[發明專利]在適形接觸掩模電鍍操作期間監測沉積質量的方法和裝置

無效

• 申請號: 200910246087.X
• 申請日: 2003-05-07
• 公開（公告）號: CN101724875A
• 公開（公告）日: 2010-06-09
• 發明（設計）人: 張剛;A·L·科恩
• 申請（專利權）人: 南加州大學
• 主分類號: C25D5/02
• 分類號: C25D5/02;C25D5/12;C25D21/12;C25D1/00
• 代理公司: 北京戈程知識產權代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉;孫向民

本申請是申請號為03813332.6、申請日為2003年5月7日、發明名稱為“用于在適形接觸掩模電鍍操作期間監測沉積質量的方法和裝置”的中國專利申請的分案申請。

相關申請

本申請要求在2002年5月7日遞交的美國臨時專利申請第60/379,132號的優先權，這個申請所提及的全部內容以參考的方式合并于此。

政府支持

在由DARPA授予的準予號DABT63-97-C-0051的政府支持下做出了本發明的某些方面的某些實施例。政府可以有某些權利。

技術領域

本發明的實施例涉及電化學制造領域和關聯的材料的電化學沉積，其中一些包括依照期望的截面結構對選擇性圖形化操作(例如，選擇性電化學沉積操作)使用掩模，以及在一些實施例中，其依照從沉積材料的多個粘結層構建多層三維結構。

背景技術

Adam?L?Cohen發明了一種從多個粘結層形成三維結構(例如部件，元件，器件等)的技術，該技術是公知的電化學制造技術。該技術由加利福尼亞的Burbank的公司商業化研究，命名為EFAB^TM。在2000年2月22日公開的美國專利第6,027,630號中描述了此項技術。此項電化學沉積技術允許使用一種獨特的掩模技術選擇地沉積材料，該掩模技術包括使用一個掩模，該掩模包括位于支承結構上的圖形化的適形材料，該支承結構與其上將進行電鍍的襯底獨立。當希望使用該掩模執行電沉積時，在電鍍液存在的同時使該掩模的適形部分與襯底相接觸，以使該掩模的適形部分與襯底的接觸禁止在選定位置的沉積。為了方便，這些掩模一般稱為適形接觸掩模；該掩模技術一般稱為適形接觸掩模電鍍處理。更具體而言，在加利福尼亞的Burbank的公司的術語中，這些掩模通常稱為INSTANT?MASK^TM和此過程稱為INSTANT?MASKING^TM或INSTANT?MASK^TM電鍍。使用適形接觸掩模電鍍的選擇性沉積可用于形成單層材料或可用于形成多層結構。專利6,027,630的教導中所提及的全部內容以參考的方式合并于此。由于遞交了產生上述專利的專利申請，所以公開各種有關適形接觸掩模電鍍(即，INSTANT?MASKING)和電化學制造的文獻：

1.A.Cohen、G.Zhang、F.Tseng、F.Mansfeld、U.Frodis和P.Will，“EFAB：Batch?production?of?functional，fully-dense?metalparts?with?micro-scale?features”，Proc.9th?Solid?Freeform?Fabrication，The?University?of?Texas?at?Austin，p161，Aug.1998。

2.A.Cohen、G.Zhang、F.Tseng、F.Mansfeld、U.Frodis和P.Will，“EFAB：Rapid，Low-Cost?Desktop?Micromachining?of?HighAspect?Ratio?True?3-D?MEMS”，Proc.12th??IEEE?Micro?ElectroMechanical?Systems?Workshop，IEEE，p244，Jan?1999。

3.A.Cohen，“3-D??Micromachining?by?ElectrochemicalFabrication”，Micromachine?Devices，March?1999。

4.G.Zhang、A.Cohen、U.Frodis、F.Tseng、F.Mansfeld和P.Will，“EFAB：Rapid?Desktop?Manufacturing?of?True?3-DMicrostructures”，Proc.2nd?International?Conference?on?IntegratedMicroNanotechnology?for?Space?Applications，The?Aerospace?Co.，Apr.1999。