[發明專利]一種在玻璃基底上制備取向生長多晶氧化鋅薄膜的方法

無效

• 申請號: 200910229010.1
• 申請日: 2009-12-08
• 公開（公告）號: CN101708959A
• 公開（公告）日: 2010-05-19
• 發明（設計）人: 王曉姹;陳希明;楊寶和
• 申請（專利權）人: 天津理工大學
• 主分類號: C03C17/245
• 分類號: C03C17/245
• 代理公司: 天津佳盟知識產權代理有限公司 12002
• 代理人: 侯力

1.一種在玻璃基底上制備取向生長多晶氧化鋅薄膜的方法，采用磁控濺射鍍膜法制備，其特征在于步驟如下：

1)在磁控濺射鍍膜機的靶頭上安裝一對ZnO陶瓷靶；

2)將基底材料表面雜質清除后，將基底安裝基底架上，基片與靶的距離為10cm；基片在上方，靶在下方；

3)開啟磁控濺射鍍膜機，先后啟動一級機械泵和二級分子泵抽真空，直至濺射室的背底真空度優于8×10^-6Pa；

4)向真空室通入O₂和Ar的混合氣體，使得真空室中的真空度為1Pa；

5)開啟濺射電源在ZnO陶瓷靶上進行預濺射；

6)打開基片的擋板，同時使基片架轉動，每分鐘2轉；此時在基片上生長ZnO薄膜；

7)濺射結束后，關閉基片的擋板、基片架轉動系統，然后關閉濺射電源，停止通入濺射氣體Ar和O₂，繼續抽真空，半小時后關閉真空系統，向真空室充入純度為99.999％的氮氣，打開真空室，取出成品即可。

2.根據權利要求1所述在玻璃基底上制備取向生長多晶氧化鋅薄膜的方法，其特征在于：所述ZnO陶瓷靶的純度為99.99％，靶材的厚度為5mm，直徑為60mm。

3.根據權利要求1所述在玻璃基底上制備取向生長多晶氧化鋅薄膜的方法，其特征在于：所述O₂和Ar混合氣體中，O₂和Ar的純度均為99.999％，其中O₂的流量為6sccm，Ar的流量為100sccm。

4.根據權利要求1所述在玻璃基底上制備取向生長多晶氧化鋅薄膜的方法，其特征在于：所述開啟濺射電源在ZnO陶瓷靶上進行預濺射的參數為電流0.2A、電壓1200V、預濺射時間為20分鐘。