[發(fā)明專利]級聯(lián)放大器和用于控制級聯(lián)放大器的電流的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200910224022.5 | 申請日: | 2009-11-30 |
| 公開(公告)號: | CN101860327A | 公開(公告)日: | 2010-10-13 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陳彥宏;林育信 | 申請(專利權(quán))人: | 聯(lián)發(fā)科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H03F3/00 | 分類號: | H03F3/00;H03F1/26;H03G3/00 |
| 代理公司: | 北京萬慧達(dá)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11111 | 代理人: | 葛強(qiáng);張一軍 |
| 地址: | 中國臺灣新竹科*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 級聯(lián) 放大器 用于 控制 電流 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明是關(guān)于級聯(lián)(cascode)放大器,更具體的,是關(guān)于級聯(lián)放大器和用于控制級聯(lián)放大器電流的方法。
背景技術(shù)
圖1是傳統(tǒng)級聯(lián)電流鏡100的示意圖。級聯(lián)電流鏡100包括四個(gè)晶體管M1-M4和電流源I1。級聯(lián)電流鏡100的功能是使晶體管M1、M2復(fù)制(或鏡像)流經(jīng)晶體管M3、M4的電流(即電流源I1提供的電流)。但在級聯(lián)電流鏡100中,晶體管M2、M4可能不運(yùn)作在同一區(qū):例如,晶體管M2運(yùn)作在飽和區(qū),而晶體管M4運(yùn)作在三極管區(qū)(triode?region)。因此,節(jié)點(diǎn)N2與節(jié)點(diǎn)N4的電壓電平可能不接近,所以節(jié)點(diǎn)N1的電壓電平不能追蹤節(jié)點(diǎn)N3的電壓電平,導(dǎo)致晶體管M1、M2的電流不能很好的對電流源I1提供的電流進(jìn)行相應(yīng)的鏡像。
此外,為達(dá)到較好的放大器性能,例如增益和噪聲系數(shù)(Noise?Figure,NF),典型情況下會選擇短溝道器件,短溝道器件的設(shè)計(jì)規(guī)則中溝道具有最小的長度。但是,具有較短溝道長度的晶體管更易遭受公知的溝道長度調(diào)制效應(yīng)的影響。圖2是晶體管Id-VDS特性的示意圖,其中Id是晶體管電流,VDS是晶體管漏極和源極之間的電壓差。在溝道長度調(diào)制效應(yīng)嚴(yán)重時(shí),Id隨VDS快速增加(即當(dāng)晶體管運(yùn)作在飽和區(qū)時(shí),曲線210的斜率很大)。因此,在深度次微米(sub-micro)工藝中,由于溝道長度短,即使晶體管M1、M3都運(yùn)作在飽和區(qū),也難以保持穩(wěn)定的電流鏡像率。也就是說,由于如圖1所示的節(jié)點(diǎn)N2、N4之間存在電壓差,晶體管M1、M3的電流不能滿足要求。
發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此,本發(fā)明提供一種級聯(lián)放大器和用于控制級聯(lián)放大器電流的方法。
本發(fā)明提供一種級聯(lián)放大器,包含:一輸入信號端;一輸出信號端;一第一晶體管和一第二晶體管,其中,該第一晶體管和該第二晶體管中的每個(gè)都具有柵極、第一電極和第二電極,該第一晶體管的第一電極耦接于該第二晶體管的第二電極,該第一晶體管的柵極耦接于該輸入信號端,該第二晶體管的第一電極耦接于該輸出信號端;一第三晶體管和一第四晶體管,其中,該第三晶體管和該第四晶體管中的每個(gè)都具有柵極、第一電極和第二電極,該第三晶體管的第一電極耦接于該第四晶體管的第二電極,該第三晶體管的柵極、該第四晶體管的柵極分別耦接于該第一晶體管的柵極、該第二晶體管的柵極;以及一偏置(bias)電路,耦接于該第四晶體管的第一電極,用于偏置該第四晶體管的第一電極的一電壓電平,以使得該第二晶體管和該第四晶體管運(yùn)作在同一區(qū)。
本發(fā)明提供一種用于控制級聯(lián)放大器電流的方法,包含:提供一第一晶體管和一第二晶體管,其中該第一晶體管和該第二晶體管中的每個(gè)具有柵極、第一電極和第二電極,該第一晶體管的第一電極耦接于該第二晶體管的第二電極,該第一晶體管的柵極耦接于一輸入信號端,該第二晶體管的第一電極耦接于一輸出信號端;提供一第三晶體管和一第四晶體管,其中該第三晶體管和該第四晶體管中的每個(gè)具有柵極、第一電極和第二電極,該第三晶體管的第一電極耦接于該第四晶體管的第二電極,該第三晶體管的柵極、該第四晶體管的柵極分別耦接于該第一晶體管的柵極、該第二晶體管的柵極;以及偏置該第四晶體管的第一電極的一電壓電平,使該第二晶體管、該第四晶體管運(yùn)作在同一區(qū)。
本發(fā)明提供的級聯(lián)放大器和用于控制級聯(lián)放大器電流的方法,使流經(jīng)晶體管的電流較少受到溝道長度調(diào)制效應(yīng)的影響。
附圖說明
圖1是描述傳統(tǒng)級聯(lián)電流鏡的示意圖。
圖2是晶體管Id-VDS特性的示意圖。
圖3是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的級聯(lián)放大器的示意圖。
圖4是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的示范級聯(lián)放大器的大略結(jié)構(gòu)。
圖5是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例控制級聯(lián)放大器電流的流程圖。
具體實(shí)施方式
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