[發明專利]一種無塵布除塵除離子方法

有效

• 申請號: 200910214441.0
• 申請日: 2009-12-30
• 公開（公告）號: CN101787642A
• 公開（公告）日: 2010-07-28
• 發明（設計）人: 汪永紅
• 申請（專利權）人: 東莞市碩源電子材料有限公司
• 主分類號: D06L1/16
• 分類號: D06L1/16;D06M10/00
• 代理公司: 東莞市中正知識產權事務所 44231
• 代理人: 張萍

技術領域

本發明涉及一種除塵除離子的清潔處理方法，具體涉及一種去除無塵布上 污染塵粒和離子的方法。

背景技術

無塵布是廣泛使用在電子光學醫療半導體設備中的一種化學布料，對其本 身的潔凈度和吸收性有很高的要求，要達到“無塵”的效果需要盡可能的減少 產品塵粒釋放量、腐蝕性離子釋放量以及非揮發性殘留物釋放量。目前超細纖 維無塵布的清潔處理方法是將無塵布用自來水清洗之后，直接再用超純水清洗， 或者進行自來水、RO水、超純水三級漸進清洗。這種清洗方法對于普通易于清 洗的滌綸布尚可，然而對于現在較為常用的超細纖維類的滌錦復合材料無塵布 就難以適用，則不能夠達到除塵除離子的要求，如果使用沒有清潔干凈的無塵 布擦拭電子光學醫療半導體設備，則會對其造成損傷，甚至是損毀，嚴重威脅 相關設備的安全。

發明內容

本發明要解決的技術問題是提供一種能夠有效去除超細纖維類無塵擦拭布 上污染塵粒及離子的方法。

為解決上述技術問題，本發明采用如下技術方案：一種無塵布除塵除離子 方法，其特征在于：包含如下步驟：

1)、將阻值為16MΩ-18.2MΩ的純水加熱到50-100℃，期間加入除油劑 或者除塵劑；

2)、將使用過的無塵布投入上述加熱后的純水中浸泡30-60分鐘，其中無 塵布與純水的浴比為1∶10-40；

3)、將無塵布從前述熱水中撈出，并用阻值為16MΩ-18MΩ、浴比為1∶ 10的常溫純水清洗一次；

4)、將步驟3)中得到的無塵布轉入清洗機中進行清洗，按以下流程清洗3 個循環：

a、將清洗機浴比調為1∶40；

b、采用標準清洗方法清洗5分鐘；

c、將清洗過的無塵布進行高速脫水。

5)、將步驟4)中的無塵布轉入無塵烘干機進行清潔烘干。

本發明通過上述方法，采用熱萃取的清潔方式，有效地解決了超細纖維無 塵布污染離子的去除問題，能夠有效的清除無塵布表面的污染顆粒以及相關的 離子，最大限度地保護相關設備的潔凈與安全；與傳統的清洗方法相比，此方 法具有操作簡單，除污能力強、成本低的特點。

具體實施方式

本發明中所述的無塵布是指用于擦拭電子光學醫療半導體設備超細纖維無 塵布。

實施例1，所述無塵布除塵除離子方法，包含如下步驟：

1)、將阻值為18.2MΩ的純水加熱到50℃，期間加入除油劑，當然，也可 以是除塵劑；

2)、將使用過的無塵布投入上述加熱后的純水中浸泡30分鐘，其中無塵布 與純水的浴比為1∶40；

3)、將無塵布從熱水中撈出，并用阻值為16MΩ、浴比為1∶10的常溫純水 清洗1次；

4)、將步驟3)中得到的無塵布轉入清洗機中進行清洗，按以下流程清洗3 個循環：

a、將清洗機浴比調為1∶40；

b、采用標準清洗方法清洗5分鐘；

c、將清洗過的無塵布進行高速脫水。

5)、將步驟4)中的無塵布轉入無塵烘干機進行清潔烘干。

實施例2，所述無塵布除塵除離子方法，包含如下步驟：

1)、將阻值為17MΩ的純水加熱到80℃，期間加入除塵劑，當然也可以是 除油劑；

2)、將使用過的無塵布投入上述加熱后的純水中浸泡40分鐘，其中無塵布 與純水的浴比為1∶30；

3)、將無塵布從前述熱水中撈出，并用阻值為17MΩ、浴比為1∶10的常溫 純水清洗一次；

步驟4)和步驟5)與實施例1相同。

實施例3，所述無塵布除塵除離子方法，包含如下步驟：

1)、將阻值為16MΩ的純水加熱到100℃，期間加入除塵劑，當然也可以是 除油劑；

2)、將使用過的無塵布投入上述加熱后的純水中浸泡60分鐘，其中無塵布 與純水的浴比為1∶10；

3)、將無塵布從前述熱水中撈出，并用阻值為18.2MΩ、浴比為1∶10的常 溫純水清洗一次；

步驟4)和步驟5)與實施例1相同。

上述實施例，只是本發明的三個較佳實施例而已，并不是用來限制本發明 的實施與權利范圍，凡依據本申請保護范圍所述的方法所作等效變化和修飾， 均應包含在本申請范圍內。