熱處理部加熱處理后的基板并將其載置于交接部的第1基板輸 送部件、具有自上述交接部接收被載置于該交接部的基板并將 其輸送的板狀的基板保持部的第2基板輸送部件,其特征在于, 上述交接部包括:載置臺,其具有載置基板的冷卻面;溫度調 節流路,其設置在上述載置臺的內部,流通有用于將該載置臺 冷卻至比上述加熱處理溫度低的溫度的溫度調節水;凹部,其 設置于上述載置臺的冷卻面上,并且是比上述第2基板輸送部 件的基板保持部的平面形狀稍大一些的相似形狀,而且能夠使 上述基板保持部的保持平面相對于上述冷卻面突出、沒入(技 術方案1)。
通過這樣地構成,在基板輸送部件與基板交接部之間的基 板的交接控制中,即使不進行以往所使用的將基板交接到基板 支承銷的動作,也能夠將基板直接載置于載置臺的冷卻面上, 因此,能夠縮短加熱處理后的基板的冷卻時間。
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