[發明專利]一種清洗半導體中的聚合物的方法

有效

• 申請號: 200910243709.3
• 申請日: 2009-12-23
• 公開（公告）號: CN102107196A
• 公開（公告）日: 2011-06-29
• 發明（設計）人: 刁宇飛;林國勝;宋磊;蔡新春;華文森
• 申請（專利權）人: 北大方正集團有限公司;深圳方正微電子有限公司
• 主分類號: B08B3/02
• 分類號: B08B3/02
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

技術領域

本發明涉及半導體制作領域，尤其涉及用于制造半導體半導體時清洗殘留聚合物的方法。

背景技術

目前，制作半導體通常通過在基板上沉積一層金屬(通常沉積鋁)、貼光刻膠、曝光、顯影、鋁刻蝕等工藝。其中，在鋁刻蝕工藝中，通常用氯氣、三氯化硼來進行刻蝕，而三氯化硼與鋁能夠生成聚合物。在刻蝕完成后需將生成的聚合物去除。

傳統的去除方法是，先將刻蝕后的半導體浸泡在聚合物清洗藥液中，然后將半導體從清洗藥液槽放進沖洗槽中用水沖洗，以徹底清洗殘留的聚合物。其沖洗方法如圖1所示，將半導體1從清洗藥液槽送入沖洗槽3中，由沖洗槽底部向上溢水，同時從槽的頂部向半導體噴水(如圖1中a)，直到水充滿沖洗槽(如圖1中b)，再將水排放(如圖1中c)，如此反復若干次；之后，由沖洗槽底部向上噴水(如圖1中d)，使得水持續溢出沖洗槽若干分鐘后將水排放(如圖1中e、f)。

用應用材料8330鋁刻蝕機進行鋁條寬度為0.6微米的鋁刻蝕工藝中，由于應用材料8330鋁刻蝕機設備本身硬件構造的特性導致其各向異性能力很弱，在做0.6微米鋁腐蝕過程中必須加重側壁的聚合物，才能保證鋁形貌符合產品規范要求，而過重的聚合物保護使鋁腐蝕后的聚合物清洗變得困難，在鋁條中留有白色痕跡(本申請人稱之為“發霧”現象)，導致沖洗后仍有“發霧”異常現象，從而大大降低了良品的生產率。

發明內容

本發明要解決的一個技術問題是提供一種用于制造半導體半導體時清洗殘留聚合物的方法，該方法能夠避免沖洗半導體聚合物時產生白色痕跡。

為了解決上述技術問題，本發明采用以下技術方案：

一種用于制造半導體半導體時清洗殘留聚合物的方法包括：

將殘留有聚合物的半導體放入沖洗槽中，由所述沖洗槽底部向上噴水，直到溢水，使得所述水持續溢出所述沖洗槽預定時間，再將所述水排放；

從所述沖洗槽底部向上噴水，同時從所述沖洗槽的頂部向所述半導體噴水，直到水充滿所述沖洗槽，再將所述水排放；

其中，所述水為去離子水。

與傳統的技術相比，利用該方法對半導體進行沖洗，能夠使半導體從清洗藥液槽送到沖洗槽的開始一段時間所處的水與清洗藥液所形成的混合溶液對鋁片的腐蝕較小，從而避免半導體鋁片中產生白色痕跡。

附圖說明

圖1為傳統技術中殘留聚合物的沖洗示意圖；

圖2為本發明清洗殘留聚合物方法的流程圖；

圖3為本發明清洗殘留聚合物方法的示意圖；

圖4為水與清洗藥液的比例對鋁刻蝕速率的關系圖。

附圖符號說明：

1半導體；2沖洗槽底部噴水管；3沖洗槽；4沖洗管底部噴水管；5沖洗槽上方噴水管。

具體實施方式

本發明的目的在于提供一種用于制造半導體時清洗殘留聚合物的方法，該方法能夠消除在半導體半導體制作過程中產生的“發霧”現象。

以下結合附圖和實施例對本發明清洗殘留聚合物的方法作詳細的說明。

如圖3所示，一種清洗殘留聚合物的方法包括：

S10：將殘留有聚合物的半導體放入沖洗槽中，由沖洗槽底部向上噴水，

直到溢水，使得水持續溢出沖洗槽預定時間，再將水排放；

S20：從沖洗槽底部向上噴水，同時從沖洗槽的頂部向半導體噴水，直到水充滿沖洗槽，再將水排放；

其中，所述水為去離子水。

其中，將殘留有聚合物的半導體放入沖洗槽中，由沖洗槽底部向上噴水，直到溢水，使得所述水持續溢出沖洗槽預定時間具體為：將殘留有聚合物的半導體放入沖洗槽中，由沖洗槽底部向上噴水5～10分鐘。如圖3所示，將經過清洗藥液浸泡后殘留有聚合物的半導體1放入沖洗槽3中(如圖3中a)，打開沖洗槽底部噴水管3的開關，以噴出水，直到水從沖洗槽的上部溢出(如圖3中b)。其中，水溢出時間在5～10分鐘為宜，本實施例中，選擇水溢出時間為5分鐘。等水溢出5分鐘后，通過沖洗槽底部的排水口4將水排放(如圖3中c)。

從沖洗槽底部向上噴水，同時從槽的頂部向半導體噴水，直到水充滿沖洗槽，再將水排放具體為：從沖洗槽底部向上噴水，同時從槽的頂部向半導體噴水，直到水面到達槽頂部，再將水排放，如此反復8～10次。如圖3所示，經過步驟S10后，打開沖洗槽底部噴水管2的開關，以噴出水。同時，打開沖洗槽上方的噴水頭5的開關，使得水噴向沖洗槽中的半導體1(如圖3中d)，直到水充滿沖洗槽(如圖3中e)后，再通過排水口4將水排放(如圖3中f)。本實施例反復8次，結束沖洗。