[發明專利]曝光裝置以及曝光方法

有效

• 申請號: 201480047009.6
• 申請日: 2014-08-18
• 公開（公告）號: CN105474102B
• 公開（公告）日: 2017-03-22
• 發明（設計）人: 松岡尚彌
• 申請（專利權）人: 株式會社村田制作所
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;H01L21/027;H05K3/00
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司31100
• 代理人: 張鑫

技術領域

本發明涉及用于制造半導體裝置、印刷基板、LCD等的曝光裝置以及曝光方法。尤其涉及即使在掩膜尺寸增大的情況下，也能矯正掩膜的彎曲，實現完成品質的提高的曝光裝置以及曝光方法。

背景技術

在制造半導體裝置、印刷基板、LCD等的情況下，隔著具有規定圖案的玻璃掩膜，使期望的圖案曝光在工件上。在玻璃掩膜的尺寸增大的情況下，由于掩膜支架僅從邊緣部支承玻璃掩膜，因此容易因自重在玻璃掩膜產生彎曲。在玻璃掩膜產生彎曲的情況下，曝光精度大大地降低。

因此，例如專利文獻1中公開了一種曝光裝置，其中，形成使玻璃掩膜作為其一部分的氣密空間，通過與玻璃掩膜的彎曲方向相對應地將高壓空氣導入氣密空間內，或降低氣密空間內的內壓(壓力)，能矯正玻璃掩膜的彎曲。另外在專利文獻2中也同樣地公開了一種通過排出掩膜和金屬薄板之間的密閉空間的空氣，使掩膜和金屬薄板密接的光掩膜密接方法。

進一步地，在專利文獻3中，公開了對通過掩膜和光學板之間的流體的流量以及流速進行調整，從而來調整掩膜的彎曲量的曝光裝置。在專利文獻3中，利用檢測器檢測掩膜的彎曲量，根據彎曲量調整閥，使通過掩膜和光學板之間的流體的流量發生變化。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本專利特開2004-069902號公報

專利文獻2：日本專利特開2004-133302號公報

專利文獻3：日本專利特開2007-199569號公報

發明內容

發明所要解決的技術問題

專利文獻1以及2中，對于氣密空間(密閉空間)內的壓力控制，需要使用昂貴的調節器等。然而，在掩膜的尺寸較大的情況下，需要進行壓力控制的掩膜面積增大，因此存在如下問題：難以用壓力控制對掩膜的整個面精細地調整彎曲量，難以根據掩膜的彎曲量進行校正。

另外專利文獻3中，對光學板為了使流體方便通過需要實施適當的加工，而出現制造成本增大的問題。

本發明是為了解決上述的情況而完成的，其目的在于提供一種在掩膜尺寸較大的情況下也能對掩膜的彎曲進行適當的矯正，能以高精度進行曝光的曝光裝置以及曝光方法。

解決技術問題所采用的技術方案

為了達成所述目的，本發明涉及的曝光裝置，包括：光源；光學板，該光學板設置有掩膜圖案；以及掩膜支架，該掩膜支架保持該光學板，在所述光學板的所述光源一側形成氣密空間，來自所述光源的光照射至所述光學板，使所述掩膜圖案曝光在工件上，該曝光裝置的特征在于，具有：壓力調整機構，該壓力調整機構調整所述氣密空間內的壓力；以及傾斜機構，該傾斜機構使所述掩膜支架傾斜為規定的角度，在利用該傾斜機構使所述掩膜支架傾斜了規定的角度的狀態下，利用所述壓力調整機構調整所述氣密空間內的壓力之后，利用所述傾斜機構使所述掩膜支架恢復至原先的角度，進行曝光。

上述結構中，具有調整氣密空間內的壓力的壓力調整機構，以及使掩膜支架傾斜為規定的角度的傾斜機構，在利用傾斜機構使掩膜支架傾斜了規定的角度的狀態下，利用壓力調整機構調整氣密空間內的壓力之后，利用傾斜機構使掩膜支架恢復至原先的角度，進行曝光。由此，在掩膜支架傾斜的狀態下，例如通過調整氣密空間內的壓力使曝光時掩膜支架的形狀的位移接近0，從而能矯正由光學板的自重所產生的彎曲，能使曝光時的光學板和工件的間隔保持恒定。由此，掩膜圖案的曝光精度升高，能實現完成品質的提高。

另外，優選地，本發明涉及的曝光裝置，包括位移檢測器，該位移檢測器檢測所述光學板的形狀的位移，利用該位移檢測器事先檢測曝光時所述光學板的形狀的位移，在利用所述傾斜機構使所述掩膜支架傾斜時，所述壓力調整機構調整所述氣密空間內的壓力，使利用所述位移檢測器檢測到的所述光學板的形狀的位移減少。

上述結構中，由于在掩膜支架傾斜時，調整氣密空間內的壓力，使事先檢測到的曝光時光學板的形狀的位移減少，因此能減小曝光時光學板的形狀的位移，能使曝光時的光學板和工件的間隔保持恒定。由此，掩膜圖案的曝光精度升高，能實現完成品質的提高。

另外，優選地，本發明涉及的曝光裝置，事先對所述掩膜支架的傾斜角度和使曝光時所述光學板的形狀的位移接近0的所述氣密空間內的壓力的關系進行儲存，所述壓力調整機構，基于儲存的關系，對所述氣密空間內的壓力進行調整，使曝光時所述光學板的形狀的位移接近0。