[發明專利]顯示裝置

有效

• 申請號: 200910208124.8
• 申請日: 2009-10-28
• 公開（公告）號: CN101726899A
• 公開（公告）日: 2010-06-09
• 發明（設計）人: 野田剛史;宮沢敏夫;海東拓生;阿部裕行
• 申請（專利權）人: 株式會社日立顯示器
• 主分類號: G02F1/133
• 分類號: G02F1/133;H01L27/02;H01L29/786
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 王永剛

技術領域

本發明涉及顯示裝置，尤其涉及用薄膜晶體管(以下稱為TFT) 進行像素的顯示控制的顯示裝置中的顯示品質的提高。

背景技術

在液晶顯示裝置等的顯示裝置中用TFT等進行各像素的顯示控 制。作為TFT，已知有柵電極膜比半導體膜更靠近光源側的底柵結構。 在從背光源等光源向具有該結構的TFT照射光時，柵電極自身用作針 對于對置的半導體膜的遮光掩模。

如果向半導體膜照射光，則產生空穴電子對，但其產生的程度(尤 其在使用了多晶硅的TFT的場合)隨著載流子濃度增大而顯著降低。 因此，與其它區域相比，由溝道區及其附近的PN結部構成的耗盡層 更容易產生空穴電子對，如果對置的柵電極不能對這些區域充分地遮 光，就會產生空穴電子對，由此成為光泄漏電流，截止電流增加。

<專利文獻1>日本特開2002-57339號公報

TFT中的使用了多晶硅的TFT，存在截止電流比較大的問題， 為了減小該截止電流，使用例如串聯設置了多個TFT的多柵結構。

在光源側具有柵電極膜的TFT成為多柵結構時，在該半導體膜 上隔著添加了預定雜質的區域串聯設置多個溝道區。

此時，各溝道區及其附近不能被柵電極充分地遮光時，如果照射 光，就會產生空穴電子對，產生光泄漏電流。因此，在各TFT中都同 樣地采用這樣的結構時，光泄漏電流得不到抑制。

另外，已知在上述多個溝道區分別具有的兩端中的離視頻信號線 側或像素電極側最近的端附近產生空穴電子對時，容易產生光泄漏電 流。

這是因為，可以認為，多數情況下，在離視頻信號線側或像素電 極側中的保持高電位的一側最近的端附近，與其它溝道區端相比，成 為更強的電場，多數情況下，在該端附近產生的空穴電子對被該強電 場分離成空穴和電子，光泄漏電流增加。

另一方面，各溝道區及其附近被柵電極充分遮光時，雖然抑制了 光泄漏電流，但半導體膜與柵電極膜的對置面積增加，由此寄生電容 增加。在各TFT中都同樣地采用這樣的結構時，電容也會與TFT的 個數相應地進一步增加。

在使柵電壓截止、保持像素電壓時，由于寄生電容增加，所以加 劇了像素電壓的降低，產生顯示不良的新的原因。

發明內容

本發明的目的在于提供在串聯設置了多個在光源側具有柵電極 膜的TFT時，能夠抑制光泄漏電流的產生，且還能抑制電容增加的顯 示裝置。

(1).根據本發明的顯示裝置，其特征在于包含：在視頻信號 線和像素電極之間，隔著添加了預定的雜質的雜質添加區，串聯地設 置有至少包含第一溝道區和第二溝道區的多個溝道區的半導體膜；在 上述半導體膜的一側配置的產生光的光源；以及在上述半導體膜與上 述光源之間設置的柵電極膜，該柵電極膜包含與上述半導體膜對置的 區域中的、該第一溝道區和該第二溝道區在上述光源側分別擴展的第 一柵區和第二柵區；該第一柵區相對于該第一溝道區的相對面積與該 第二柵區相對于該第二溝道區的相對面積不同。

(2).進而，也可以是，在上述顯示裝置中，上述雜質添加區中 的與上述第一溝道區或上述第二溝道區鄰接的區域中的至少一個，是 以比其外部低的濃度添加了上述預定的雜質或添加了與其不同的雜質 的低濃度區。

(3).進而，也可以是，在上述顯示裝置中，上述第一柵區的面 積比上述第一溝道區的面積寬。

(4).進而，也可以是，在上述顯示裝置中，上述第二溝道區的 面積(在上述第二溝道區與上述低濃度區鄰接時為把鄰接的該低濃度 區的面積與上述第二溝道區的面積相加得到的面積)比上述第二柵區 的面積寬。

(5).進而，也可以是，在上述顯示裝置中，上述雜質添加區中 的與上述第一溝道區和上述第二溝道區的兩端鄰接的區域是上述低濃 度區。

(6).進而，也可以是，在上述顯示裝置中，上述第一溝道區位 于上述多個溝道區中最靠近像素電極側。

(7).進而，也可以是，在上述顯示裝置中，除上述第一溝道區 以外的上述多個溝道區各自的面積(在除上述第一溝道區以外的上述 多個溝道區各自與上述低濃度區鄰接時為把鄰接的該低濃度區的面積 與該溝道區各自的面積相加得到的面積)比上述柵電極膜中的與該溝 道區各自對置的區域的面積寬。