[發明專利]利用表面發射型電子源的平板顯示裝置

無效

• 申請號: 200910218905.5
• 申請日: 2009-11-10
• 公開（公告）號: CN101728186A
• 公開（公告）日: 2010-06-09
• 發明（設計）人: 胡文波;鄭宇;劉純亮;吳勝利;高燕龍
• 申請（專利權）人: 西安交通大學
• 主分類號: H01J31/12
• 分類號: H01J31/12;H01J29/02;G09G3/30
• 代理公司: 西安通大專利代理有限責任公司 61200
• 代理人: 陸萬壽

1.一種利用表面發射型電子源的平板顯示裝置，包括由玻璃材料制成的前基板(1)和后基板(2)，其特征在于：所述前基板(1)或后基板(2)上設置有能產生表面電子發射的電子源；所述前基板(1)和后基板(2)中至少一個涂覆有熒光粉層(4)；所述電子源由上電極(7)、絕緣膜(6)和下電極(5)構成；所述下電極(5)平鋪在后基板(2)表面，絕緣膜(6)平鋪在下電極(5)表面，上電極(7)平鋪在絕緣膜(6)表面；所述上電極(7)與下電極(5)各包括多條平行的條狀電極，上電極(7)與下電極(5)成正交排列，在上電極(7)和下電極(5)的每一個交叉點處形成一個由電子源及熒光粉層組成的顯示單元，相鄰顯示單元之間設置有障壁(8)；所述障壁(8)的側壁上涂覆有熒光粉層(4)。

2.如權利要求1所述一種利用表面發射型電子源的平板顯示裝置，其特征在于：所述前基板(1)和后基板(2)之間充有惰性氣體，電子源置于惰性氣體中。

3.如權利要求1所述一種利用表面發射型電子源的平板顯示裝置，其特征在于：所述絕緣膜(6)連續鋪放在下電極(5)表面，或只鋪放在上電極(7)與下電極(5)交叉點處的下電極(5)表面。

4.如權利要求1所述一種利用表面發射型電子源的平板顯示裝置，其特征在于：所述絕緣膜(6)材料從三氧化二鋁、二氧化硅、氧化鎂、五氧化二鉭、氮化硅、二氧化鉿和氧化鋯中選擇，膜厚為3-500nm。

5.如權利要求1所述一種利用表面發射型電子源的平板顯示裝置，其特征在于：所述絕緣膜(6)具有多晶或非晶結構。

6.如權利要求1所述一種利用表面發射型電子源的平板顯示裝置，其特征在于：所述上電極(7)和絕緣膜(6)之間設置有半導體膜(9)；所述電子源由上電極(7)、半導體膜(9)、絕緣膜(6)和下電極(5)構成。

7.如權利要求6所述一種利用表面發射型電子源的平板顯示裝置，其特征在于：所述半導體膜(9)材料從硫化鋅、氧化鋅、氧化鎂鋅、硫化鎂、硫化鎘、硒化鋅、硒化鎘中選擇，膜厚為3-100nm。

8.如權利要求6所述一種利用表面發射型電子源的平板顯示裝置，其特征在于：所述半導體膜(9)連續鋪放在絕緣膜(6)表面，或只鋪放在上電極(7)與下電極(5)交叉點處的絕緣膜(6)表面。

9.如權利要求1所述一種利用表面發射型電子源的平板顯示裝置，其特征在于：所述下電極(5)選用Al、W、Cr、Ni、Mo等材料制作，上電極(7)選用Au、Pt、Ir等材料制作。

10.如權利要求1和6所述一種利用表面發射型電子源的平板顯示裝置，其特征在于：所述顯示單元采用由薄膜晶體管構成的矩陣來驅動。