[發明專利]基于MR Sensor進行手機狀態識別的方法及其手機

無效

• 申請號: 200910215490.6
• 申請日: 2009-12-31
• 公開（公告）號: CN102118459A
• 公開（公告）日: 2011-07-06
• 發明（設計）人: 黃穎
• 申請（專利權）人: 上海晨興希姆通電子科技有限公司
• 主分類號: H04M1/02
• 分類號: H04M1/02;H04M1/725;G01V3/00
• 代理公司: 上海智信專利代理有限公司 31002
• 代理人: 薛琦

技術領域

本發明涉及一種手機狀態識別的方法及該手機，特別是涉及一種基于MR?Sensor進行手機開合蓋狀態識別的方法及采用該識別方法的手機。

背景技術

如今電子產品外觀設計要求越來越高，結構越來越復雜，如手機，手機中央處理器需要得到手機狀態的狀態，從而對應不同的界面。傳統的手機狀態識別方法有二種：一種采用接近傳感器：依靠紅外線的發射與發射來判斷是否有物體靠近，從而識別手機的狀態。其缺點：結構復雜，成本非常高，且使用場合受限。第二種是采用霍爾器件：即利用垂直于霍爾器件的磁場來判斷磁鐵是否靠近，從而識別手機的狀態。但這種方法也存在成本較高，使用場合受限的缺點。

發明內容

本發明所要解決的技術問題是為了克服現有手機等電子產品在進行狀態識別時存在識別成本高且使用場合受限的缺陷，提供一種識別靈敏度高，且成本很低、使用場合也不受限的基于MR?Sensor進行手機狀態識別的方法及使用該MR?Sensor進行狀態識別的手機。

本發明是通過下述技術方案來解決上述技術問題的：一種基于MRSensor進行手機狀態識別的方法，其特征在于，其包括以下步驟：

S₁、將至少一MR?Sensor置于手機上蓋的邊緣；

S₂、將至少一磁鐵置于手機下蓋邊緣，并使磁鐵的磁力線能水平穿過該MR?Sensor；

S₃、開合手機上、下蓋，該MR?Sensor進行磁場感應檢測；

S₄、該MR?Sensor將感應的檢測信號反饋至中央處理器。

其中，步驟S₃中該MR?Sensor進行磁場感應的檢測包括：

S₃₁、當手機處于開啟狀態時，該MR?Sensor感應到無磁力線；

S₃₂、當手機處于合蓋狀態時，該MR?Sensor感應到有磁力線。

其中，該磁鐵的磁場強度為大于或等于1.5Mt。

本發明還提供一種使用上述的識別方法的手機，其包括一設于該手機內的一中央處理器，其特征在于，其還包括：至少分別設于該手機上下蓋上的一磁鐵及一MR?Sensor，其中，當手機處于合蓋狀態時，該磁鐵的磁力線水平穿過該MR?Sensor。

其中，該MR?Sensor與該中央處理器電連接。

本發明的積極進步效果在于：由于當磁場水平穿過MR?Sensor(英文全稱Magnet-Resistance?sensor，磁阻傳感器)時，MR?Sensor就會產生中斷信號，因此本發明利用MR?Sensor感應是否有水平磁力線穿過，進行磁鐵靠近或遠離的判斷，從而有效識別手機開、合蓋的狀態。本發明不僅識別靈敏度高，且其制造成本低，使用方便，可以解決各種型號手機的開、合蓋狀態的識別與判斷。

附圖說明

圖1為本發明第一較佳實施例的MR?Sensor的基本應用原理圖。

圖2為本發明第二較佳實施例的合蓋狀態下翻蓋手機的應用結構圖。

圖3為本發明第二較佳實施例的開蓋狀態下翻蓋手機的應用結構圖。

圖4為本發明第三較佳實施例的正向合蓋狀態下的旋屏手機的應用圖。

圖5為本發明第三較佳實施例的反向合蓋狀態下的旋屏手機的應用圖。

具體實施方式

下面結合附圖給出本發明較佳實施例，以詳細說明本發明的技術方案。

本發明提供一種基于MR?Sensor進行手機狀態識別的方法，其包括以下步驟：

S₁、將MR?Sensor設于手機上蓋的靠近邊緣的底端；

S₂、將磁鐵置于手機下蓋的靠近邊緣處的底端，并使磁鐵的磁力線能水平穿過該MR?Sensor；該磁鐵的磁場強度為大于或等于1.5Mt。即1.5Mt磁場強度為磁場感應的最低識別門限。

S₃、當手機上、下蓋開合狀態發生變化時，該MR?Sensor進行相應的磁場感應檢測；當手機處于開啟狀態時，該MR?Sensor感應到無磁力線；當手機處于合蓋狀態時，該MR?Sensor感應到有磁力線。

S₄、該MR?Sensor將感應的檢測信號反饋至中央處理器。