[發明專利]一種SiC陶瓷與SiC陶瓷之間的高溫液相連接方法無效
| 申請號: | 200910219183.5 | 申請日: | 2009-11-27 |
| 公開(公告)號: | CN101709000A | 公開(公告)日: | 2010-05-19 |
| 發明(設計)人: | 喬冠軍;劉桂武;盧天健;帕索里尼·阿爾貝托;瓦倫扎·法必西歐;默羅·瑪麗亞·路易賈 | 申請(專利權)人: | 西安交通大學 |
| 主分類號: | C04B37/00 | 分類號: | C04B37/00 |
| 代理公司: | 西安通大專利代理有限責任公司 61200 | 代理人: | 惠文軒 |
| 地址: | 710049 陜*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 sic 陶瓷 之間 高溫 相連 方法 | ||
1.一種SiC陶瓷與SiC陶瓷之間的高溫液相連接方法,其特征在 于,包括下述步驟:
(1)制備Ni-Si膏劑:將Ni-Si合金粉末滾混球磨、過篩,裝入 玻璃瓶中,再加入草酸乙二酯和膠棉溶液,攪拌至少30min,制成 Ni-Si膏劑,待用;
(2)前處理SiC陶瓷和制作Mo片:將兩個對接的SiC陶瓷的連 接面依次磨平、拋光、清洗和干燥,再剪裁加工Mo片與SiC陶瓷連 接面大小相適應,并清洗和干燥;
(3)涂敷Ni-Si膏劑:在兩個對接的SiC陶瓷的連接面分別涂敷 Ni-Si膏劑層,或在Mo片的兩表面分別涂敷Ni-Si膏劑層,然后晾干;
(4)裝配及高溫連接:將Mo片置于兩個對接的SiC陶瓷的連接 面之間,施壓固定,然后在真空爐中,加熱至1330~1400℃,保溫 5~30min,冷卻至室溫,即可。
2.根據權利要求1所述的一種SiC陶瓷與SiC陶瓷之間的高溫液 相連接方法,其特征在于,所述制備Ni-Si膏劑中,Ni-Si合金粉末∶ 草酸乙二酯∶膠棉溶液的配比為(3~4)g∶(4~6)ml∶(6~8)ml。
3.根據權利要求1所述的一種SiC陶瓷與SiC陶瓷之間的高溫液 相連接方法,其特征在于,所述Ni-Si合金粉末中Si的原子數百分比 含量為40at.%~60at.%。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于西安交通大學,未經西安交通大學許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200910219183.5/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





