[發(fā)明專利]TMR高靈敏度抗磁性磁敏電阻及其制造方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200910248942.0 | 申請(qǐng)日： | 2009-12-29 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN101777623A | 公開（公告）日： | 2010-07-14 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 孟慶波;王學(xué)禮 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 王學(xué)禮;孟慶波 |
| 主分類號(hào)： | H01L43/08 | 分類號(hào)： | H01L43/08;H01L43/10;H01L43/12 |
| 代理公司： | 沈陽(yáng)科苑專利商標(biāo)代理有限公司 21002 | 代理人： | 張宇晨 |
| 地址： | 115000遼寧省*** | 國(guó)省代碼： | 遼寧;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | tmr 靈敏度 抗磁性 電阻 及其 制造 方法 | ||
1.TMR高靈敏度抗磁性磁敏電阻，由硅片(2)、金屬膜及鋁電極(3)構(gòu)成，其特征是：金屬膜為鉍金屬膜(1)，鉍金屬膜的圖形為螺旋形圖形。
2.TMR高靈敏度抗磁性磁敏電阻的制造方法，包括：硅片氧化、高真空鍍膜、固膠、腐蝕圖形、一次處理、二次處理及后處理工藝，其特征是：將氧化處理的單晶硅片放置于真空鍍膜機(jī)內(nèi)，將乙醇與高純度金屬材料鉍粉調(diào)合的鉍粉漿料涂復(fù)在鍍膜機(jī)鎢絲加熱器上，然后鍍膜機(jī)開始抽低真空，真空度為5×10-3乇，當(dāng)真空度達(dá)到時(shí)，再進(jìn)行抽高真空，真空度為5×10-6乇，當(dāng)達(dá)到真空度時(shí)，啟動(dòng)鎢絲加溫器升溫，當(dāng)溫度達(dá)到1650℃時(shí)鉍粉開始熔化揮發(fā)，然后停止加溫，鉍粉揮發(fā)對(duì)硅片表面鍍膜，鍍膜時(shí)間為3～5分鐘，然后降壓，鍍膜的厚度為2000～3000埃。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于所涉及的金屬鉍粉漿料是高純度鉍粉與乙醇配合而成，鉍粉和乙醇的配合比例為的3～5g∶10～15g，作為一次鍍膜材料用量，鉍粉的純度為99.999％。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征是在二次處理工藝中二次光刻的光刻板圖形為螺旋形圖形。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征是在二次處理工藝中涉及的鋁電極的腐蝕液的成份是：硫酸鈰、硝酸、純凈水，其比例為1∶4∶10，比例為重量份比。
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