[發明專利]發光元件

無效

• 申請號: 200910253359.9
• 申請日: 2009-12-07
• 公開（公告）號: CN101859854A
• 公開（公告）日: 2010-10-13
• 發明（設計）人: 今野泰一郎;谷毅彥
• 申請（專利權）人: 日立電線株式會社
• 主分類號: H01L33/06
• 分類號: H01L33/06
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 鐘晶

1.一種發光元件，其具有：

半導體基板，

具有設置于所述半導體基板上方的活性層的發光層部，

設置于所述半導體基板與所述活性層之間、反射所述活性層所發出的光的第1反射層，

設置于所述半導體基板與所述第1反射層之間、反射與所述第1反射層所反射的光的波長不同的光的第2反射層。

2.根據權利要求1所述的發光元件，其中，所述第2反射層反射比所述第1反射層所反射的光的波長更長的光。

3.根據權利要求2所述的發光元件，其中，

所述活性層由第1導電型的第1包覆層以及與所述第1導電型不同的第2導電型的第2包覆層夾持而構成所述發光層部，

進一步具有在所述第2包覆層的與所述活性層相反一側隔著介質層而設置的第2導電型的電流分散層，同時，所述介質層由具有構成所述第2包覆層的半導體的帶隙能量與構成所述電流分散層的半導體的帶隙能量之間的帶隙能量的半導體形成。

4.根據權利要求3所述的發光元件，其中，

所述第1反射層具有折射率相互不同的一方的第1半導體層與另一方的第1半導體層構成的第1對層，而且，所述一方的第1半導體層以及所述另一方的第1半導體層都具有比所述活性層所發出的光的能量高的帶隙能量，

所述第2反射層具有折射率相互不同的一方的第2半導體層與另一方的第2半導體層構成的第2對層，而且，所述一方的第2半導體層以及所述另一方的第2半導體層的任意一個具有與所述活性層所發出的光的能量相同或更小的帶隙能量。

5.根據權利要求4所述的發光元件，其中，構成所述第1反射層的所述一方的第1半導體層以及所述另一方的第1半導體層，以及構成所述第2反射層的所述一方的第2半導體層以及所述另一方的第2半導體層都具有比所述半導體基板的帶隙能量大的帶隙能量。

6.根據權利要求5所述的發光元件，其中，構成所述第1反射層的所述一方的第1半導體層以及所述另一方的第1半導體層分別具有厚度d₁，以所述活性層所發出的光的峰波長為λ_P1，所述一方的第1半導體層以及所述另一方的第1半導體層的折射率分別為n₁的情況下，厚度d₁滿足關系式

d₁＝λ_P1/(4×n₁)×x

其中，0.7≤x≤1.3。

7.根據權利要求6所述的發光元件，其中，構成所述第2反射層的所述一方的第2半導體層以及所述另一方的第2半導體層分別具有厚度d₂，以波長λ_P2的范圍為850nm以上900nm以下，所述一方的第2半導體層以及所述另一方的第2半導體層的折射率分別為n₂的情況下，厚度d₂滿足關系式

d₂＝λ_P2/(4×n₂)×x

其中，0.7≤x≤1.3。

8.根據權利要求7所述的發光元件，其中，所述第1反射層含有10對以上20對以下的所述第1對層，所述第2反射層含有2對以上5對以下的所述第2對層。

9.根據權利要求8所述的發光元件，其中，在所述活性層所發出的光入射的情況下，所述半導體基板發出波長長于該光波長的光。

10.根據權利要求9所述的發光元件，其中，在所述半導體基板與所述第2反射層之間還具有緩沖層，所述緩沖層具有低于所述半導體基板的載流子密度的載流子密度。

11.根據權利要求10所述的發光元件，其中，所述活性層由多重量子阱構成，

進一步具有第1插入層以及第2插入層，

所述第1插入層設置于所述活性層與所述第1包覆層之間，具有低于所述第1包覆層的載流子密度的載流子密度，

所述第2插入層設置于所述活性層與所述第2包覆層之間，具有低于所述第2包覆層的載流子密度的載流子密度。