[發明專利]等離子體處理裝置及其構成部件

有效

• 申請號: 200910207951.5
• 申請日: 2009-11-02
• 公開（公告）號: CN101740298A
• 公開（公告）日: 2010-06-16
• 發明（設計）人: 村上貴宏;若木俊克
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01J37/04
• 分類號: H01J37/04;H01J37/32
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

1.一種利用等離子體對基板實施等離子體處理的等離子體處理裝 置的構成部件，其暴露于所述等離子體，其特征在于：

具有兩個面交叉而形成的角部，

所述兩個面的交叉角度是115°～180°中的任一角度，

在所述兩個面中的內側的面，在比按照包圍所述基板的方式配置 的聚集環更靠外側的位置設置有槽，該槽的寬度是鞘層長度的2倍以 上。

2.如權利要求1所述的等離子體處理裝置的構成部件，其特征在 于：

所述構成部件是以與所述基板相對的方式配置且被施加直流電壓 的電極，所述等離子體中的電子密度是2.0×10¹⁰～10¹¹cm^-3，當被施加 于所述電極的直流電壓的值為300V以下時，所述槽的寬度為8mm以 上。

3.一種等離子體處理裝置，其利用等離子體對基板實施等離子 體處理，其特征在于：

具備暴露于所述等離子體的構成部件，

所述構成部件具有兩個面交叉而形成的角部，所述兩個面的交叉 角度是115°～180°中的任一角度，

在所述兩個面中的內側的面，在比按照包圍所述基板的方式配置 的聚集環更靠外側的位置設置有槽，該槽的寬度是鞘層長度的2倍以 上。