[發明專利]氣體供應系統及方法在審
| 申請號: | 200910246907.5 | 申請日: | 2009-12-01 |
| 公開(公告)號: | CN101899652A | 公開(公告)日: | 2010-12-01 |
| 發明(設計)人: | 范振華 | 申請(專利權)人: | 東莞宏威數碼機械有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/455 | 分類號: | C23C16/455 |
| 代理公司: | 廣州三環專利代理有限公司 44202 | 代理人: | 張艷美;郝傳鑫 |
| 地址: | 523018 廣東省東莞南城區宏*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 氣體 供應 系統 方法 | ||
技術領域
本發明涉及一種氣體供應系統及方法,尤其涉及一種適用于利用化學氣相沉積方式鍍膜的氣體供應系統及方法。
背景技術
隨著經濟社會的發展,科技的不斷進步和世界能源的日益減少,人們在生產中不斷尋求開發新能源技術,太陽能既是一次能源,又是可再生能源。它資源豐富,既可免費使用,又無需運輸,對環境無任何污染,成為一種具有廣泛應用前景的新能源技術,太陽能利用產業因此得到迅猛發展。非晶硅太陽能電池是近年來國際上新發展起來的一項太陽能電池新技術。非晶硅薄膜太陽能電池的硅材料厚度只有1微米左右,是單晶硅太陽能電池硅材料厚度的1/200-1/300,與單晶硅太陽能電池相比,制備這種薄膜所用硅原料很少,薄膜生長時間較短,設備制造簡單,容易大批量連續生產,根據國際上有關專家的估計,非晶硅薄膜太陽能電池是目前能大幅度降低成本的最有前途的太陽能電池。目前,非晶硅薄膜太陽能電池的制作方法主要采用的是化學氣象沉積方法(Chemical?Vapor?Deposition:CVD)。
化學化學氣相沉積法是利用化學反應由原料氣體形成膜的成膜方法,在工業上廣泛地應用于從以半導體裝置為首的微細器件的薄膜的形成到米量級的物體的涂敷。近年,化學化學氣相沉積法也被廣泛用于具有對角1米以上的薄膜太陽能電池板的制造。采用化學氣相沉積法鍍膜目前最難以突破的技術瓶頸是在如何保證補給氣體的供應系統和方法,因為補給氣體供應是否均勻將涉及整體的鍍膜均勻度問題。現有的氣體供應系統及方法由于導入的氣體不均勻,只是通過設置不同長度的噴氣孔,即在厚度不均勻的噴氣板上根據不同的位置選取開設不同的噴氣孔,來改變噴氣流量,使噴出的氣體均勻,然而采用這種利用噴淋板上噴氣孔的長度不同來控制氣體流量以獲得均勻氣體的設計,很難達到精度要求,供應的氣體不夠均勻,從而影響鍍膜時的薄膜成分及膜厚不均勻性差別較大,影響了半導體制品的質量穩定性和成品率。
因此,有必要提供一種能噴射出具有較高均勻度的氣體的氣體供應系統及方法。
發明內容
本發明的目的是提供一種能噴射出具有較高均勻度的氣體的氣體供應系統。
本發明的另一目的在于提供一種能噴射出具有較高均勻度的氣體的氣體供應方法。
為實現上述目的,本發明提供了一種氣體供應系統,包括主進氣管、多級分流管路及匯流裝置。所述主進氣管將外界氣體發生裝置所產生的氣體引入;所述多級分流管路對所述主進氣管所引入的氣體進行多級分流,所述多級分流管路至少有兩級,下一級分流管路與上一級分流管路連通且下一級分流管路的分流管數量是上一級分流管路的分流管數量的n倍,處于同一分流級的各分流管路對稱設置,所述多級分流管路的第一級分流管路與所述主進氣管連通,其中,n為大于等于2的自然數;所述匯流裝置開設有均勻分布的噴氣孔,所述多級分流管路的末級管路分別與所述匯流裝置連通。
較佳地,所述多級分流管路的下一級分流管路的分流管的管徑小于上一級分流管路的分流管的管徑。由于下一級管路是對上一級管路中的氣體進行分流,其管路中的氣體流量逐級減小,采用此種設計,有利于節約成本,使結構更加合理緊湊。
較佳地,還包括有多個排氣管,所述排氣管容置于所述匯流裝置中且分別與所述多級分流管路的末級分流管路的分流管連通。所述排氣管上均勻開設有排氣孔,所述排氣孔的軸向方向與所述匯流裝置的噴氣孔的軸向方向垂直。通過排氣管把多級分流后的氣體均勻地排入到匯流裝置中,所述排氣孔的軸向方向與所述匯流裝置的噴氣孔的軸向方向垂直,從而使得匯流裝置中的氣體能更有效快速趨于平衡,使得匯流裝置的噴氣孔噴出的氣體均勻性較高,提高成膜的穩定性和成品率。
較佳地,還包括有多個緩沖腔,多個所述緩沖腔分別設置在所述主進氣管與所述第一級分流管路之間、多級分流管路的上一級分流管路和下一級分流管路之間。所述緩沖腔可儲存一定的氣體,具有緩沖過度功能,從而使下一級管路對上一級管路的分流更加均勻。
本發明提供的一種氣體供應方法,包括以下步驟:提供主進氣管,用于將外界氣體發生裝置所產生的氣體引入;提供多級分流管路,用于對所述主進氣管所引入的氣體進行多級分流,所述多級分流管路至少有兩級,下一級分流管路與上一級分流管路連通且下一級分流管路的分流管數量是上一級管路的分流管數量的n倍,處于同一分流級的各分流管路對稱設置,所述多級分流管路的第一級分流管路與所述主進氣管連通,其中,n為大于等于2的自然數;提供匯流裝置,所述匯流裝置開設有均勻分布的噴氣孔,所述多級分流管路的末級管路分別與所述匯流裝置連通。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





