[發(fā)明專利]自舉采樣電路有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200910242515.1 | 申請(qǐng)日： | 2009-12-15 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN102098034A | 公開（公告）日： | 2011-06-15 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 龔川 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 北京中星微電子有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H03K17/687 | 分類號(hào)： | H03K17/687 |
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| 地址： | 100083 北京市*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 采樣 電路 | ||
1.一種自舉采樣電路，其特征在于：其包括晶體管采樣開關(guān)，采樣開關(guān)的源極輸入欲采樣的輸入信號(hào)，采樣開關(guān)的漏極輸出采樣后的輸出信號(hào)，該采樣開關(guān)的柵極連接于一個(gè)自舉電路，由自舉電路驅(qū)動(dòng)采樣開關(guān)開啟，其中該自舉電路包括：
充電電容，其包括第一端與第二端；
第一晶體管，其柵極連接于第一時(shí)鐘信號(hào)，源極連接于電源信號(hào)，漏極連接于一個(gè)電路節(jié)點(diǎn)；
第二晶體管，其漏極連接于電源信號(hào)、源極連接于前述充電電容的第一端、柵極連接于前述電路節(jié)點(diǎn)；
第三晶體管，其柵極連接于第二時(shí)鐘信號(hào)，源極接地，漏極連接于前述充電電容的第二端；。
第四晶體管，其柵極連接于第一時(shí)鐘信號(hào)，漏極連接于前述電路節(jié)點(diǎn)，源極連接于前述充電電容的第二端；
第五晶體管，其柵極連接于前述電路節(jié)點(diǎn)，漏極連接于第一時(shí)鐘信號(hào)、源極連接于前述采樣開關(guān)的柵極；
第六晶體管，其柵極連接于采樣開關(guān)的柵極，漏極連接于采樣信號(hào)輸入端，源極連接于前述充電電容的第二端；
第七晶體管，其柵極連接于前述電路節(jié)點(diǎn)，源極連接于前述充電電容的第一端，漏極連接于前述采樣開關(guān)的柵極。
2.如權(quán)利要求1所述的自舉采樣電路，其特征在于：前述第一晶體管與第七晶體管為PMOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
3.如權(quán)利要求1所述的自舉采樣電路，其特征在于：前述第二晶體管、第三晶體管、第四晶體管、第五晶體管以及第六晶體管為NMOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
4.如權(quán)利要求1所述的自舉采樣電路，其特征在于：前述第一時(shí)鐘信號(hào)與第二時(shí)鐘信號(hào)為互為反向的采樣時(shí)鐘信號(hào)。
5.一種自舉采樣電路，其特征在于：其包括晶體管采樣開關(guān)，采樣開關(guān)的源極輸入欲采樣的輸入信號(hào)，采樣開關(guān)的漏極輸出采樣后的輸出信號(hào)，該采樣開關(guān)的柵極連接于一個(gè)自舉電路，由自舉電路驅(qū)動(dòng)采樣開關(guān)開啟，該自舉電路包括電容充電電路以及采樣開關(guān)啟動(dòng)電路，其中電容充電電路在第一時(shí)鐘信號(hào)時(shí)對(duì)充電電容充電，在第二時(shí)鐘信號(hào)時(shí)采樣開關(guān)啟動(dòng)電路啟動(dòng)采樣開關(guān)，采樣開關(guān)的柵極通過采樣開關(guān)啟動(dòng)電路連接于充電電容的第一端，采樣開關(guān)的源極連接于采樣信號(hào)輸入端并通過采樣開關(guān)啟動(dòng)電路連接于充電電容的第二端，則采樣開關(guān)的柵極與源極的壓差為充電電容的充電電壓，使采樣開關(guān)導(dǎo)通電阻為恒定值，實(shí)現(xiàn)高線性度采樣。
6.如權(quán)利要求5所述的自舉采樣電路，其特征在于：前述電容充電電路包括：
充電電容，其包括第一端與第二端；
第一晶體管，其柵極連接于第一時(shí)鐘信號(hào)，源極連接于電源信號(hào)，漏極連接于電路節(jié)點(diǎn)；
第二晶體管，其漏極連接于電源信號(hào)、源極連接于前述充電電容的第一端、柵極連接于前述電路節(jié)點(diǎn)；
第三晶體管，其柵極連接于第二時(shí)鐘信號(hào)，源極接地，漏極連接于充電電容的第二端。
7.如權(quán)利要求5所述的自舉采樣電路，其特征在于：前述采樣開關(guān)啟動(dòng)電路包括：
第四晶體管，其柵極連接于第一時(shí)鐘信號(hào)，漏極連接于前述電路節(jié)點(diǎn)，源極連接于前述充電電容的第二端；
第五晶體管，其柵極連接于前述電路節(jié)點(diǎn)，漏極連接于第一時(shí)鐘信號(hào)、源極連接于前述采樣開關(guān)的柵極；
第六晶體管，其柵極連接于前述采樣開關(guān)的柵極，漏極連接于采樣信號(hào)輸入端，源極連接于前述充電電容的第二端；
第七晶體管，其柵極連接于前述電路節(jié)點(diǎn)，源極連接于前述充電電容的第一端，漏極連接于前述采樣開關(guān)的柵極。
8.如權(quán)利要求6所述的自舉采樣電路，其特征在于：前述第一晶體管為PMOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管，前述第二晶體管及第三晶體管為NMOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
9.如權(quán)利要求7所述的自舉采樣電路，其特征在于：前述第四晶體管、第五晶體管以及第六晶體管為NMOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管，前述第七晶體管為PMOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
10.如權(quán)利要求5所述的自舉采樣電路，其特征在于：前述第一時(shí)鐘信號(hào)與第二時(shí)鐘信號(hào)為互為反向的采樣時(shí)鐘信號(hào)。
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